一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术创造提供了一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置包括主环形管及嵌套在主环形管管腔内的掺杂气环形管；主环形管及掺杂气环形管设有相互独立的进气口；主环形管上沿周向开设有若干个主出气孔，掺杂气环形管上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔，主出气孔与掺杂气出气孔交错排布。本实用新型专利技术创造所述的掺杂装置能够有效改善炉体内掺杂气体浓度的均匀性和稳定性，确保生长出的区熔硅单晶径向电阻率分布的更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置
本专利技术创造属于区熔硅单晶生产
，尤其是涉及一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置。
技术介绍
硅单晶是一种重要的半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，采用区熔法生长的硅单晶具有纯度高、缺陷少等优点，因此被应用于中高端电力电子器件中。区熔硅单晶在制备过程中，掺入一定量的电活性杂质可将高纯度多晶硅原料制成具有一定电学性质的掺杂硅单晶，气相掺杂是区熔硅单晶掺杂的重要手段之一，在国外市场，除高压、大电流的电力、电子器件使用单晶外，包括整流模块器件的分离器件均使用气相掺杂单晶，但目前，气相掺杂单晶在掺杂均匀性和一致性方面仍旧存在问题，导致区熔硅单晶径向电阻率分布不均匀。现有技术中已知的常规掺杂管道采用区熔主氩气和气掺掺杂气从不同的管道中进入炉腔，由于主氩气流量明显大于掺杂气流量，掺杂气通过弥漫的方式充满炉腔，这就导致炉体内掺杂浓度存在波动性，而主氩气由炉体一侧氩气孔吹入，会引起炉体内的强迫对流，进一步引起炉体内掺杂浓度的较大波动，造成熔体表面掺杂气体浓度不均匀，进而影响掺杂气体融入熔体的均匀性，最终导致区熔硅单晶径向电阻率分布本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：包括主环形管(1)及嵌套在所述主环形管(1)管腔内的掺杂气环形管(2)；所述主环形管(1)及所述掺杂气环形管(2)分别设有相互独立的进气口(3)；所述主环形管(1)上沿周向开设有若干个主出气孔(4)，所述掺杂气环形管(2)上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔(5)，所述主出气孔(4)与所述掺杂气出气孔(5)交错排布。

【技术特征摘要】
1.一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：包括主环形管(1)及嵌套在所述主环形管(1)管腔内的掺杂气环形管(2)；所述主环形管(1)及所述掺杂气环形管(2)分别设有相互独立的进气口(3)；所述主环形管(1)上沿周向开设有若干个主出气孔(4)，所述掺杂气环形管(2)上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔(5)，所述主出气孔(4)与所述掺杂气出气孔(5)交错排布。2.根据权利要求1所述的一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：所述主环形管(1)和所述掺杂气环形管(2)均为开环结构，开口处的一端开放作为进气口，另一端封闭。3.根据权利要求1或2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄中士，刘铮，王遵义，郝大维，刘琨，王彦君，李立伟，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12