半导体模块、电力转换装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。

Semiconductor module and power conversion device

The purpose of the present invention is to provide a semiconductor module and an electric power conversion device that can ensure the heat dissipation of a high semiconductor chip. It comprises an insulating substrate, an insulating layer, is formed on the insulating layer on the surface of the first metal pattern, an insulating layer is formed on the lower surface of the second metal pattern on the semiconductor chip; the first metal bonding material is fixed on the first metal pattern formed by SiC; and a cooling plate, by second the metal bonding material is fixed on the second metal pattern, the semiconductor chip thickness is greater than or equal to 0.25mm and less than or equal to 0.35mm, the thickness of the insulation layer relative to the semiconductor chip thickness is greater than or equal to 2.66 times and less than or equal to 5 times.

【技术实现步骤摘要】
半导体模块、电力转换装置
本专利技术涉及用于例如大电流的通断等的半导体模块、以及使用了该半导体模块的电力转换装置。
技术介绍
在专利文献1中公开了一种绝缘基板，其具有陶瓷板以及形成于陶瓷板的上表面和下表面的电极。并且，在一个电极处利用金属接合材料固定有基座板，在另一个电极处利用金属接合材料固定有半导体元件。专利文献1：日本特开2014-130875号公报电力控制用半导体模块搭载有IGBT、MOSFET、及FWDi等半导体芯片。这样的半导体模块称作功率模块。功率模块具备：绝缘基板，其焊接于散热板；以及半导体芯片，其焊接于绝缘基板的金属图案。功率模块的应用产品即逆变器设备要求低损耗化和小型化，因此半导体模块也要求低损耗化和小型化。低损耗化是通过将所要搭载的半导体芯片变薄，或对半导体芯片的构造进行优化而实现的。小型化是通过封装构造的优化而实现的。然而，如果将半导体模块小型化，则在半导体模块内半导体芯片密集，散热面积也变小，因此可能导致散热性的恶化。为了避免该散热性的恶化，想到将绝缘基板的绝缘层变薄。最近的趋势是，如上述那样，为了半导体模块的低损耗化而将半导体芯片变薄，为了改善散热性而将绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于所述绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于所述绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于所述第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于所述第2金属图案，所述半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，所述绝缘层的厚度相对于所述半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。

【技术特征摘要】
2016.07.12 JP 2016-1377301.一种半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于所述绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于所述绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于所述第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于所述第2金属图案，所述半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，所述绝缘层的厚度相对于所述半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。2.一种半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于所述绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于所述绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于所述第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于所述第2金属图案，所述半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，所述绝缘层的厚度是大于或等于0.8mm。3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，所述绝缘层的材料是AlN、Al2O3或SiN。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其特征在于，具备：壳体，其对所述绝缘基板和所述半导体芯片进行收容，固定于所述散热板；以及控制IC，其集成有对所述半导体芯片进行驱动的驱动电路和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上晴彦，米山玲，大月高实，山下秋彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP