带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块制造技术

本实用新型专利技术公开了带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块，可控硅模块包括金属底板、陶瓷覆铜板基底、芯片、铜內引线电极片，铜內引线电极片与芯片的接触面上有一个或多个镂空的长条形和圆形的筛孔,铜内引线电极片引出部分有一个或一个以上的应力缓冲弯，本实用新型专利技术铜内引线电极片与芯片阴极的直接焊接，提高芯片的快速散热能力，提高产品负载能力；铜内引线电极片与芯片的接触面上有一个或多个镂空的长条孔和圆孔，减少了铜内引线电极片与芯片之间的横向应力，在高散热基础上提高产品可靠性，同时也减少了工作流程，提高效率；铜内引线电极片引出端上有有一个或一个以上的应力吸收弯，减少产品应力，提高产品可靠性。

SCR module with a sieve - shaped low stress copper lead electrode

The utility model discloses with cribriform low SCR module should force copper wire electrode, silicon controlled module including a metal board, ceramic laminate substrate, chip, copper wire electrode, one or more hollow rectangular and circular contact surface of the copper wire mesh electrodes and chips. The copper electrode wire, a leading part of one or more of the bending stress buffer, the utility model has the advantages of copper wire electrode with the chip cathode welding directly, improve the ability of rapid cooling chip, improve product load capacity; one or more hollow strip holes and round holes in the copper contact surface wire electrode plate and the chip, reducing the transverse stress between the electrode plate and the copper wire chip, improve the reliability of products in high heat basis, but also reduce the work flow, improve the efficiency of the copper wire electric; There is one or more stress absorption bending on the end of the pole, which reduces the stress of the product and improves the reliability of the product.

【技术实现步骤摘要】
带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块
本技术涉及一种带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块。
技术介绍
目前功率型可控硅模块应用十分广泛，应用场合也十分复杂，随之技术的发展，各项性能要求也越来越高，近年来，许多应用领域要求可控硅模块其具备更高的di/dt值、更强的散热能力。目前市场上销售的可控硅模块，大部分使用在芯片上下两层焊接两片钼片方式，之后用内引线电极片引出，此种制造方式虽很好地减少了应力的影响，但是钼材质的散热能力差，限制了产品的负载功率；还有一部分市场上的模块，芯片阳极与钼片焊接，芯片阴极用铝线作为引线，但是因为芯片版面面积限制，无法键合太多的铝线，此类封装的过流能力有很大的限制，所以在功率型可控硅模块上需要一种新的封装结构可以同时满足散热和过流这两项要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块。本技术采用的技术方案是：带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块，包括金属底板、陶瓷覆铜板基底，所述陶瓷覆铜板基底焊接于金属底板上，所述陶瓷覆铜板基底上焊接有第一芯片、第二芯片、铝线、铜内引线电极片，所述第一芯片、第二芯片的阴极面上分别设置有第一铜內引线电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块，其特征在于：包括金属底板、陶瓷覆铜板基底，所述陶瓷覆铜板基底焊接于金属底板上，所述陶瓷覆铜板基底上焊接有第一芯片、第二芯片、铝线、铜内引线电极片，所述第一芯片、第二芯片的阴极面上分别设置有第一铜內引线电极片、第二铜內引线电极片，所述第一铜內引线电极片、第二铜內引线电极片的引出端焊接于陶瓷覆铜板基底上。

【技术特征摘要】
1.带筛孔状低应力铜引线电极的可控硅模块，其特征在于：包括金属底板、陶瓷覆铜板基底，所述陶瓷覆铜板基底焊接于金属底板上，所述陶瓷覆铜板基底上焊接有第一芯片、第二芯片、铝线、铜内引线电极片，所述第一芯片、第二芯片的阴极面上分别设置有第一铜內引线电极片、第二铜內引线电极片，所述第一铜內引线电极片、第二铜內引线电极片的引出端焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家健，尹佳军，朱倩，
申请(专利权)人：捷捷半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32