氮化硅晶须的制备方法技术

本发明专利技术提出了一种氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：1)在‑50℃～50℃条件下，将有机溶剂与液氨依次混合，形成有机溶剂在下液氨在上的两相溶液；2)将二氯硅烷注入有机溶剂层，搅拌将二氯硅烷扩散至有机溶剂‑液氨界面，进行氨解，过滤得到氨解前驱物；3)在惰性气体、氨气或者两者的混合气体中，将氨解前驱物进行热解，热解温度为1300～1500℃，即可获得氮化硅晶须；其中，所述有机溶剂为能够溶解二氯硅烷的有机溶剂。该制备方法获得的氮化硅晶须具有晶须纯度高、形貌一致性好、产品质量稳定等优点。

【技术实现步骤摘要】
氮化硅晶须的制备方法
本专利技术属于氮化硅制备
，具体涉及一种氮化硅晶须的制备方法。
技术介绍
晶须是在人工控制条件下合成的一种高强度胡须状的单晶体，其晶体结构比较完整，内部缺陷少，其强度和模量均接近理想晶体。因此，晶须长作为增强组元加入到金属基、陶瓷基和高分子基中起增强、增韧作用。氮化硅晶须具有耐高温、高强度、高模量、低膨胀和良好的化学稳定性，是金属、陶瓷、高分子材料的重要增强组元。现有的氮化硅晶须制备方法主要包括固相法和气相法两大类。典型的固相法主要是氮化法、自蔓延法、碳热还原法，这类方法制备的氮化硅晶须产率低，晶须中伴有大量的氮化硅颗粒。典型的气相法主要是化学气相沉积法、卤化硅气相氨解法，这类制备方法涉及复杂的传递和反应过程，设备复杂、工艺稳定性差，难以量产。
技术实现思路
本专利技术提出一种氮化硅晶须的制备方法，该制备方法获得的氮化硅晶须具有晶须纯度高、形貌一致性好、产品质量稳定等优点。本专利技术的技术方案是这样实现的：一种氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：1)在-50℃～50℃条件下，将有机溶剂与液氨依次混合，形成有机溶剂在下液氨在上的两相溶液；2)将二氯硅烷注入有机溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化硅晶须的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在‑50℃～50℃条件下，将有机溶剂与液氨依次混合，形成有机溶剂在下液氨在上的两相溶液；2)将二氯硅烷注入有机溶剂层，搅拌将二氯硅烷扩散至有机溶剂‑液氨界面，进行氨解，过滤得到氨解前驱物；3)在惰性气体、氨气或者两者的混合气体中，将氨解前驱物进行热解，热解温度为1300～1500℃，即可获得氮化硅晶须；其中，所述有机溶剂为能够溶解二氯硅烷的有机溶剂。

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅晶须的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在-50℃～50℃条件下，将有机溶剂与液氨依次混合，形成有机溶剂在下液氨在上的两相溶液；2)将二氯硅烷注入有机溶剂层，搅拌将二氯硅烷扩散至有机溶剂-液氨界面，进行氨解，过滤得到氨解前驱物；3)在惰性气体、氨气或者两者的混合气体中，将氨解前驱物进行热解，热解温度为1300～1500℃，即可获得氮化硅晶须；其中，所述有机溶剂为能够溶解二氯硅烷的有机溶剂。2.根据权利要求1所述的氮化硅晶须的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲苯、正己烷或者二氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩召，刘在翔，
申请(专利权)人：青岛桥海陶瓷新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37