具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法技术

根据本公开的一些示例的半导体封装可包括：具有嵌入在基板中的桥的基板、耦合至该基板的第一管芯和第二管芯、以及基板中的将桥耦合至第一管芯和第二管芯的多个导电桥互连。该多个导电桥互连可具有：直接耦合至该桥的第一桥接触层、在第一桥接触层上的第一焊料层、在第一焊料层上的第二桥接触层、在第二桥接触层上的第二焊料层、以及直接耦合至第一管芯和第二管芯中的一者的管芯接触层，其中该多个导电桥互连被嵌入在基板中。

Semiconductor packaging with high density core to pipe core and its manufacturing method

According to some examples of the present disclosure, the semiconductor package can include: a substrate with a bridge embedded in the substrate, a first core and a second core coupled to the substrate, and a plurality of conductive bridge interconnects that bridge to the first core and the second core. The bridge has a plurality of conductive interconnect can be directly coupled to the bridge, the first bridge, the first bridge in the contact layer on the contact layer of the first layer, the first solder in the solder layer on the second contact layer, in second contact layer on the second layer, and the solder directly coupled to the first die and the second die one of the core tube contact layer, wherein the plurality of conductive interconnects are embedded in the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法相关申请的交叉引用本专利申请要求于2015年5月4日提交的题为“SEMICONDUCTORPACKAGEWITHHIGHDENSITYDIETODIECONNECTIONANDMETHODOFMAKINGTHESAME(具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装及其制造方法)”的美国临时申请No.62/156,857的权益，该临时申请已被转让给本申请受让人并由此通过援引明确地整体纳入于此。公开领域本公开一般涉及具有管芯至管芯连接的半导体封装，并且尤其但不排他地涉及具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装。背景半导体封装中的高密度管芯至管芯连接难以制造为了制造具有高密度管芯至管芯连接的半导体封装，必须克服许多技术障碍以创建精细的线路/间隔(L/S)。一般而言，常规的制造技术要求生成半导体封装中的额外层或者生成中介体以制造高密度管芯至管芯连接。该额外层或中介体的使用增大了在常规半导体封装上进行制造的难度和成本，并且导致并不理想地适用于一些应用的具有大轮廓的封装。概述以下给出了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：具有第一多个通孔的基板；嵌入在所述基板中的桥；耦合至所述基板的第一管芯；耦合至所述基板且与所述第一管芯水平间隔开的第二管芯；以及至少部分地在所述基板中的多个导电桥互连，所述多个导电桥互连配置成将所述桥耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.04 US 62/156,857;2015.09.03 US 14/844,1851.一种半导体封装，包括：具有第一多个通孔的基板；嵌入在所述基板中的桥；耦合至所述基板的第一管芯；耦合至所述基板且与所述第一管芯水平间隔开的第二管芯；以及至少部分地在所述基板中的多个导电桥互连，所述多个导电桥互连配置成将所述桥耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。2.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，所述多个导电桥互连中的每一者进一步包括：直接耦合至所述桥的第一桥接触层，在所述第一桥接触层上的第一焊料层，在所述第一焊料层上的第二桥接触层，在所述第二桥接触层上的第二焊料层，以及在所述第二焊料层上且直接耦合至所述第一管芯或所述第二管芯中的一者的第一管芯接触层。3.如权利要求1所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括配置成将所述第一管芯和所述第二管芯耦合至所述第一多个通孔的多个管芯互连。4.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，所述多个管芯互连中的每一者进一步包括：直接耦合至所述第一多个通孔中的一者的第一路由层，在所述第一路由层上的第三焊料层，以及在所述第三焊料层上且直接耦合至所述第一管芯或所述第二管芯中的一者的第二管芯接触层。5.如权利要求3所述的半导体封装，其特征在于，进一步包括：所述基板的第一电介质层，所述第一电介质层配置成封装所述桥和第一路由层，并且至少部分地封装所述多个导电桥互连和所述多个管芯互连、所述第一桥接触层、所述第一焊料层、以及所述第二桥接触层；以及所述基板的在所述第一电介质层上方的第四电介质层，所述第四电介质层配置成至少部分地封装所述第一管芯、所述第二管芯、所述多个导电桥互连、以及所述多个管芯互连，所述第四电介质层包括从所述第一路由层穿过所述第四电介质层延伸至第一表面的第二焊点图案。6.如权利要求5所述的半导体封装，其特征在于，所述基板进一步包括：在所述第一电介质层下方的第二电介质层，以及在所述第二电介质层下方的第三电介质层，所述第三电介质层包括：邻近所述第二电介质层的嵌入在所述第三电介质层中的第三路由层和从第二表面穿过所述第三电介质层延伸至所述第三路由层的第一焊点图案；以及所述第二电介质层包括：邻近所述第一电介质层的嵌入在所述第二电介质层中的第二路由层和从所述第三路由层穿过所述第二电介质层延伸至所述第二路由层的第二多个通孔。7.如权利要求6所述的半导体封装，其特征在于，所述半导体封装被纳入到选自包括以下各项的组的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车辆中的车载设备，并且进一步包括所述设备。8.一种层叠封装半导体封装，包括：具有第三管芯的第一封装；以及附连至所述第一封装的第二封装，所述第二封装包括：具有第一多个通孔的基板；嵌入在所述基板中的桥；耦合至所述基板的第一管芯；耦合至所述基板且与所述第一管芯水平间隔开的第二管芯；以及至少部分地在所述基板中的多个导电桥互连，所述多个导电桥互连配置成将所述桥耦合至所述第一管芯和所述第二管芯。9.如权利要求8所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，所述多个导电桥互连中的每一者进一步包括：直接耦合至所述桥的第一桥接触层，在所述第一桥接触层上的第一焊料层，在所述第一焊料层上的第二桥接触层，在所述第二桥接触层上的第二焊料层，以及在所述第二焊料层上且直接耦合至所述第一管芯或所述第二管芯中的一者的第一管芯接触层。10.如权利要求8所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，进一步包括配置成将所述第一管芯和所述第二管芯耦合至所述第一多个通孔的多个管芯互连。11.如权利要求10所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，所述多个管芯互连中的每一者进一步包括：直接耦合至所述第一多个通孔中的一者的第一路由层，在所述第一路由层上的第三焊料层，以及在所述第三焊料层上且直接耦合至所述第一管芯或所述第二管芯中的一者的第二管芯接触层。12.如权利要求10所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，进一步包括：所述基板的第一电介质层，所述第一电介质层配置成封装所述桥和第一路由层，并且至少部分地封装所述多个导电桥互连和所述多个管芯互连、所述第一桥接触层、所述第一焊料层、以及所述第二桥接触层；以及所述基板的在所述第一电介质层上方的第四电介质层，所述第四电介质层配置成至少部分地封装所述第一管芯、所述第二管芯、所述多个导电桥互连、以及所述多个管芯互连，所述第四电介质层包括从所述第一路由层穿过所述第四电介质层延伸至第一表面的第二焊点图案。13.如权利要求12所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，所述基板进一步包括：在所述第一电介质层下方的第二电介质层，以及在所述第二电介质层下方的第三电介质层，所述第三电介质层包括：邻近所述第二电介质层的嵌入在所述第三电介质层中的第三路由层和从第二表面穿过所述第三电介质层延伸至所述第三路由层的第一焊点图案；以及所述第二电介质层包括：邻近所述第一电介质层的嵌入在所述第二电介质层中的第二路由层和从所述第三路由层穿过所述第二电介质层延伸至所述第二路由层的第二多个通孔。14.如权利要求13所述的层叠封装半导体封装，其特征在于，所述第一封装被耦合至所述第一路由层并且包括形成在将所述第一封装电耦合至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·B·蔚，D·W·金，J·S·李，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US