一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管，其特征在于：在N型圆硅芯片的上表面制作一个二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上制作多个圆形光刻窗口，通过多个圆形光刻窗口扩散出多个P型区，形成多个PN结，在多个圆形光刻窗口处压上一个圆台形正电极，在N型圆硅芯片下部压上一个圆柱形负电极，在圆台形正电极和圆柱形负电极之间封装一个绝缘外壳，即构成了避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管。解决了一般的瞬态电压抑制二极管击穿电流较小，不能满足电力线路避雷器大通流容量需求的问题。具有击穿电流较大，适合制作电力线路避雷器等优点。

A special multi PN junction transient voltage suppression diode for lightning arrester

The utility model provides a lightning arrester for PN junction transient voltage suppression diode, which is characterized in that the N circular silicon chip on the surface of a silicon dioxide insulating layer, the insulating silica making multiple circular lithography window layer, through multiple circular window lithography multiple P type diffusion region, the formation of multi a PN junction, in a circular window lithography pressure on a cone in the lower part of the positive electrode, N circular silicon chip pressed on a cylindrical negative electrode, an insulating shell is sealed between the positive electrode and the negative cone cylindrical electrode, constitute the arrester special PN junction transient voltage suppression diode. The general transient voltage suppression diode has a small breakdown current, which can not meet the demand for the capacity of the power line arrester. It has the advantages of large breakdown current and suitable for making electric power line lightning arresters.

【技术实现步骤摘要】
一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管
本技术涉及一种二极管，具体的说是一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管。
技术介绍
目前，市面上现有的瞬态电压抑制二极管虽然都具有非线性电压特性，但因反向击穿电流较小，不能满足电力线路避雷器大通流容量的需求，因而只适用于瞬态电压抑制和部分电路的过压保护，不能用于电力线路的过压保护和防雷避雷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管，可以解决一般的瞬态电压抑制二极管反向击穿电流较小的问题，具有反向击穿电流较大，适合制作电力线路避雷器等优点。本技术包括N型圆硅芯片、二氧化硅绝缘层、圆形光刻窗口、P型区、PN结、圆台形正电极、圆柱形负电极和绝缘外壳，所采用的技术方案是：在N型圆硅芯片的上表面制作一个二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上制作多个圆形光刻窗口，通过多个圆形光刻窗口扩散出多个P型区，形成多个PN结，在多个圆形光刻窗口处压上一个圆台形正电极，在N型圆硅芯片下部压上一个圆柱形负电极，在圆台形正电极和圆柱形负电极之间封装一个绝缘外壳，即构成了避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管。本技术的有益效果在于：通过上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管，包括N型圆硅芯片（1）、二氧化硅绝缘层（2）、圆形光刻窗口（3）、P型区（4）、PN结（5）、圆台形正电极（6）、圆柱形负电极（7）和绝缘外壳（8），其特征在于：在N型圆硅芯片（1）的上表面制作一个二氧化硅绝缘层（2），在二氧化硅绝缘层（2）上制作多个圆形光刻窗口（3），通过多个圆形光刻窗口（3）扩散出多个P型区（4），形成多个PN结（5），在多个圆形光刻窗口（3）处压上一个圆台形正电极（6），在N型圆硅芯片（1）下部压上一个圆柱形负电极（7），在圆台形正电极（6）和圆柱形负电极（7）之间封装一个绝缘外壳（8），即构成了避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二...

【技术特征摘要】
1.一种避雷器专用多PN结瞬态电压抑制二极管，包括N型圆硅芯片（1）、二氧化硅绝缘层（2）、圆形光刻窗口（3）、P型区（4）、PN结（5）、圆台形正电极（6）、圆柱形负电极（7）和绝缘外壳（8），其特征在于：在N型圆硅芯片（1）的上表面制作一个二氧化硅绝缘层（2），在二氧化硅绝缘层（2）上制作多个圆形光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文联，李杨，
申请(专利权)人：湖北文理学院，
类型：新型
国别省市：湖北,42