尺寸量测装置、研磨装置以及研磨方法制造方法及图纸

一种尺寸量测装置，配置于研磨装置，以激光干涉测定研磨中晶圆厚度，包含用于对研磨中晶圆照射激光的光源、接受被照射光源的激光的研磨中晶圆的反射光的受光件、自受光件受光的反射光计算出照射激光的研磨中晶圆的厚度的测定值的计算件，其中计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自研磨中晶圆的电阻率计算出研磨中晶圆的厚度的测定误差的值，修正测定误差而计算出研磨中晶圆厚度。由此在连续研磨中，即使有研磨基板的批次变更的情况，能防止尺寸量测精密度低下，得到高尺寸量测精密度。

Size measuring device, grinding device and grinding method

A size measurement device is arranged on the grinding device, wafer thickness determination of grinding by laser interferometer, contains light source, laser irradiation on wafer grinding is accepted by the reflected light of the light source wafer grinding laser irradiation in the light, from the light by light reflected light to calculate the measurement and calculation of parts the value of the wafer grinding laser irradiation in thickness, the calculation error determined beforehand calculated wafer resistivity and wafer thickness based on the value of the correlation, since the resistivity calculated grinding wafer grinding wafer thickness measurement error correction value, measurement error and calculate the thickness of the wafer grinding in. Thus, in continuous grinding, even if the batch change of the ground substrate is changed, the density of the size measurement precision can be prevented and the high measurement precision is obtained.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】尺寸量测装置、研磨装置以及研磨方法
本专利技术涉及尺寸量测装置、研磨装置以及研磨方法。
技术介绍
随着半导体装置的细微化与多层化的进展，DSP(DoubleSidedPolishing，双面研磨)等的研磨技术成为在半导体装置的制造步骤中不可或缺的必要的技术。在用为平坦化的DSP中所为重要的规格的其中之一是基板的完成厚度的表面内均一性(平坦度)。为了提升完成厚度的表面内均一性，正确地控制完成厚度是重要的。为此，为了将研磨中的晶圆的厚度予以精密度良好地监测，使用具有尺寸量测装置的研磨装置(例如，参考专利文献1)。近年来，对于完成厚度的基板表面内均一性(平坦度)的要求日益增高，成为被要求为尺寸量测精密度在±0.1μm程度以内，或是比这更高的精密度。为了控制完成厚度，涡电流尺寸量测装置、通过将与载体上表面的间隔予以测定的尺寸量测装置或是利用激光干涉的尺寸量测装置等被采用。然而，在通过将与载体上表面的间隔予以测定的尺寸量测装置中，无法保证必要的±0.1μm程度的尺寸量测精密度。再者，若将涡电流尺寸量测装置与激光干涉尺寸量测装置予以比较，以设置的环境的限制及测定精密度的方面来看，后者的激光干涉尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种尺寸量测装置，被配置在研磨装置，以通过激光干涉而测定该研磨装置研磨中的晶圆的厚度，该研磨装置通过将晶圆滑接于定盘上所贴附的研磨布而研磨该晶圆的表面，该尺寸量测装置包含：光源，用于对该研磨中的晶圆照射激光；受光件，接受来自被照射该光源的激光的该研磨中的晶圆的反射光；计算件，自该受光件所受光的反射光，计算出被照射该激光的该研磨中的晶圆厚度的测定值，其中该计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自该研磨中的晶圆的电阻率计算出该研磨中的晶圆的厚度的测定误差的值，修正该测定误差而计算出该研磨中的晶圆的厚度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.22 JP 2015-1248921.一种尺寸量测装置，被配置在研磨装置，以通过激光干涉而测定该研磨装置研磨中的晶圆的厚度，该研磨装置通过将晶圆滑接于定盘上所贴附的研磨布而研磨该晶圆的表面，该尺寸量测装置包含：光源，用于对该研磨中的晶圆照射激光；受光件，接受来自被照射该光源的激光的该研磨中的晶圆的反射光；计算件，自该受光件所受光的反射光，计算出被照射该激光的该研磨中的晶圆厚度的测定值，其中该计算件基于预先求得的晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自该研磨中的晶圆的电阻率计算出该研磨中的晶圆的厚度的测定误差的值，修正该测定误差而计算出该研磨中的晶圆的厚度。2.如权利要求1所述的尺寸量测装置，其中该计算件基于晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系，自该研磨中的晶圆的电阻率求得用于抵消该测定值中的测定误差的偏移值，通过对于该测定值加减该偏移值，而修正该研磨中的晶圆的厚度的测定误差。3.如权利要求1或2所述的尺寸量测装置，其中该研磨中的晶圆的电阻率由切出该研磨中的晶圆的晶棒的两端的电阻率及该晶棒的切出该研磨中的晶圆的部位所求得。4.如权利要求1至3中任一项所述的尺寸量测装置，其中该晶圆的电阻率及晶圆的厚度的测定误差的值的相关关系随着该研磨装置的不同而分别求得。5.如权利要求1至4中任一项所述的尺寸量测装置，其中该晶圆的电阻率为0.01Ω·cm以下。6.一种研磨装置，配置有如权利要求1至5中任一项所述的尺寸量测装置。7.一种研磨方法，通过在将晶圆滑接于定盘上所贴附的研磨布而研磨该晶圆的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：大叶茂，天海史郎，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP