The invention relates to a method for surface oxidation of SiC plate layer thickening, the specific technical scheme: in the glass substrate under normal production conditions, to forming the furnace pass into the softened water to generate steam medium, forming furnace of SiC on both sides of the inner free silicon and oxygen in the air, full of water vapor in forming furnace atmosphere, fast temperature chemical reaction: Si+O2, SiO2, SiO2 in the dense protective film formed on the surface of silicon carbide plate, achieve rapid thickening of oxide layer on the surface of the SiC board. SiO2 dense protective film, on the one hand improves the performance of silicon carbide materials, prolong the actual life of it, on the other hand to solve the SiC material foaming phenomenon under high temperature, resulting in glass substrate surface contamination problems, effectively ensure the quality requirements of glass products.
【技术实现步骤摘要】
一种SiC板表面氧化层快速增厚的方法
本专利技术属于液晶基板玻璃制造领域,具体涉及一种SiC板表面氧化层快速增厚的方法。
技术介绍
在液晶基板玻璃的生产制造过程中,为保证成型区尤其是成型区上部各加热器对玻璃板加热的均温性,在各加热器与玻璃板之间安装有碳化硅板,成型区各加热器作为发热源产生的热量,经过碳化硅板的均温效果,间接传递到玻璃板上,有效保证了玻璃产品的品质要求。在现有技术中,在成型炉设备组装前,对碳化硅板材料进行表面氧化处理,形成一定的SiO2保护膜,但在马弗炉、成型炉设备组装、吊装完成,设备由室温逐步升温至1100℃左右的过程中,碳化硅板表面氧化层会受到较大破坏:由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大,而碳化硅基材的热膨胀系数变化不大,这样SiO2保护膜与基材间热应力变化较大,保护膜易破裂。碳化硅的惰性氧化会产生气体产物,这将产生发泡现象,使SiO2膜的氧化保护作用减小。SiC的氧化产物为玻璃态SiO2膜,随着氧化温度的升高,约800℃~1140℃,玻璃态SiO2膜发生晶化,相变将产生体积变化,这使得SiO2保护膜结构变得疏松,进而和SiC基体结合不牢,氧化保护作用骤减。另外,在一定条件下,SiO2膜还无法形成,这都将导致碳化硅材料的使用性能降低,影响它的实际使用寿命,而且碳化硅板的发泡现象还会导致玻璃板表面污染,造成玻璃板不良损失,极大地影响了产品品质和生产良率。
技术实现思路
本专利技术的技术方案,在于提供一种SiC板表面氧化层快速增厚的方法,在基板玻璃正常生产条件下,向成型炉内通入软化水产生水蒸汽介质,无污染,不残留,具有安全环保的特点,不 ...
【技术保护点】
一种SiC板表面氧化层快速增厚的方法,其特征在于,在基板玻璃正常生产温度下,通过软化水管向成型炉内滴水,在炉内产生水蒸汽气氛,加速SiC板表面SiO2氧化层形成和增厚。
【技术特征摘要】
1.一种SiC板表面氧化层快速增厚的方法,其特征在于,在基板玻璃正常生产温度下,通过软化水管向成型炉内滴水,在炉内产生水蒸汽气氛,加速SiC板表面SiO2氧化层形成和增厚。2.根据权利要求1所述的SiC板表面氧化层快速增厚的方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:何志锋,刘琎,李文军,
申请(专利权)人:彩虹合肥液晶玻璃有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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