非挥发性存储器及其读取数据的方法技术

一种非挥发性存储器及其读取数据的方法，所述存储器包括：存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与第二存储单元对应相连的偶数位线。本发明专利技术所述的奇数位线和偶数位线的结构和形成工艺相同，因此，奇数位线和偶数位线的寄生电容值和漏电流相近，读取数据时，可以避免因奇数位线和偶数位线的漏电流或寄生电容值差异过大引起的数据误差，可以提高读取数据的精确度。

Non volatile memory and its method of reading data

A method of non volatile memory and read data, the memory includes a memory array includes a storage unit, a plurality of array arranged the storage unit of the odd column locates in the first storage unit, storage unit in even columns of second storage unit; a plurality of bit lines, including the odd bit lines connected with the first storage the corresponding unit, and is connected with the second storage unit corresponding to the even bit lines. The structure of the odd bit lines and even bit lines and the formation process, therefore, the parasitic capacitance of odd bit lines and even bit lines close to the value of the leakage current and, when reading data, can avoid Yunci digital line and even bitline leakage current or parasitic capacitance difference caused by big data error can improve the accuracy of the data read.

【技术实现步骤摘要】
非挥发性存储器及其读取数据的方法
本专利技术涉及通信领域，尤其涉及一种非挥发性存储器及其读取数据的方法。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为挥发性存储器和非挥发性存储器(NonVolatileMemory，NVM)，挥发性存储器在电源中断时易丢失数据，而非挥发性存储器即使在电源中断时仍可保存数据。与其他的挥发性存储技术(例如，磁盘驱动器)相比，非挥发性存储器相对较小，因此，非挥发性存储器越来越广泛地应用于移动通信系统、计算机或存储卡等领域。非挥发性存储器具有可多次数据的存入、读取和擦除的功能。所述非挥发性存储器通常包括：若干个呈矩阵排列的存储单元、多根呈横向排列的字线(WordLine，WL)以及多根呈纵向排列的位线(BitLine，BL)。其中，在进行读取操作时，通常向位线加载位线电压，且所述位线电压与存储单元中存储的存储信息相对应；并采用比较电路，所述比较电路一端接收存储单元的输出电压，另一端接收来自偏置电压源的偏置电压；所述比较电路将所述存储单元的输出电压与参考电压进行比较，从而判断对应的存储单元的信息为逻辑“1”还是为逻辑“0”。但是，所述非挥发性存储器读取数据的精确度有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种非挥发性存储器及其读取数据的方法，提高非挥发性存储器读取数据的精确度。为解决上述问题，本专利技术提供一种非挥发性存储器，包括：存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与所述第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与所述第二存储单元对应相连的偶数位线；多个第一选择电路，与所述奇数位线对应相连，控制相应奇数位线上的第一存储单元输出第一输出电压；多个第二选择电路，与所述偶数位线对应相连，控制相应偶数位线上的第二存储单元输出第二输出电压；比较电路，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端与第一选择电路相连，所述第二输入端与第二选择电路相连；偏置驱动电路，用于产生偏置电压，还用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载所述偏置电压，以使比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息；还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。可选的，所述存储阵列的列数为256至4096。可选的，所述存储阵列的行数为256至2048。可选的，所述偏置驱动电路包括：偏置电压源，用于产生偏置电压；与所述比较电路的第一输入端和第二输入端相连的使能单元，所述使能单元用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载偏置电压，以使所述比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息，还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使所述比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。可选的，所述使能单元包括控制单元，与所述控制单元、所述偏置电压源和比较电路相连的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；所述控制单元用于控制所述第一MOS晶体管开启时，所述第二MOS晶体管关闭，使所述第一MOS晶体管控制第一输入端加载偏置电压；所述控制单元还用于控制所述第一MOS晶体管关闭时，所述第二MOS晶体管开启，使所述第二MOS晶体管控制第二输入端加载偏置电压。可选的，所述第一MOS晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二MOS晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第一栅极和第二栅极均与所述控制单元相连接；所述第一源极和第二源极与所述偏置电压源相连接；所述第一漏极与所述第一输入端相连接；所述第二漏极与所述第二输入端相连接。可选的，所述第一MOS晶体管为NMOS晶体管，所述第二MOS晶体管为PMOS晶体管；或者，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管，所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管。可选的，所述比较电路为灵敏放大器。可选的，所述非挥发性存储器包括多个沿行方向排布的单元存储区，每个单元存储区包括相同列的存储单元，以及相同数量的位线。可选的，所述第一存储单元包括第一选择栅极，位于同一行的第一存储单元的第一选择栅极相连接；所述第二存储单元包括第二选择栅极，位于同一行的第二存储单元的第二选择栅极相连接。可选的，所述非挥发性存储器还包括：交替排布的第一选择栅极线和第二选择栅极线，所述第一选择栅极线与位于同一行的第一存储单元的第一选择栅极相连，所述第二选择栅极线与位于同一行的第二存储单元的第二选择栅极相连。相应的，本专利技术还提供一种非挥发性存储器读取数据的方法，包括：提供前述非挥发性存储器；所述偏置驱动电路控制比较电路的第一输入端加载第一输出电压，控制比较电路的第二输入端加载偏置电压；比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息；所述偏置驱动电路控制比较电路的第一输入端加载偏置电压，控制比较电路的第二输入端加载第二输出电压；比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。可选的，所述第一输出电压值为0V至1.6V，所述第二输出电压值为0V至1.6V；所述偏置电压值为0.7V至0.8V。可选的，控制比较电路的第一输入端加载第一输出电压的步骤包括：控制奇数位线加载位线电压，控制偶数位线不加载位线电压，使与所述奇数位线对应相连的第一存储单元导通，并使与所述偶数位线对应相连的第二存储单元关断；从同一列的第一存储单元中选取任一第一存储单元并向比较电路的第一输入端加载相应的第一输出电压；比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息的步骤包括：当所述第一输出电压值大于所述偏置电压值时，输出所述非挥发性存储器的信息为逻辑“1”；当所述第一输出电压值小于所述偏置电压值时，输出所述非挥发性存储器的信息为逻辑“0”。可选的，控制比较电路的第一输入端加载偏置电压的步骤包括：控制奇数位线不加载位线电压，控制偶数位线加载位线电压，使与所述奇数位线对应相连的第一存储单元关断，并使与所述偶数位线对应相连的第二存储单元导通；从同一列的第二存储单元中选取任一第二存储单元并向比较电路的第二输入端加载相应的第二输出电压；比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息的步骤包括：当所述第二输出电压值大于所述偏置电压值时，输出所述非挥发性存储器的信息为逻辑“1”；当所述第二输出电压值小于所述偏置电压值时，输出所述非挥发性存储器的信息为逻辑“0”。可选的，所述偏置驱动电路包括：偏置电压源，用于产生偏置电压；与所述比较电路的第一输入端和第二输入端相连的使能单元，所述使能单元用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载偏置电压，还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压；所述使能单元包括控制单元、与所述控制单元、所述偏置电压源和比较电路相连的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；读取所述第二存储单元的信息的步骤中，所述控制单元控制所述第一MOS晶体管开启，且控制所述第二MOS晶体管关闭，所述第一MOS晶体管控制第一输入端加载偏置电压；读取所述第一存储单元的信息的步骤中，所述控制单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与所述第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与所述第二存储单元对应相连的偶数位线；多个第一选择电路，与所述奇数位线对应相连，控制相应奇数位线上的第一存储单元输出第一输出电压；多个第二选择电路，与所述偶数位线对应相连，控制相应偶数位线上的第二存储单元输出第二输出电压；比较电路，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端与第一选择电路相连，所述第二输入端与第二选择电路相连；偏置驱动电路，用于产生偏置电压，还用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载所述偏置电压，以使比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息；还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器，其特征在于，包括：存储阵列，包括多个矩阵排列的存储单元，其中，位于奇数列的存储单元为第一存储单元，位于偶数列的存储单元为第二存储单元；多根位线，包括与所述第一存储单元对应相连的奇数位线，以及与所述第二存储单元对应相连的偶数位线；多个第一选择电路，与所述奇数位线对应相连，控制相应奇数位线上的第一存储单元输出第一输出电压；多个第二选择电路，与所述偶数位线对应相连，控制相应偶数位线上的第二存储单元输出第二输出电压；比较电路，包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端与第一选择电路相连，所述第二输入端与第二选择电路相连；偏置驱动电路，用于产生偏置电压，还用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载所述偏置电压，以使比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息；还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述存储阵列的列数为256至4096。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述存储阵列的行数为256至2048。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述偏置驱动电路包括：偏置电压源，用于产生偏置电压；与所述比较电路的第一输入端和第二输入端相连的使能单元，所述使能单元用于控制第一输入端加载第一输出电压时控制第二输入端加载偏置电压，以使所述比较电路根据第一输出电压和偏置电压的相对大小读取第一存储单元的信息，还用于控制第二输入端加载第二输出电压时控制第一输入端加载偏置电压，以使所述比较电路根据第二输出电压和偏置电压的相对大小读取第二存储单元的信息。5.如权利要求4所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述使能单元包括控制单元，与所述控制单元、所述偏置电压源和比较电路相连的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；所述控制单元用于控制所述第一MOS晶体管开启时，所述第二MOS晶体管关闭，使所述第一MOS晶体管控制第一输入端加载偏置电压；所述控制单元还用于控制所述第一MOS晶体管关闭时，所述第二MOS晶体管开启，使所述第二MOS晶体管控制第二输入端加载偏置电压。6.如权利要求5所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一MOS晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二MOS晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第一栅极和第二栅极均与所述控制单元相连接；所述第一源极和第二源极与所述偏置电压源相连接；所述第一漏极与所述第一输入端相连接；所述第二漏极与所述第二输入端相连接。7.如权利要求5所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一MOS晶体管为NMOS晶体管，所述第二MOS晶体管为PMOS晶体管；或者，所述第一MOS晶体管为PMOS晶体管，所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管。8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述比较电路为灵敏放大器。9.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述非挥发性存储器包括多个沿行方向排布的单元存储区，每个单元存储区包括相同列的存储单元，以及相同数量的位线。10.如权利要求9所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述第一存储单元包括第一选择栅极，位于同一行的第一存储单元的第一选择栅极相连接；所述第二存储单元包括第二选择栅极，位于同一行的第二存储单元的第二选择栅极相连接。11.如权利要求10所述的非挥发性存储器，其特征在于，所述非挥发性存储器还包括：交替排布的第一选择栅极线和第二选择栅极线，所述第一选择栅极线与位于同一行的第一存储单元的第一选择栅极相连，所述第二选择栅极线与位于同一行的第二存储单元的第二选择栅极相连。12.一种非挥发性存储器读取数据的方法，其特征在于，包括：提供如权利要求1至11中任一项权利要求所述的非挥发性存储器；所述偏置驱动电路控制比较电路的第一输...

【专利技术属性】
技术研发人员：權彞振，倪昊，许家铭，刘晓艳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31