半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸
Manufacturing methods of semiconductor devices and semiconductor devices
Even if the region of the cathode is defective, it does not make the middle area contact with the cathode electrode. To provide a semiconductor device having a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is formed in the field region, as first impurity of the first conductivity type into the presence of the back side cutoff region and injected the middle area, and a second impurity of the second conductivity type first conductivity type on the back side of the middle region of the cathode region, in the on the back of the semiconductor substrate, the concentration of the first impurity impurity is higher than second.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，已知有在FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)等半导体装置中，为了抑制流通有微小电流的情况下的电流、电压振荡，而以与n型阴极区域接触的方式形成p型中间区域的结构(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2009/267200号说明书
技术实现思路
技术问题但是，由于在制造工艺中产生的颗粒等的影响，若阴极区域部分地缺损，则导致p型的中间区域与阴极电极接触。技术方案本专利技术的第1形态的半导体装置具备半导体基板。半导体基板可以具有注入有第1导电型的第1杂质的场截止区域。半导体基板可以具有形成在场截止区域的背面侧且注入有第2导电型的第2杂质的中间区域。半导体基板可以具有形成在中间区域的背面侧的第1导电型的阴极区域。在半导体基板的背面，第1杂质的浓度可以高于第2杂质的浓度。在半导体基板的背面，第1杂质的浓度可以是第2杂质的浓度的5倍以上。阴极区域被注入有第3杂质，在半导体基板的背面，第1杂质的浓度可以是第3杂质的1/1000以下...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有：场截止区域，注入有第1导电型的第1杂质；中间区域，形成在所述场截止区域的背面侧并且注入有第2导电型的第2杂质；以及第1导电型的阴极区域，形成在所述中间区域的背面侧，在所述半导体基板的背面，所述第1杂质的浓度比所述第2杂质的浓度高。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.16 JP 2015-2242691.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有：场截止区域，注入有第1导电型的第1杂质；中间区域，形成在所述场截止区域的背面侧并且注入有第2导电型的第2杂质；以及第1导电型的阴极区域，形成在所述中间区域的背面侧，在所述半导体基板的背面，所述第1杂质的浓度比所述第2杂质的浓度高。2.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的背面，所述第1杂质的浓度为所述第2杂质的浓度的5倍以上。3.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，所述阴极区域被注入有第3杂质，在所述半导体基板的背面，所述第1杂质的浓度为所述第3杂质的1/1000以下。4.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，所述第1杂质的浓度比所述第2杂质的浓度高的背面区域从所述半导体基板的背面起沿深度方向形成，所述背面区域的所述深度方向上的长度为空穴不隧穿的长度。5.根据权利要求4记载的半导体装置，其特征在于，所述背面区域的所述深度方向上的长度比所述半导体基板的背面...
【专利技术属性】
技术研发人员：胁本博树，小野泽勇一，田村隆博，小川惠理，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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