用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于纳米银导电膜的蚀刻液，包括：蚀刻剂1‑30份、溶剂70‑90份、添加剂0‑10份，所述蚀刻剂为常温下对银不具备直接氧化性且能与银离子络合的蚀刻剂；因此蚀刻液只是将蚀刻区的导电网络切断，并非大面积蚀刻掉，降低蚀刻痕的同时使得刻蚀区域的纳米银导电膜的导电作用消失，蚀刻区与非蚀刻区的形貌差异较小，从而光学特性基本一致。

【技术实现步骤摘要】
用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法
本专利技术涉及透明导电膜的制备方法，尤其涉及用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法。
技术介绍
纳米银透明导电膜具有柔性特征，因此在柔性显示、触控传感器、太阳能电池、可穿戴设备等领域具有广泛的应用。在上述应用中，需要对纳米银导电膜进行图案化处理,常用的工艺包括：激光蚀刻、丝网印刷蚀刻膏等。上述激光蚀刻工艺是常用工艺，印刷银浆后通过激光镭射机制备功能图案；但激光蚀刻设备价格昂贵，效率低，作业受限于激光机尺寸问题，且仅能制备单面导电膜的图案化。上述丝网印刷工艺包括蚀刻膏体印刷、烘烤、冲洗等工序；在印刷蚀刻膏体以后需较长时间的烘烤触发才能制备功能图案，此工艺烘烤条件与外观效果的可调节窗口小，效率仅高于激光蚀刻。这两种工艺只能单张片材进行作业，不能像黄光工艺实现卷对卷作业。因此，迫切需要开发一种效率较高的蚀刻工艺。有鉴于此，有必要提供一种基于纳米银导电膜的蚀刻液及其图案化制备方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于纳米银导电膜的蚀刻液及图案化纳米银导电膜的制备方法。为实现上述专利技术目的，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于纳米银导电膜的蚀刻液，其特征在于：包括：蚀刻剂1‑30份、溶剂70‑90份、添加剂0‑10份，所述蚀刻剂为常温下对银不具备直接氧化性且能与银离子络合的蚀刻剂。

【技术特征摘要】
1.一种用于纳米银导电膜的蚀刻液，其特征在于：包括：蚀刻剂1-30份、溶剂70-90份、添加剂0-10份，所述蚀刻剂为常温下对银不具备直接氧化性且能与银离子络合的蚀刻剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述蚀刻剂为硫氰酸及其盐、硫氰酸酯、异硫氰酸及其盐、异硫氰酸酯、长链多元醇、硫化物、多元胺中的至少一种。3.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述溶剂为乙二醇、去离子水、甲醇、乙醇中的至少一种。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述添加剂为表面活性剂、pH调节剂、消泡剂中的至少一种。5.根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于：所述表面活性剂为二辛基琥珀酸磺酸钠、十八烷基硫酸钠、十二烷基硫酸钠、硬脂酸中的至少一种。6.一种图案化的纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在纳米银导电膜上制备图案化的保护层；将具有保护层的纳米银导电膜浸泡在权利要求1~5任意一项所述的蚀刻液中，常温下静置10s~1000s；从蚀刻液中取出纳米银导电膜，置于UV设备中触发蚀刻液，对未受保护层保护的区域进行蚀刻；蚀刻完成后清洗掉残留的蚀刻液及保...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，孟祥浩，顾杨，潘克菲，姜锴，
申请(专利权)人：苏州诺菲纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32