一种石墨烯碳化组合物制造技术

本发明专利技术公开了本发明专利技术公开了一种石墨烯碳化组合物，其特征在于，包括以下重量配比：石墨烯晶粒24%‑50%，碳化硅晶片2%‑10%，碳化硅晶粒30%‑45%，碳化硼颗粒1%‑10%，氧化铝嵌入颗粒4%‑11%，所述氧化铝嵌入颗粒为片状氧化铝嵌入颗粒和棒状氧化铝嵌入颗粒，所述棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为1‑5:1，增加硅及其衍生物的强度、硬度以及导电性等性能，增加了其应用范围，利用氧化铝嵌入颗粒、碳化硅晶片和石墨烯对碳化硅进行组合增韧，所述氧化铝嵌入颗粒易于与其它物料均匀混合，能使石墨烯均匀的分布在硅及其衍生物中，使石墨烯的性能能够良好的应用出来，并达到改变硅及其衍生物性质的目的。

A kind of graphene carbonization composition

The present invention discloses the invention discloses a graphene carbide composition, characterized in that, including the following: graphene grain weight ratio of 24% 50%, 2% silicon carbide wafer 10%, silicon carbide grain 30% 45%, 1% 10% boron carbide particles, alumina particles embedded in 4% 11%, the alumina particles flake alumina particles and embedded rod shaped alumina particles, the alumina particles and rod embedded flaky alumina grain ratio is 1 5:1, increase the strength, hardness and conductivity properties of silicon and its derivatives, increase its application range, the combination of toughening of silicon carbide by using alumina particles, silicon carbide wafer and graphene. The alumina particle is easily mixed with other materials, Shi Moxi can be evenly distributed in the silicon and its derivatives, the graphene of It can be applied well and can achieve the purpose of changing the properties of silicon and its derivatives.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯碳化组合物
本专利技术涉及石墨烯
，具体为一种石墨烯碳化组合物。
技术介绍
碳化硅(SiC)由于硬度高且耐热性和耐磨性优异而被用作研磨剂，此外，由于刚性高且导热率高，因此在能量领域和航空宇宙领域中，作为代替金属等的材料，例如轴承和机械密封、半导体制造装置用部件来使用。碳化硅进一步具有作为半导体的性质，其单晶被用于功率器件等，是受人关注的材料。石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。石墨烯具有较好的导电性和导热性，具有很强的任性和强度，在生产和应用中有很大的前景，石墨烯最大的特性是其中电子的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。由于石墨烯的优越性，其性能远远超过硅及其衍生物，石墨烯目前最有潜力的应用是成为硅的替代品，在硅以为硅的衍生物中加入石墨烯在一定程度上能够改变硅一起衍生物产品的性能，以提高硅的使用范围，增加硅及其衍生物的强度、硬度以及导电性等性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种石墨烯碳化组合物，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术公开了一种石墨烯碳化组合物，其特征在于，包括以下重量配比：石墨烯晶粒24%-50%碳化硅晶片2%-10%碳化硅晶粒30%-45%碳化硼颗粒1%-10%氧化铝嵌入颗粒4%-11%。优选的，所述氧化铝嵌入颗粒为片状氧化铝嵌入颗粒和棒状氧化铝嵌入颗粒，所述棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为1-5:1。优选的，所述石墨烯晶体有Hummers化学法制得。优选的，所述氧化铝嵌入颗粒板片介于0.4微米到0.7微米之间，所述氧化铝嵌入颗粒板片宽度与厚度之比介于4到11。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该石墨烯碳化组合物，增加硅及其衍生物的强度、硬度以及导电性等性能，增加了其应用范围，利用氧化铝嵌入颗粒、碳化硅晶片和石墨烯对碳化硅进行组合增韧，所述氧化铝嵌入颗粒易于与其它物料均匀混合，能使石墨烯均匀的分布在硅及其衍生物中，使石墨烯的性能能够良好的应用出来，并达到改变硅及其衍生物性质的目的。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种技术方案：本专利技术公开了一种石墨烯碳化组合物，其特征在于，包括以下重量配比：石墨烯晶粒24%-50%碳化硅晶片2%-10%碳化硅晶粒30%-45%碳化硼颗粒1%-10%氧化铝嵌入颗粒4%-11%。优选的，所述氧化铝嵌入颗粒为片状氧化铝嵌入颗粒和棒状氧化铝嵌入颗粒，所述棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为1-5:1。优选的，所述石墨烯晶体有Hummers化学法制得。优选的，所述氧化铝嵌入颗粒板片介于0.4微米到0.7微米之间，所述氧化铝嵌入颗粒板片宽度与厚度之比介于4到11。实施例一一种石墨烯碳化组合物，包括如下步骤：（1）所述氧化铝嵌入颗粒中棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为2:1；（2）将0.5%-3.0%的C-B烧结助剂，与1.0%-5.0%的聚乙烯醇（PVA），4%-11%的所述氧化铝嵌入颗粒，24%-50%的所述石墨烯晶粒，2.0%-10.0%的所述碳化硅晶片，1%-10%所述碳化硼颗粒，进行干法球磨混合，模压成型，充入稀有气体构成非氧环境，在非氧的条件下,90℃-300℃温度区间固化，然后在1600℃-2000℃温度区间烧结0.5-3.0小时，形成碳化硅陶瓷产品组合物。实施例二一种石墨烯碳化组合物，包括如下步骤：（1）所述氧化铝嵌入颗粒中棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为3:1；（2）将0.5%-3.0%的C-B烧结助剂，与1.0%-5.0%的聚乙烯醇（PVA），4%-11%的所述氧化铝嵌入颗粒，24%-50%的所述石墨烯晶粒，2.0%-10.0%的所述碳化硅晶片，1%-10%所述碳化硼颗粒，进行干法球磨混合，模压成型，充入稀有气体构成非氧环境，在非氧的条件下,90℃-300℃温度区间固化，然后在1600℃-2000℃温度区间烧结0.5-3.0小时，形成碳化硅陶瓷产品组合物。实施例三一种石墨烯碳化组合物，包括如下步骤：（1）所述氧化铝嵌入颗粒中棒状氧化铝嵌入颗粒与片状氧化铝嵌入颗粒的比为4:1；（2）将0.5%-3.0%的C-B烧结助剂，与1.0%-5.0%的聚乙烯醇（PVA），4%-11%的所述氧化铝嵌入颗粒，24%-50%的所述石墨烯晶粒，2.0%-10.0%的所述碳化硅晶片，1%-10%所述碳化硼颗粒，进行干法球磨混合，模压成型，充入稀有气体构成非氧环境，在非氧的条件下,90℃-300℃温度区间固化，然后在1600℃-2000℃温度区间烧结0.5-3.0小时，形成碳化硅陶瓷产品组合物。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术公开了一种石墨烯碳化组合物，其特征在于，包括以下重量配比：石墨烯晶粒      24%‑50%碳化硅晶片      2%‑10%碳化硅晶粒      30%‑45%碳化硼颗粒      1%‑10%氧化铝嵌入颗粒  4%‑11%。

【技术特征摘要】
1.本发明公开了一种石墨烯碳化组合物，其特征在于，包括以下重量配比：石墨烯晶粒24%-50%碳化硅晶片2%-10%碳化硅晶粒30%-45%碳化硼颗粒1%-10%氧化铝嵌入颗粒4%-11%。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯碳化组合物，其特征在于：所述氧化铝嵌入颗粒为片状氧化铝嵌入颗粒和棒状氧化铝嵌入颗粒，所述棒状...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱洋，邵蓉，
申请(专利权)人：南京旭羽睿材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32