一种半导体功率器件用金属外壳制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型功率半导体器件，特别涉及一种半导体功率器件用金属外壳，钢壳体底部有钨铜底板，钨铜底板的一端延伸至钢壳体外，延伸出的部分上开设有通孔，在钢壳体内部，钨铜底板上设置有氧化铍片，氧化铍片上设置有钼片；钢壳体上有三个封接孔，三个封接孔内分别设置引线，引线与封接孔之间通过绝缘子相连接；引线的两端分别为内端和外端，外端位于钢壳体外部、内端位于钢壳体内部，内端为扁平结构，内端的宽度大于封接孔直径；其中一根引线的内端上还有连接孔，连接孔内固定有接线柱，接线柱与钼片连接。本实用新型专利技术增强了外壳性能，适合承载大电流、大功率、高反压的高导热半导体器件封装用。

A metal shell for a semiconductor power device

The utility model relates to a power semiconductor device, particularly relates to a metal shell of a semiconductor power device, a tungsten copper plate at the bottom of a steel shell, tungsten copper bottom end extends to the steel shell, extending part is provided with a through hole, the steel shell, tungsten copper plate with beryllium oxide film beryllium oxide, molybdenum plate is provided with a piece of steel; shell has three sealing holes, three sealing holes are respectively arranged in the lead, lead and sealing hole connected by wire insulator; two ends of inner end and the outer end and the outer end is positioned in the steel shell and the inner end is located in the outer shell of steel in the end, is a flat structure, the inner end is larger than the width of the sealing hole diameter; one lead wire on the inner end of a connecting hole, a connecting hole is fixed with the terminal, terminal connected with a molybdenum sheet. The utility model improves the performance of the shell, and is suitable for high current, high power, high reverse pressure and high heat conduction semiconductor device package.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件用金属外壳
本技术涉及一种新型功率半导体器件，特别涉及一种半导体功率器件用金属外壳。
技术介绍
在模拟电路与数字电路控制开关的技术中，通常采用金属-氧化物半导体场效应晶体管作为电讯号来控制。为了将晶体管的芯片导入到电路系统中，需要提供一种特定的封装外壳。目前功率管理集成电路器件的封装外壳主要的作用：机械支撑、密封保护、电信号连接、信号屏蔽、散热，尤其是在散热、电磁信号屏蔽两个要素上尤为重要。由于承载金属-氧化物半导体场效应晶体管的芯片尺寸小，壳体尺寸小但需内部空间大，且需要具备散热及保证内部电路产生的电磁信号不影响外部电路的作用，目前现有的技术很难做到散热性能好同时兼具屏蔽性能强的封装外壳。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提供一种功率器件用金属外壳，用于晶体管的封装。本技术为解决上述技术问题，采用如下技术方案：一种半导体功率器件用金属外壳，包括管座和引线；所述的管座包括框形的钢壳体，钢壳体底部有钨铜底板，钨铜底板的一端延伸至钢壳体外，延伸出的部分上开设有通孔，在钢壳体内部，所述的钨铜底板上设置有氧化铍片，氧化铍片上设置有钼片；钢壳体上有三个封接孔，三个封接孔内分别设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件用金属外壳，包括管座和引线；其特征在于，所述的管座包括框形的钢壳体，钢壳体底部有钨铜底板，钨铜底板的一端延伸至钢壳体外，延伸出的部分上开设有通孔，在钢壳体内部，所述的钨铜底板上设置有氧化铍片，氧化铍片上设置有钼片；钢壳体上有三个封接孔，三个封接孔内分别设置引线，引线与封接孔之间通过绝缘子相连接；所述的引线的两端分别为内端和外端，所述的外端位于钢壳体外部、内端位于钢壳体内部，所述的内端为扁平结构，内端的宽度大于封接孔直径；其中一根引线的内端上还有连接孔，连接孔内固定有接线柱，所述的接线柱与钼片连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件用金属外壳，包括管座和引线；其特征在于，所述的管座包括框形的钢壳体，钢壳体底部有钨铜底板，钨铜底板的一端延伸至钢壳体外，延伸出的部分上开设有通孔，在钢壳体内部，所述的钨铜底板上设置有氧化铍片，氧化铍片上设置有钼片；钢壳体上有三个封接孔，三个封接孔内分别设置引线，引线与封接孔之间通过绝缘子相连接；所述的引线的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟令平，何晟，
申请(专利权)人：宜兴市吉泰电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32