高线性度高速信号缓冲电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高线性度高速信号缓冲电路，包括输入端、第一场效应管、第二场效应管、与第一场效应管相连的第一电流源、与第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与第三场效应管相连的第四场效应管、与第二电流源和第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，第一场效应管与第一电流源形成主要缓冲器，第二电流源、第二场效应管、第三场效应管及第四场效应管形成电流补偿子电路，第一电容与第二电容的电容值相等，第一电容为补偿电容，第二电容为负载电容，第二场效应管和第四场效应管采集负载电容的电流的变化，通过第三场效应管补偿到主要缓冲器，来保证流过第一场效应管的电流不变。本实用新型专利技术实现了高线性度。

High linearity high speed signal buffer circuit

The utility model discloses a high linearity signal buffer circuit includes an input terminal, a first field effect transistor, FET, and the first second FET connected to the first current source and second FET connected second current source and third FET, and third FET connected to fourth field effect transistor, and a second current source and second FET connected to the first capacitor, the second capacitor and the output end of the first FET and a first current source to form the main buffer, second current source and second FET, third field-effect transistor and four FET formed current compensation sub circuit, a first capacitor and capacitor the second capacitance values are equal to the first capacitor compensation capacitor, the second capacitor load capacitance, current load capacitance change collection second FET and fourth FET, through The third - field effect tube compensates to the main buffer to ensure that the current flows through the first effect tube. The high linearity is realized by the utility model.

【技术实现步骤摘要】
高线性度高速信号缓冲电路
本技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种高线性度高速信号缓冲电路。
技术介绍
在集成电路的设计中，高速ADC的设计具有相当大的挑战，且高速ADC中模拟前端的信号缓冲器的性能直接决定ADC的性能。现有的缓冲器根据结构可分为两类：闭环缓冲器与开环缓冲器。其中，闭环缓冲器一般用于带宽低于500kHz的应用中，利用负反馈来获得较高的线性度，但是在保证环路稳定的情况的下环路的带宽很难做高，虽然通过增加功耗可以增加带宽，但是随着功耗的增加获得的带宽越来越有限，所以在信号带宽比较宽的应用中很少出现闭环的缓冲器；开环缓冲器一般用于带宽几兆赫兹到几百兆赫兹的应用中，开环缓冲器获得高线性度比较困难。因此，有必要提供一种高线性度高速信号缓冲电路。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于高线性度高速信号缓冲电路，用于高带宽缓冲的集成电路中，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而偶的高线性度。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高线性度高速信号缓冲电路，包括输入端、与所述输入端相连的第一场效应管、与所述输入端相连的第二场效应管、与所述第一场效应管相连的第一电流源、与所述第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管、与所述第二电流源和所述第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，所述第一场效应管与所述第一电流源形成主要缓冲器，所述第二电流源、所述第二场效应管、所述第三场效应管及所述第四场效应管形成电流补偿子电路，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等，所述第一电容为补偿电容，所述第二电容为负载电容，所述第二场效应管和所述第四场效应管采集所述负载电容的电流的变化，再通过所述第三场效应管补偿到所述主要缓冲器，来保证流过所述第一场效应管的电流不变。所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极共同连接所述输入端，所述第一场效应管的源极与所述第一电流源的一端、所述第三场效应管的漏极、所述第二电容的一端及所述输出端相连。所述第二场效应管的源极与所述第二电流源的一端及所述第一电容的一端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极及漏极相连。所述第一电流源的另一端与所述第二电流源的另一端共同连接电源端；所述第一场效应管的漏极、所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的源级、所述第一电容的另一端与所述第二电容的另一端共同连接地端。所述第一场效应管与所述第二场效应管为P型场效应管，所述第三场效应管与所述第四场效应管为N型场效应管。本技术的有益效果是：电路结构简单，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而实现高线性度高速信号缓冲电路。附图说明图1为本技术高线性度高速信号缓冲电路的电路图。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本技术的技术方案，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，本技术高线性度高速信号缓冲电路包括输入端VIN、与输入端VIN相连的第一场效应管M1、与输入端VIN相连的第二场效应管M2、与第一场效应管M1相连的第一电流源I1、与第二场效应管M2相连的第二电流源I2、第三场效应管M3、与第三场效应管M3相连的第四场效应管M4、与第二电流源I2和第二场效应管M2相连的第一电容C1、第二电容C2及输出端VOUT；其中，第一场效应管M1与第一电流源I1形成本技术高线性度高速信号缓冲电路的主要缓冲器，第二电流源I2、第二场效应管M2、第三场效应管M3及第四场效应管M4形成电流补偿子电路，第一电容C1为补偿电容，第二电容C2为负载电容，第一电容C1与第二电容C2的电容值相等。在技术中，第一电流源I1的电流为2I，第二电流源I2的电流为I，只要流过第一场效应管M1的电流保持不变，就可以获得高的线性度，通过第二场效应管M2和第四场效应管M4采集负载电容的电流的变化，再通过第三场效应管M3补偿到主要缓冲器，从而保证流过第一场效应管M1的电流不变。本技术高线性度高速信号缓冲电路的具体电路连接关系如下：第一场效应管M1的栅极与第二场效应管M2的栅极共同连接输入端VIN，第一场效应管M1的源极与第一电流源I1的一端、第三场效应管M3的漏极、第二电容C2的一端及输出端VOUT相连；第二场效应管M2的源极与第二电流源I2的一端及第一电容C1的一端相连，第二场效应管M2的漏极与第三场效应管M3的栅极、第四场效应管M4的栅极及漏极相连；第一电流源I1的另一端与第二电流源I2的另一端共同连接电源端AVDD；第一场效应管M1的漏极、第三场效应管M3的源极、第四场效应管M4的源级、第一电容C1的另一端与第二电容C2的另一端共同连接地端AGND。其中，在本实施例中，第一场效应管M1与第二场效应管M2为P型场效应管，第三场效应管M3与第四场效应管M4为N型场效应管，在其他实施例中，上述场效应管可以为其他结构可以实现相同功能的元器件，并不限于此。在本技术高线性度高速信号缓冲电路中，为了实现高线性度，只要保证流过第一场效应管M1的电流保持不变，就可以获得高的线性度；此时，需要通过第二场效应管M2和第四场效应管M4采集流过第一电容C1与第二电容C2的电流的变化，再通过第三场效应管M3补偿到第一场效应管M1与第一电流源I1，从而保证流过第一场效应管M1的电流不变，实现本技术高线性度高速信号缓冲电路的高线性度。本技术高线性度高速信号缓冲电路用于高带宽缓冲的集成电路中，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而获得高线性度，实现高线性度高速信号缓冲电路。综上所述，本技术高线性度高速信号缓冲电路结构简单，通过改进电路结构，进行电流补偿，从而实现高线性度高速信号缓冲电路。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高线性度高速信号缓冲电路，其特征在于：所述高线性度高速信号缓冲电路包括输入端、与所述输入端相连的第一场效应管、与所述输入端相连的第二场效应管、与所述第一场效应管相连的第一电流源、与所述第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管、与所述第二电流源和所述第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，所述第一场效应管与所述第一电流源形成主要缓冲器，所述第二电流源、所述第二场效应管、所述第三场效应管及所述第四场效应管形成电流补偿子电路，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等，所述第一电容为补偿电容，所述第二电容为负载电容，所述第二场效应管和所述第四场效应管采集所述负载电容的电流的变化，再通过所述第三场效应管补偿到所述主要缓冲器，来保证流过所述第一场效应管的电流不变。

【技术特征摘要】
1.一种高线性度高速信号缓冲电路，其特征在于：所述高线性度高速信号缓冲电路包括输入端、与所述输入端相连的第一场效应管、与所述输入端相连的第二场效应管、与所述第一场效应管相连的第一电流源、与所述第二场效应管相连的第二电流源、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管、与所述第二电流源和所述第二场效应管相连的第一电容、第二电容及输出端，所述第一场效应管与所述第一电流源形成主要缓冲器，所述第二电流源、所述第二场效应管、所述第三场效应管及所述第四场效应管形成电流补偿子电路，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等，所述第一电容为补偿电容，所述第二电容为负载电容，所述第二场效应管和所述第四场效应管采集所述负载电容的电流的变化，再通过所述第三场效应管补偿到所述主要缓冲器，来保证流过所述第一场效应管的电流不变。2.根据权利要求1所述的高线性度高速信号缓冲电路，其特征在于：所述第一场效...

【专利技术属性】
技术研发人员：何天长，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51