三维高密度扇出型封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例公开了一种三维扇出型封装结构，包括：第一芯片；一个或多个第二金属柱，所述一个或多个第二金属柱设置在所述第一芯片的周边；一个或多个芯片构成的第二芯片，所述第二芯片层叠在所述第一芯片的背面，其表面焊盘通过金属线电连接到第二金属柱；第二绝缘树脂，所述第二绝缘树脂包封所述第一芯片、第二芯片和第二金属柱，并且第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面齐平；以及重布线结构。本发明专利技术公开的封装结构具有尺寸小、成本低的优点。

3D high density fan out package structure and its manufacturing method

The embodiment of the invention discloses a three-dimensional fanout package structure includes a first chip; one or a plurality of second metal columns, one or more of the second metal column is arranged around the first chip; second chip is composed of one or more chips, on the back of the second chip stacked on the first chip, the surface of the pad is connected to the second metal column through the metal wire; second insulating resin, the second insulating resin coating the first chip and second chip and second metal columns, and the first column of the metal surface, a first insulating resin surface, a bottom surface of the metal column second the bottom surface and a second insulating resin flush and wiring structure. The open packaging structure of the invention has the advantages of small size and low cost.

【技术实现步骤摘要】
三维高密度扇出型封装结构及其制造方法
本专利技术涉及封装领域，尤其涉及一种超薄三维高密度扇出型封装结构和及其制造方法。
技术介绍
三维集成电路封装具有很多优点，例如，封装密度高，占用面积小。现有技术中存在多种三维集成电路封装结构及三维集成电路封装方法。图6示出了一种现有技术的PoP(封装上的封装)封装结构的横截面示意图。PoP封装采用两个封装体叠加的方式制作，包括顶部封装体101和底部封装体102，总厚度接近1.4mm。顶部封装体101包含层叠芯片103。顶部封装体101和底部封装体102各包含一个电路板(电路板厚度0.3mm)和一组焊球104(焊球高度0.25mm)。这种PoP封装采用两个封装体叠加的方式制作，上下封装体可能产自不同厂家。每个封装体中电路板产自不同厂家。供应链冗长，供应商管理复杂。图7示出了一种现有技术的扇出型PoP封装结构的横截面示意图。扇出型PoP封装采用两个封装体叠加的方式制作，包括上封装体201和扇出封装体202。上封装体201中包含一个电路板(电路板厚度0.25mm)和一组焊球(焊球高度0.15mm)。上封装体201的高度B1一般为0.55mm，最低为0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维扇出型封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第一芯片的正面具有芯片焊盘，所述芯片焊盘的表面设置有第一金属柱，所述第一芯片的正面被第一绝缘树脂覆盖，所述第一金属柱的表面与第一绝缘树脂表面齐平；一个或多个第二金属柱，所述一个或多个第二金属柱设置在所述第一芯片的周边；一个或多个芯片构成的第二芯片，所述第二芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第二芯片的正面具有表面焊盘，所述第二芯片层叠在所述第一芯片的背面，表面焊盘通过金属线电连接到第二金属柱；第二绝缘树脂，所述第二绝缘树脂包封所述第一芯片、第二芯片和第二金属柱，并且第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属...

【技术特征摘要】
1.一种三维扇出型封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第一芯片的正面具有芯片焊盘，所述芯片焊盘的表面设置有第一金属柱，所述第一芯片的正面被第一绝缘树脂覆盖，所述第一金属柱的表面与第一绝缘树脂表面齐平；一个或多个第二金属柱，所述一个或多个第二金属柱设置在所述第一芯片的周边；一个或多个芯片构成的第二芯片，所述第二芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第二芯片的正面具有表面焊盘，所述第二芯片层叠在所述第一芯片的背面，表面焊盘通过金属线电连接到第二金属柱；第二绝缘树脂，所述第二绝缘树脂包封所述第一芯片、第二芯片和第二金属柱，并且第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面齐平；以及重布线结构，所述重布线结构形成在第一金属柱的表面、第一绝缘树脂的表面、第二金属柱的底部表面以及第二绝缘树脂的底部表面上，重布线结构具有导电线路、设置在导电线路上的外接焊盘以及绝缘材料，所述绝缘材料设置在第一绝缘树脂的表面和第二绝缘树脂的底部表面以及金属柱表面同导电线路之间并且设置在导电线路和外接焊盘之间，其中所述导电线路将所述第一金属柱和第二金属柱连接到对应的外接焊盘。2.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第一金属柱的成分为Cu、Ni、Sn、Ag、Au、Al、Fe、Pb、Pt、Pd或以上金属的合金。3.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，所述第二金属柱的高度不超过第一芯片与第一金属柱的高度之和。4.如权利要求1所述的三维扇出型封装结构，其特征在于，第二金属柱的成分为C...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈峰，张文奇，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32