一种甘菊环衍生物制造技术

本发明专利技术提供了一种甘菊环衍生物，其具有下式（Ⅰ）所示的结构：

【技术实现步骤摘要】
一种甘菊环衍生物
本专利技术涉及有机电致发光化合物，尤其涉及一种甘菊环衍生物。
技术介绍
有机发光二极体（OrganicLight-EmittingDiodes，下文简称“OLED”）由于具有自发光的特性，相比于液晶显示技术，具有高对比度、宽视角、响应快、功耗低、色彩再现性好以及可实现柔性器件的巨大优势，在显示和照明领域都得到了广泛的商业化应用。随着有机电致发光材料的发展，现有技术中已知的芳基胺衍生物往往作为空穴传输和注入材料。如WO2016017594和WO2016013184，就公开了所述常用的芳基胺衍生物，现有技术中的空穴传输材料的工作电压常常随着空穴传输层（HTL）的厚度的增加而升高。我们希望利用HTL作为器件的共振腔光学调节层，因此具有较大的厚度，若采用现有技术中的空穴传输材料，则会导致非常高的工作电压和不良的性能数据。因此，需要一种具有高空穴迁移率的新型HTL材料，使得其工作电压仅略微增加的情况下也能够采用较厚的空穴传输层。如WO06/100896和WO06/122630披露了另一种常见的基于茚并芴的HTL材料。此类材料在加工性上存在如下缺点：在气相沉积和涂敷过程中，会发生过早的沉积，因此使工业生产过程复杂。此外，现有技术中的空穴传输层或空穴注入层材料往往存在着以下缺陷：空穴迁移率低，玻璃化转变温度低，在较厚的厚度条件下，在空穴传输层上的电压降较大等等。因此，研发出具有较高的空穴迁移率、较高的玻璃化转变温度、且在较厚的厚度条件下在空穴传输层上的电压降仍然保持较小的空穴传输层或空穴注入层材料，对于促进有机电致发光显示和照明技术的发展具有重大的意义。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的种种缺陷与不足，本专利技术旨在提供一种甘菊环衍生物，作为有机电致发光化合物，将其用于OLED器件中时，能够表现出较高的热稳定性和较高的玻璃化转变温度，而且在不分解的情况下容易升华。因此，本专利技术的第一方面，提供了一种甘菊环衍生物，所述甘菊环衍生物具有下式（Ⅰ）所示的结构：其中，L1、L2、L3和L4各自独立地为缺失的或存在的；存在时，L1、L2、L3和L4各自独立地选自：有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，R1~R8各自独立地选自：H、卤素、氰基、C1~C20的链烷基、C1~C20的卤代链烷基、C3~C20的环烷基、C3~C20的卤代环烷基、C1~C20的烷氧基、C1~C20的硅烷基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳氧基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，p、q、m和n均独立地为0或1。优选地，上述甘菊环衍生物中，p、q、m和n中至少1个不为0。进一步优选地，上述甘菊环衍生物中，m=n，p=q。更进一步优选地，上述甘菊环衍生物中，L1、L2、L3和L4各自独立地为缺失的或存在的；存在时，L1、L2、L3和L4各自独立地选自以下任一种基团：。最优选地，上述甘菊环衍生物中，L1、L2、L3和L4均为：。更进一步优选地，上述甘菊环衍生物中，R1~R8各自独立地选自以下任一种基团：。更进一步优选地，所述甘菊环衍生物选自以下任一种：。本专利技术的第二方面，提供了一种OLED空穴传输层，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。本专利技术的第三方面，提供了一种OLED空穴注入层，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。本专利技术的第四方面，提供了一种OLED器件，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。由此可见，采用本专利技术所述的甘菊环衍生物制备的OLED器件，与现有技术中的有机电致发光材料制得的OLED器件相比，具有较高的器件效率、较低的开启电压和更长的使用寿命，尤其是用作空穴传输材料时，表现出较高的空穴迁移率和较高的玻璃化转变温度，并且在较厚的厚度条件下，于空穴传输层上仍然保持较小的电压降。因此，本专利技术所提供的甘菊环衍生物具有广泛的应用价值和出色的市场潜力。具体实施方式本专利技术的第一方面，提供了一种甘菊环衍生物，所述甘菊环衍生物具有下式（Ⅰ）所示的结构：其中，L1、L2、L3和L4各自独立地为缺失的或存在的；存在时，L1、L2、L3和L4各自独立地选自：有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，R1~R8各自独立地选自：H、卤素、氰基、C1~C20的链烷基、C1~C20的卤代链烷基、C3~C20的环烷基、C3~C20的卤代环烷基、C1~C20的烷氧基、C1~C20的硅烷基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳氧基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，p、q、m和n均独立地为0或1。在一个优选实施例中，上述甘菊环衍生物中的p、q、m和n中至少1个不为0。在一个进一步优选的实施例中，上述甘菊环衍生物中的m=n，p=q。在一个更进一步优选的实施例中，上述甘菊环衍生物中的L1、L2、L3和L4各自独立地为缺失的或存在的；存在时，L1、L2、L3和L4各自独立地选自以下任一种基团：。在一个最优选的实施例中，上述甘菊环衍生物中的L1、L2、L3和L4均为：。在一个更进一步优选的实施例中，上述甘菊环衍生物中的R1~R8各自独立地选自以下任一种基团：。在一个更进一步优选的实施例中，所述甘菊环衍生物选自以下任一种：。本专利技术的第二方面，提供了一种OLED空穴传输层，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。本专利技术的第三方面，提供了一种OLED空穴注入层，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。本专利技术的第四方面，提供了一种OLED器件，其含有本专利技术第一方面提供的所述甘菊环衍生物。下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步阐述，但本专利技术并不限于以下实施例。所述方法如无特殊说明均为常规方法；所述原料如无特殊说明均能从公开商业途径获得。实施例1化合物1的制备将中间体1（5.7g，20.0mmol）和中间体2（13.0g，45mmol），以及10ml的2M碳酸钠水溶液和10ml的四氢呋喃加入到盛有200ml甲苯的圆底烧瓶中，用氩气排气30分钟后，快速加入催化剂四（三苯基膦）钯（140mg，1.2mmol），在搅拌条件下，升温至90℃，反应12小时，冷却至室温；再加入乙酸乙酯和去离子水，萃取、合并有机相，并用无水硫酸镁干燥，减压、浓缩，最后用硅胶柱层析，淋洗液为石油醚:二氯甲烷=3:1，得到纯的化合物1（10.9g，17.8mmol），收率为89%。化合物1（C46H34N2）的高分辨质谱(FAB)(m/z):[M]+检测值为614.2722，理论值为614.2732。实施例2化合物3的制备步骤一：合成中间体6将中间体4（8.5g，50mmol）和中间体5（12.4g，50mmol）溶解于200ml的甲苯中，搅拌条件下，排气30分钟后，再快速加入叔丁醇钠（480mg，5mmol）、3-叔丁基膦（1.1g，5mmol）和双(二亚芐基丙酮)钯（864mg，1.5mmol），加热至100℃，过夜反应，冷却至室温，加入水和二氯甲烷搅拌，萃取、合并有机相，并用无水硫酸钠干燥，减压浓缩，最后用硅胶柱层析，淋洗液为石油醚，得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种甘菊环衍生物，其特征在于，所述甘菊环衍生物具有下式（Ⅰ）所示的结构：

【技术特征摘要】
1.一种甘菊环衍生物，其特征在于，所述甘菊环衍生物具有下式（Ⅰ）所示的结构：其中，L1、L2、L3和L4各自独立地为缺失的或存在的；存在时，L1、L2、L3和L4各自独立地选自：有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，R1~R8各自独立地选自：H、卤素、氰基、C1~C20的链烷基、C1~C20的卤代链烷基、C3~C20的环烷基、C3~C20的卤代环烷基、C1~C20的烷氧基、C1~C20的硅烷基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳氧基、有取代或无取代的成环碳数为6~30的芳烃基和有取代或无取代的成环碳数为6~30的杂环芳烃基；其中，p、q、m和n均独立地为0或1。2.根据权利要求1所述的甘菊环衍生物，其特征在于，p、q、m和n中至少1个不为0。3.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王历平，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31