The present invention provides an etching cream formulation of conductive nano silver film by weight, comprising the following components: SiO2 matrix: 3 30; 10: 0.1 etching agent; water absorbent agent: 1 20 copies of 15 copies: 5; polyethylene glycol; propylene glycol: 10 20 oxalic acid: 1; 10; 0.1: Fluorine compound 7; protective agent: 0.1 5; surfactant: 0.001 2. The etching paste provided by the invention does not contain strong acid and strong alkali, and has little environmental pollution; moreover, the addition of fluorine compound can quickly penetrate the etching paste into the material to be etched, and the etching rate is improved.
【技术实现步骤摘要】
一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方
本专利技术涉及蚀刻膏
，尤其涉及一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方。
技术介绍
目前，银纳米线因为其独特的光、电物理性能，而被用在各种传感器上，比如被广泛应用于许多测量仪器和湿度控制系统的湿度传感器。且银纳米线具有优异的导电性能、较强的吸附能力、良好的生物相容性等其他材料无法比拟的特殊性质，而被用来制备透明导电薄膜，替代传统的氧化铟锡(ITO)透明电极材料。传统的黄光蚀刻工艺流程为：前清洗、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、脱光刻胶、后清洗、烘干。但是在蚀刻过程中，用到的蚀刻膏多含有强酸和强碱，产生强烈的刺激性气味，腐蚀性强，污染环境，危害操作人员的健康；而且现有的蚀刻膏蚀刻的速率比较慢，蚀刻处理的效率比较低。
技术实现思路
本专利技术正是针对以上技术问题，提供一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，按重量由下述组分组成：所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸的混合物、过氧化物与络合剂的混合物、硫单质、有机多硫化物中的一种或多种的组合。所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵或二苯胺磺酸钠。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的蚀刻膏中不含有强酸和强碱，环境污染小；而且氟化合物的加入能够使蚀刻膏快速渗透到需要蚀刻的材料中，提高了蚀刻速率。具体实施方式下面...
【技术保护点】
一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，其特征在于，按重量由下列组分组成：
【技术特征摘要】
1.一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，其特征在于，按重量由下列组分组成：2.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，其特征在于，所述吸水剂为活性炭、分子筛、氧化钙、铁粉、硅胶中的一种或多种的组合。3.根据权利要求1所述的一种纳米银导电膜的蚀刻膏配方，其特征在于，所述蚀刻剂为次氯酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、重铬酸盐、二价铜盐、三价铁盐、过氧化物、过氧化物与酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：司荣美，潘中海，刘彩风，
申请(专利权)人：天津宝兴威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。