通过固相粘合剂和选择性转移的超薄功能性块的异构集成制造技术

一种方法包含：将装置衬底耦合至载体衬底；对齐装置衬底的部分至主机衬底；将装置衬底的该部分从载体衬底分开；以及在分开装置衬底的该部分之后，将装置衬底的该部分耦合至主机衬底。一种方法包含：利用装置衬底的装置侧和载体衬底之间的粘合剂将装置衬底耦合至载体衬底；在将装置衬底耦合至载体衬底之后，使装置衬底变薄；对齐变薄的装置衬底的部分至主机衬底；将装置衬底的该部分从载体衬底分开；以及将装置衬底的该分开部分耦合至主机衬底。一种设备包含在堆叠布置中耦合至主机衬底的包含亚微米厚度和装置层的衬底。

Heterogeneous integration of ultra thin functional blocks by solid-phase adhesives and selective transfer

A method includes a device substrate coupled to the carrier substrate; the substrate alignment device to the host substrate; the device substrate this part separated from the carrier substrate; and after the device part of the substrate, the substrate of the device part is coupled to the host substrate. A method includes the use of adhesive between the device substrate side device and carrier substrate device substrate coupled to the carrier substrate; the substrate coupling device to the carrier substrate, the device substrate thinning; part to the host substrate alignment device substrate thin; the part of the device substrate is separated from the carrier substrate the substrate and device; separate section coupled to the host substrate. A device includes a substrate containing sub micron thickness and a device layer that is coupled to the host substrate in a stack arrangement.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过固相粘合剂和选择性转移的超薄功能性块的异构集成
三维集成电路。
技术介绍
晶圆和/或管芯的垂直堆叠（z维度）以形成三维集成电路与其二维配对物相比在减少的功率和更小的xy维度占据面积方面提供改进的性能。一种用于形成三维集成电路的通用技术是通过显微机械加工工艺使原始晶圆变薄，随后将整个晶圆或晶圆的刻划的管芯转移到主机晶圆。变薄工艺和层间界面维度趋向于受工艺能力限制。针对变薄工艺，当被变薄时，原始晶圆由临时粘合剂（典型的是聚合物材料）保持。由于聚合物材料粘合剂的弹性和厚度变化，极端的晶圆变薄（诸如在10μm下）是困难的。针对于转移机制，全晶圆级别堆叠相对于刻划的管芯具有优势，因为变薄的晶圆能通过全尺寸临时载体晶圆处理。当追求管芯或小型台面（mesa）堆叠时，个体的管芯或岛（island）必须由在流的一点处的拾取与放置机制来处理。这要求最小尺寸和机械强度，因此不能以容易的方式来装配极度小型和薄的管芯。附图说明图1图示包含在其上形成的多个集成电路管芯的装置衬底，诸如晶圆。图2示出附连至载体的图1的结构的装配件。图3示出装置结构的变薄之后的图2的装配件。图4示出装配件到主机晶圆的对齐之后的图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：将装置衬底耦合至载体衬底；对齐所述装置衬底的部分至主机衬底；将所述装置衬底的所述部分从所述载体衬底分开；以及在分开所述装置衬底的所述部分之后，将所述装置衬底的所述部分耦合至所述主机衬底。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：将装置衬底耦合至载体衬底；对齐所述装置衬底的部分至主机衬底；将所述装置衬底的所述部分从所述载体衬底分开；以及在分开所述装置衬底的所述部分之后，将所述装置衬底的所述部分耦合至所述主机衬底。2.如权利要求1所述的方法，其中，装置晶圆包括装置侧和后侧，以及将所述装置衬底耦合至所述载体衬底包括在所述装置侧处耦合。3.如权利要求1所述的方法，其中，在将所述装置衬底耦合至载体衬底之前，所述方法包括将粘合剂施加到所述装置衬底和所述载体衬底中的一个，以及耦合包括通过所述载体衬底将所述装置衬底耦合至所述载体衬底。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述粘合剂包括固相粘合剂。5.如权利要求3所述的方法，其中，分开包括将所述粘合剂暴露到电磁辐射。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述装置衬底包括多个管芯，以及分开所述装置衬底的部分包括分开少于所述多个管芯的全部。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述装置衬底包括第一半导体材料，以及所述主机衬底包括不同的第二半导体材料。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述装置衬底的所述部分包括第一装置衬底，所述方法还包括在耦合所述第一装置衬底之后，将第二装置衬底耦合至所述主机衬底。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一装置衬底包括第一半导体材料，以及所述第二装置衬底包括不同的第二半导体材料。10.一种方法，包括：利用装置衬底的装置侧和载体衬底之间的粘合剂将所述装置衬底耦合至所述载体衬底；在将...

【专利技术属性】
技术研发人员：K君，JM詹森，P莫罗，PB费舍尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US