半导体装置和成像装置制造方法及图纸

为了提高半导体芯片之间的接合强度。在半导体装置中，第一半导体芯片包括第一接合面，第一接合面包括：第一绝缘层；通过第一绝缘层而绝缘的第一内层电路电连接至的多个第一焊盘；和布置在多个第一焊盘的外部的线性第一金属层。第二半导体芯片包括接合至第一接合面的第二接合面，第二接合面包括：第二绝缘层；布置在与第一焊盘面对的位置中且通过第二绝缘层而绝缘的第二内层电路电连接至的多个第二焊盘；和布置在与第一金属层面对的位置中的线性第二金属层。第一金属层和第二金属层的宽度是基于从第一半导体芯片的端部至第一焊盘这一区域中的第一绝缘层与第二绝缘层之间的接合强度和第一金属层与第二金属层之间的接合强度的宽度。

Semiconductor devices and imaging devices

In order to improve the bonding strength between semiconductor chips. In a semiconductor device, a first semiconductor chip includes a first engagement surface and the first joint surface includes a first insulating layer; a plurality of first bonding pads through the first insulating layer and the insulation layer circuit is electrically connected to the first metal layer; linear and arranged in a plurality of first bonding pads outside. The second semiconductor chip is bonded to the first bonding surface including second joints, second joints including second insulating layer; a plurality of second pads arranged in the face with the first pad position and through the second insulating layer and the insulating layer second is electrically connected to the circuit and layout in the face; and a first metal layer in the position the linear second metal layer. First, the width of the metal layer and the second metal layer is based on the bonding strength between the first insulating layer and the second insulating layer in the area from the end of the first semiconductor chip to the first pad, and the width of the bonding strength between the first metal layer and the second metal layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和成像装置
本专利技术涉及半导体装置和成像装置。更具体地，本专利技术涉及通过接合两个半导体芯片而形成的半导体装置和成像装置。
技术介绍
迄今为止，已经使用了这样的半导体装置：多个半导体芯片被堆叠以形成三维构造，且因此实现小型化。例如，在成像装置中，光接收元件芯片和周边电路芯片基于各自的制造工艺而被单独制造。光接收元件芯片是具有这样构造的半导体芯片：其中，均包括有光接收元件的像素以二维阵列构造进行布置。周边电路芯片由驱动光接收元件芯片的周边电路形成。其后，使用这样的制造方法：将这些芯片接合在一起并且进行堆叠，从而构造出成像装置。在使用该制造方法的情况下，期望增强接合面处的接合强度以提高成像装置的可靠性。在芯片的接合面上，布置有与半导体芯片内的电路电连接的焊盘；且通过这些接合在一起的焊盘能够实现芯片之间的电信号的传输。焊盘用铜(Cu)等金属构成，且因此能够获得相对高的接合强度。另一方面，用于使焊盘等绝缘的绝缘层布置在接合面的除了焊盘以外的区域中。绝缘层之间的接合强度低于焊盘之间的接合强度；因此，提出了通过等离子处理使接合面活性化以提高接合强度的系统(例如，参见专利文献1)。引用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一接合面，所述第一接合面包括第一绝缘层，多个第一焊盘，通过所述第一绝缘层而被绝缘的第一内层电路电连接至所述多个第一焊盘，和线状的第一金属层，所述第一金属层布置在所述多个第一焊盘的外部；和第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括接合至所述第一接合面的第二接合面，所述第二接合面包括第二绝缘层，多个第二焊盘，所述多个第二焊盘布置在与所述第一焊盘面对的位置处，且通过所述第二绝缘层而被绝缘的第二内层电路电连接至所述多个第二焊盘，和线状的第二金属层，所述第二金属层布置在与所述第一金属层面对的位置处，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度是基...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.18 JP 2015-1007421.一种半导体装置，其包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一接合面，所述第一接合面包括第一绝缘层，多个第一焊盘，通过所述第一绝缘层而被绝缘的第一内层电路电连接至所述多个第一焊盘，和线状的第一金属层，所述第一金属层布置在所述多个第一焊盘的外部；和第二半导体芯片，所述第二半导体芯片包括接合至所述第一接合面的第二接合面，所述第二接合面包括第二绝缘层，多个第二焊盘，所述多个第二焊盘布置在与所述第一焊盘面对的位置处，且通过所述第二绝缘层而被绝缘的第二内层电路电连接至所述多个第二焊盘，和线状的第二金属层，所述第二金属层布置在与所述第一金属层面对的位置处，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度是基于在如下区域中的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的接合强度和所述第一金属层与所述第二金属层之间的接合强度的宽度，所述区域是从所述第一半导体芯片的端部至所述第一焊盘的区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度是基于在所述区域中的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的接合强度和所述第一金属层与所述第二金属层之间的接合强度的平均值的宽度。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一金属层和所述第二金属层的宽度大体上等于满足下面关系式的宽度Q，(x×P+y×Q)/R>z其中，z：所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的每单位面积的接合强度，x：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的每单位面积的接合强度，y：所述第一金属层和所述第二金属层之间的每单位面积的接合强度，P：在与所述第一半导体芯片的端部大体上垂直相交的路径上的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的接合部的长度，且R：在所述路径上的所述第一焊盘与所述第一半导体芯片的端部之间的长度。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述路径是这样的路径：其与所述第一半导体芯片的端部大体上垂直相交，并且从所述第一半导体芯片的端部延伸且最先到达所述第一焊盘。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述路径是这样的路径中的具有最长距离的路径：与所述第一半导体芯片的端部大体上...

【专利技术属性】
技术研发人员：琴尾健吾，小池薫，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP