阵列基板及其制作方法与液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法与液晶显示装置。该阵列基板将次像素区域中的第三薄膜晶体管的源极与数据线上方设置的遮光电极连接，从而通过所述遮光电极将用于拉低次像素电极电压的第三薄膜晶体管的源极接入公共电压，本发明专利技术能够降低透明导电材料在过孔中断裂的风险，消除显示不均的不良。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法与液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法与液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示装置的核心组成部分。液晶面板通常是由一彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成。一般阵列基板、彩色滤光片基板上分别设置像素电极、公共电极。当电压被施加到像素电极与公共电极便会在液晶层中产生电场，该电场决定了液晶分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使液晶面板显示图像。作为平板显示器中的佼佼者，液晶显示装置由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐的占据了显示领域的主导地位。在液晶显示装置中，基于液晶的运作模式，液晶面板的显示模式主要分为相变型(phasechange，PC)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括基板(700)，所述基板(700)上设有栅线(110)、数据线(470)，所述栅线(110)与数据线(470)交叉构成多个像素区域(800)，每个所述像素区域(800)包括主像素区域(810)和次像素区域(820)，所述主像素区域(810)包括第一薄膜晶体管(T1)，所述次像素区域(820)包括第二薄膜晶体管(T2)和第三薄膜晶体管(T3)；所述数据线(470)上方设置有遮光电极(610)；其中：所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极与所述栅线(110)连接，源极与所述数据线(470)连接，漏极与所述主像素区域(810)的主像素电极(620)连接；所述第二薄膜晶体管(T...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板(700)，所述基板(700)上设有栅线(110)、数据线(470)，所述栅线(110)与数据线(470)交叉构成多个像素区域(800)，每个所述像素区域(800)包括主像素区域(810)和次像素区域(820)，所述主像素区域(810)包括第一薄膜晶体管(T1)，所述次像素区域(820)包括第二薄膜晶体管(T2)和第三薄膜晶体管(T3)；所述数据线(470)上方设置有遮光电极(610)；其中：所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极与所述栅线(110)连接，源极与所述数据线(470)连接，漏极与所述主像素区域(810)的主像素电极(620)连接；所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极与所述栅线(110)连接，源极与所述数据线(470)连接，漏极与所述次像素区域(820)的次像素电极(630)连接；所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极与所述栅线(110)连接，源极与所述遮光电极(610)连接，漏极与所述次像素区域(820)的次像素电极(630)连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三薄膜晶体管(T3)的源极与所述遮光电极(610)之间设有第二绝缘层(500)，所述第二绝缘层(500)设有第一过孔(510)，所述遮光电极(610)通过所述第一过孔(510)与所述第三薄膜晶体管(T3)的源极连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极(610)位于数据线(470)上方且将数据线(470)遮住。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极(610)上的电压与彩色滤光片基板上的公共电极的电压相同。5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于基板(700)上的第一金属层(100)、覆盖第一金属层(100)的第一绝缘层(200)、设于第一绝缘层(200)上的有源层(300)、设于第一绝缘层(200)及有源层(300)上的第二金属层(400)；所述第二绝缘层(500)覆盖有源层(300)及第二金属层(400)；所述主像素电极(620)、次像素电极(630)均设于第二绝缘层(500)上；所述栅线(110)位于第一金属层(100)，所述栅线(110)上对应主像素区域(810)设有第一栅极区域(111)，对应次像素区域(820)设有间隔的第二栅极区域(112)及第三栅极区域(113)；所述有源层(300)包括：分别对应位于第一栅极区域(111)、第二栅极区域(112)、及第三栅极区域(113)上方的第一半导体图案(310)、第二半导体图案(320)、及第三半导体图案(330)；所述数据线(470)位于第二金属层(400)，所述第二金属层(400)还包括第一漏极(410)、与第一漏极(410)间隔的第一源极(420)、与第一源极(420)连接的第二源极(430)、与第二源极(430)间隔的第二漏极(440)、与第二漏极(440)连接的第三漏极(450)、与第三漏极(450)间隔的第三源极(460)，所述数据线(470)连接第一源极(420)及第二源极(430)，所述第一源极(420)、第一漏极(410)分别与第一半导体图案(310)相连，所述第二源极(430)、第二漏极(440)分别与第二半导体图案(320)相连，所述第三源极(460)、第三漏极(450)分别与第三半导体图案(330)相连；第一栅极区(111)、第一半导体图案(310)、第一源极(420)、第一漏极(410)构成第一薄膜晶体管(T1)；第二栅极区(112)、第二半导体图案(320)、第二源极(430)、第二漏极(440)构成第二薄膜晶体管(T2)；第三栅极区(113)、第三半导体图案(330)、第三漏极(450)、第三源极(460)构成第三薄膜晶体管(T3)。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44