The embodiment of the utility model provides a floating gate memory, the floating gate memory includes: a substrate; a plurality of grooves are formed on the substrate; forming the groove isolation insulating layer, wherein the substrate surface is higher than the height of the isolation on the surface of the insulating layer to form a convex substrate the formation of oxide layer; wear above the substrate convex tunnel, the tunneling oxide layer extends above the insulation layer in the isolation; forming a floating gate oxide layer in above the tunnel, the floating gate covering the tunneling oxide layer; formed over the floating gate layer the insulating layer, the interlayer insulating layer extends to the tunneling oxide layer above the insulating cover; the control gate layer on the interlayer. The floating gate memory provided by the embodiment of the utility model makes the groove graphics of the floating gate memory into a three-dimensional convex structure, which reduces the size of the floating gate memory while not reducing the length of the channel, and cleverly avoids the short channel effect.
【技术实现步骤摘要】
一种浮栅存储器
本技术涉及半导体制造
,尤其设计一种浮栅存储器。
技术介绍
浮栅存储器由于高集成度、低功耗、高可靠性和高性价比等优点,在非易失性存储器市场中占据了主要的份额。但随着微电子技术的发展,浮栅存储器也面临了一系列的挑战,如更低的功耗,更快的速度,更高的集成度等。对于传统浮栅存储器而言,浮栅存储器的沟道为二维结构,在减小浮栅存储器的尺寸的同时,会造成沟道尺寸的减小。当沟道尺寸减小到一定尺寸时,浮栅存储器面临诸多问题,例如电荷保持机制不确定,导致对浮栅存储器的读、写和擦除操作结果与实际浮栅存储器的状态不符合等等。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供了一种浮栅存储器,将浮栅存储器的沟道图形制作成三维凸起结构,减小了浮栅存储器的尺寸的同时,没有减小沟道长度,巧妙地避免了短沟道效应。本技术实施例提供了一种浮栅存储器,包括:衬底;形成在所述衬底上的多个凹槽;形成所述凹槽内的隔离绝缘层,所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面,以形成衬底凸起;形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层,所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方;形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅,所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层;形成在所述浮栅上方的层间绝缘层,所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方;覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。可选地,所述层间绝缘层包括依次层叠的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层;所述第一层间绝缘层的材料为氧化硅;所述第二层间绝缘层的材料为氮化硅;所述第三层间绝缘层的材料为氧化硅。可选地,所述衬底凸起的上表面为平面或曲面可选地,所述衬底凸起的纵截面为正方形。可选地,所 ...
【技术保护点】
一种浮栅存储器,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底上的多个凹槽;形成所述凹槽内的隔离绝缘层,所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面,以形成衬底凸起;形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层,所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方;形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅,所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层;形成在所述浮栅上方的层间绝缘层,所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方;覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。
【技术特征摘要】
1.一种浮栅存储器,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底上的多个凹槽;形成所述凹槽内的隔离绝缘层,所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面,以形成衬底凸起;形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层,所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方;形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅,所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层;形成在所述浮栅上方的层间绝缘层,所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方;覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。2.根据权利要求1所述的浮栅存储器,其特征在于,所述层间绝缘层包括依次层叠的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员:许毅胜,熊涛,刘钊,舒清明,
申请(专利权)人:上海格易电子有限公司,北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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