存储器件制造技术

一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1‑a)Z](1‑U)[N]U‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。

Storage device

A memory piece consists of a variable resistance layer and a selection device layer that is electrically connected to a variable resistance layer. The memory device also includes reducing the leakage current and has for example according to the following formula 1 component chalcogenide switch material, [GeXSiY (AsaTe1 a) Z] (1 U) [N]U (1), 0.05 = X = 0.1, 0.15 = Y = 0.25, 0.7 = Z = 0.8, X+Y+Z = 1, 0.45 = a = 0.6 and U = 0.08 ~ 0.2.

【技术实现步骤摘要】
存储器件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年7月22日在韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2016-0093462的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
本文所述主题涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种包括可变电阻材料层的存储器件。
技术介绍
随着电子设备变得更轻、更薄、更短和更小，对高度集成的半导体器件的需求一直在增加。此外，已经提出了包括可变电阻材料层和选择器件层并且具有交叉点结构的三维(3D)存储器件。作为用于3D存储器件的选择器件层，已经提出了包括显示双向(Ovonic)阈值开关特性的硫族化物材料在内的存储器件。
技术实现思路
本文所述主题的示例性实施例提供了一种具有低截止电流和优异可靠性的存储器件。根据一个示例性实施例，提供了一种存储器件，其包括可变电阻层、与可变电阻层电连接的选择器件层以及具有根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U---------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：可变电阻层；以及选择器件层，与所述可变电阻层电连接并且包括具有根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1‑a)Z](1‑U)[N]U‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。

【技术特征摘要】
2016.07.22 KR 10-2016-00934621.一种存储器件，包括：可变电阻层；以及选择器件层，与所述可变电阻层电连接并且包括具有根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中在化学式1中，X的范围为0.06至0.08，Y的范围为0.17至0.22。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中在化学式1中，a的范围为0.5至0.6。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中在化学式1中，U的范围为0.15至0.2。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化物开关材料具有根据以下化学式2的成分，其中向化学式1进一步添加了碳(C)，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U-V)[N]U[C]V--------------------------(2)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6，0.08≤U≤0.2并且0.01≤V≤0.15。6.根据权利要求5所述的存储器件，其中在化学式2中，U的范围为0.1至0.15，V的范围为0.04至0.1。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述硫族化物开关材料被配置为具有双向阈值开关特性。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述可变电阻层包括成分与所述硫族化物开关材料的成分不同的硫族化物材料。9.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述可变电阻层包括超晶格结构，所述超晶格结构包括GeSbTe、InSbTe和BiSbTe中的至少一种，或者包括重复堆叠的GeTe和SbTe。10.一种存储器件，包括：可变电阻层；以及选择器件层，与所述可变电阻层电连接并且包括具有根据以下化学式3的成分的硫族化物开关材料，GeXSiYAsZ(TebSe1-b)W-----------------------------------(3)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.35≤Z≤0.45，0.7≤b＜1.0，0.3≤W≤0.4并且X+Y+Z+W＝1。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中所述硫族化物开关材料包括含量为3.5％至8％的硒(Se)和含量为24％至28％的碲(Te)。12.根据权利要求10所述的存储器件，其中所述硫族化物开关材料包括含量为6％至8...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲，安东浩，堀井秀树，朴淳五，朴正熙，李镇宇，成东俊，崔雪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR