碳化硅的等离子体切割制造技术

本申请涉及碳化硅的等离子体切割。形成半导体器件的方法包括在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底具有与所述第一侧相反的第二侧并在所述第一侧上形成接触焊盘。接触焊盘与有源区耦接。所述方法还包括在接触焊盘上形成蚀刻终止层以及从所述第二侧等离子体切割碳化硅衬底。等离子体切割蚀刻穿透碳化硅衬底并终止于蚀刻终止层。切割的碳化硅衬底通过蚀刻终止层被保持在一起。将切割的碳化硅衬底附接在载体上。通过切割蚀刻终止层将切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。

Plasma cutting of silicon carbide

This application involves plasma cutting of silicon carbide. A method of forming semiconductor devices includes forming an active region on the first side of the silicon carbide substrate, and the silicon carbide substrate has second sides opposite to the first side and forms a contact pad on the first side. The contact pad is coupled to the active area. The method also includes forming an etching termination layer on the contact plate and cutting the silicon carbide substrate from the second sides of the plasma. The plasma cutting is etched through the silicon carbide substrate and terminates at the etch termination layer. The cut silicon carbide substrate is kept together by the etching termination layer. The cut silicon carbide substrate is attached to the carrier. The cut silicon carbide substrate is separated into a silicon carbide core by cutting the etching termination layer.

【技术实现步骤摘要】
碳化硅的等离子体切割
本专利技术一般地涉及半导体加工，并且在具体实施方案中涉及碳化硅的等离子体切割(plasmadicing)。
技术介绍
半导体器件被用于许多电子应用和其他应用中。半导体器件可包括形成于半导体晶片上的集成电路。或者，半导体器件可形成为单片器件例如，分立器件。通过如下在半导体晶片上形成半导体器件：在所述半导体晶片上沉积许多类型的材料薄膜，使所述材料薄膜图案化，对所述半导体晶片的选择性区域进行掺杂等。每个半导体晶片被制造成包括多个管芯。在半导体晶片上制造半导体器件后，通过将晶片分成多个管芯来形成单独的半导体管芯。在制造结束时，通常使用锯切方法进行分割(其也被称为单切(singulation)或切割)。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施方案，形成半导体器件的方法包括在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底包括与所述第一侧相反的第二侧并且在所述第一侧上形成接触焊盘，所述接触焊盘与所述有源区耦接。所述方法还包括在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层以及从所述第二侧等离子体切割所述碳化硅衬底。等离子体切割蚀刻穿透所述碳化硅衬底并终止于蚀刻终止层。经切割的碳化硅衬底通过所述蚀刻终本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底包括与所述第一侧相反的第二侧；在所述第一侧上形成接触焊盘，所述接触焊盘耦接至所述有源区；在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层；从所述第二侧等离子体切割所述碳化硅衬底，所述等离子体切割蚀刻穿透所述碳化硅衬底并终止于所述蚀刻终止层，经切割的碳化硅衬底通过所述蚀刻终止层被保持在一起；将所述经切割的碳化硅衬底附接在载体上；以及通过使所述蚀刻终止层断开将所述经切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。

【技术特征摘要】
2016.06.14 US 15/182,3871.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在碳化硅衬底的第一侧形成有源区，所述碳化硅衬底包括与所述第一侧相反的第二侧；在所述第一侧上形成接触焊盘，所述接触焊盘耦接至所述有源区；在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层；从所述第二侧等离子体切割所述碳化硅衬底，所述等离子体切割蚀刻穿透所述碳化硅衬底并终止于所述蚀刻终止层，经切割的碳化硅衬底通过所述蚀刻终止层被保持在一起；将所述经切割的碳化硅衬底附接在载体上；以及通过使所述蚀刻终止层断开将所述经切割的碳化硅衬底分离成碳化硅管芯。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体切割包括相对于所述蚀刻终止层选择性地蚀刻所述碳化硅衬底的蚀刻化学物质。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述等离子体切割期间，当露出于所述等离子体切割的等离子体时，所述碳化硅衬底的蚀刻速率为10μm/分钟至30μm/分钟。4.根据权利要求3所述的方法，其中当露出于所述等离子体切割的等离子体时，所述蚀刻终止层的蚀刻速率为0.01μm/分钟至0.1μm/分钟。5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述蚀刻终止层断开包括通过机械力分离。6.根据权利要求1所述的方法，其中使所述蚀刻终止层断开包括锯切所述蚀刻终止层或非接触切割所述蚀刻终止层。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述等离子体切割之后在所述蚀刻终止层中形成开口，所述开口使所述接触焊盘露出。8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层包括在所述碳化硅衬底上涂覆液体层，将所述液体层固化，以及将固化的液体层抛光以形成平坦表面。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述接触焊盘上形成蚀刻终止层包括对所述蚀刻终止层进行模板印刷，所述接触焊盘在所述模板印刷之后保持打开。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述载体包括具有带的框架。11.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述等离子体切割之前在所述蚀刻终止层中形成开口；在所述等离子体切割期间用保护材料保护所述接触焊盘；以及在所述等离子体切割之后除去所述保护材料。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述开口包括以同时形成所述开口的方式沉积所述蚀刻终止层。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳化硅衬底包括在所述第一侧的第一主表面和在所述第二侧的第二主表面，其中所述碳化硅衬底是单晶材料，以及其中所述第一主表面是(100)晶面表面。14.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述等离子体切割...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·勒斯纳，曼弗雷德·恩格尔哈特，古德龙·施特兰茨尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE