一种紫外探测器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外探测器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成氧化锌层；对所述氧化锌层的表面进行氟修饰处理，使得所述氧化锌层具有含氟的官能团；在所述氧化锌层的表面形成预设图形结构的电极，所述电极表面具有In粒；其中，所述官能团用于增加对氧气的吸附量以及吸附速率。本发明专利技术技术方案可以同时优化紫外探测器的响应度、暗电流以及响应时间这三个特性。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外探测器及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，更具体的说，涉及一种紫外探测器及其制作方法。
技术介绍
紫外探测技术可用于军事通信、导弹尾焰探测、火灾预警、环境监测、生物效应等方面，无论在军事上还是在民用上都有广泛的应用。目前，己投入商用的紫外探测器主要有硅探测器、光电倍增管和半导体探测器。硅基紫外光电管需要附带滤光片，光电倍增管则需要在高电压下工作，而且体积笨重、效率低、易损坏且成本较高，对于实际应用有一定的局限性。相对硅探测器和光电倍增管来说，由于半导体材料具有携带方便、造价低、响应度高等优点而备受关注。目前研究较多的半导体材料主要有III-V族的合金AlGaN和II-VI族的合金MgZnO。目前报道的GaN通过掺入铝可以把能带调宽到日盲区，并制作成MSM(金属-半导体-金属)和p-n等结构的探测器。但是AlGaN的生长温度高，而且高铝组份的合金结晶质量差。ZnO作为另外一种宽禁带半导体，具有强的抗辐射能力、高的电子饱和漂移速度、匹配的单晶衬底、容易合成、无毒无害、资源丰富和环境友好等优势，是制备宽禁带紫外探测器的候选材料之一。对于紫外探测器而言最重要的三个参数就是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成氧化锌层；对所述氧化锌层的表面进行氟修饰处理，使得所述氧化锌层具有含氟的官能团；在所述氧化锌层的表面形成预设图形结构的电极，所述电极表面具有In粒；其中，所述官能团用于增加对氧气的吸附量以及吸附速率。

【技术特征摘要】
1.一种紫外探测器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底表面形成氧化锌层；对所述氧化锌层的表面进行氟修饰处理，使得所述氧化锌层具有含氟的官能团；在所述氧化锌层的表面形成预设图形结构的电极，所述电极表面具有In粒；其中，所述官能团用于增加对氧气的吸附量以及吸附速率。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成氧化锌层包括：通过分子束外延工艺、或金属有机化合物化学气相沉积工艺、或磁控溅射工艺形成所述氧化锌层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述氧化锌层进行氟修饰处理包括：将所述氧化锌层浸没在含氟的溶液中预设时间，以形成所述官能团；通过去离子水清洗后，进行干燥处理。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述预设时间为0.01s-24h；所述溶液中氟的浓度为1*10-6mol/L-10mol/L，包括端点值。5.根据权利要求3所述的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈星，刘可为，李炳辉，张振中，申德振，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22