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即使阴极区域缺损，也不使中间区域与阴极电极接触。提供一种半导体装置，其具备半导体基板，半导体基板具有注入有第1导电型的第1杂质的场截止区域、形成在场截止区域的背面侧且注入有第2导电型的第2杂质的中间区域、和形成在中间区域的背面侧的第1导电型...
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