铟氧化膜及钼膜用蚀刻组合物制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物和有机酸，且相对于组合物的总重量以0.1～5.0重量％的量包含上述有机酸。本发明专利技术的蚀刻组合物对于用作液晶显示装置用阵列基板的像素电极的铟氧化膜及钼膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且能够在蚀刻多层膜时抑制上部尖端产生，从而能够提高液晶显示装置的驱动特性。

Etching composition for indium oxide film and molybdenum film

The invention provides an etching composition as multilayer film of indium oxide film, molybdenum film, or indium oxide film and the molybdenum film by etching composition, including nitric acid, cyclic amine compounds, compounds containing fluorine and organic acids, and relative to the total weight of the composition from 0.1 to 5 wt% of the amount of the organic acid. The invention of the etching composition for liquid crystal display device using the etching performance of the pixel electrode array substrate of indium oxide film and molybdenum film is excellent, can be to minimize injury to the lower part of the metal, and can inhibit the upper tip in multilayer film etching, thereby improving Gao Yejing display drive device characteristics.

【技术实现步骤摘要】
铟氧化膜及钼膜用蚀刻组合物
本专利技术涉及一种铟氧化膜及钼膜用蚀刻组合物，更详细而言，涉及一种对于铟氧化膜及钼系金属膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且在蚀刻多层膜时能够抑制上部尖端产生的蚀刻组合物。
技术介绍
一般而言，显示面板作为用于驱动像素的开关元件，包括形成有薄膜晶体管的显示基板。上述显示基板包括多种金属图案，上述金属图案主要通过光刻(photolithography)方式来形成。上述光刻方式是如下工序：通过在形成于基板上的作为蚀刻对象的金属膜上形成光致抗蚀剂膜，将上述光致抗蚀剂膜曝光及显影而形成光致抗蚀剂图案后，将上述光致抗蚀剂图案用作防蚀刻膜，利用蚀刻液对上述金属膜进行蚀刻，从而将上述金属膜图案化。液晶显示装置用阵列基板的像素(pixel)电极中使用由具有透明的光学特性且导电率高的物质构成的透明导电膜，上述透明导电膜主要使用铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等铟氧化膜。作为上述铟氧化膜的蚀刻溶液，一直使用盐酸和硝酸的混合水溶液(王水，HCl+CH3COOH+HNO3)、氯化铁(III)的水溶液(FeCl3/HCl)、草酸水溶液等湿式蚀刻液(参照韩国公开专利第10-2010-0053175号)。其中，盐酸系蚀刻液虽然价格低廉，但会因图案的侧面蚀刻更快而导致轮廓(profile)不良，且可能对下部金属造成化学侵蚀(attack)。此外，草酸水溶液容易使铟氧化膜的图案周围产生残渣，且低温下草酸的溶解度低，可能会产生析出物而诱发蚀刻设备的故障。此外，像素电极中，除了铟氧化膜以外，也可使用钼系金属膜与铟氧化膜的多层膜。但是，在使用这样的多层膜的情况下，存在蚀刻时产生上部尖端(tip)的问题。因此，一直要求开发在用于形成像素电极的蚀刻工序中能够对铟氧化膜和钼系金属膜进行有效蚀刻，能够将下部金属的化学侵蚀最小化且蚀刻多层膜时抑制上部尖端产生的蚀刻组合物。
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术是用于解决如上问题的专利技术，本专利技术的一个目的在于，提供一种蚀刻组合物，其对于铟氧化膜及钼系金属膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且在蚀刻多层膜时能够抑制上部尖端产生。本专利技术的另一目的在于，提供利用上述蚀刻组合物形成的像素电极。本专利技术的又另一目的在于，提供包含上述像素电极的液晶显示装置用阵列基板。解决课题的方法一方面，本专利技术提供一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物和有机酸，且相对于组合物的总重量，以0.1～5.0重量％的量包含上述有机酸。本专利技术的一实施方式中，上述有机酸可为酒石酸。本专利技术的一实施方式中，上述铟氧化膜可由铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)或它们的混合物形成，上述钼膜可由钼、或钼与选自由钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)和钕(Nd)组成的组中的一种以上金属的合金形成。本专利技术的一实施方式中，相对于组合物总重量，上述蚀刻组合物可包含硝酸3～30重量％、环状胺化合物0.1～10重量％、含氟化合物0.01～5.0重量％和有机酸0.1～5.0重量％，且包含余量的水以使组合物的总重量为100重量％。另一方面，本专利技术提供利用上述蚀刻组合物形成的像素电极。又另一方面，本专利技术提供包含上述像素电极的液晶显示装置用阵列基板。专利技术效果本专利技术的蚀刻组合物对于用作液晶显示装置用阵列基板的像素电极的铟氧化膜及钼膜的蚀刻性能优异，能够将对于下部金属的损伤最小化，且在蚀刻多层膜时能够抑制上部尖端产生，因而能够提高液晶显示装置的驱动特性。具体实施方式以下，更详细说明本专利技术。本专利技术的一实施方式涉及一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸(A)、环状胺化合物(B)、含氟化合物(C)和有机酸(D)，且相对于组合物的总重量，以0.1～5.0重量％的量包含上述有机酸。本专利技术的一实施方式中，上述铟氧化膜的膜的构成成分中包含铟氧化物，上述铟氧化物可为铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)或它们的混合物。上述钼膜不仅包括钼金属膜，而且包括选自由钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)和钕(Nd)组成的组中的一种以上金属与钼的合金膜。尤其本专利技术的蚀刻液组合物可应用于在铟氧化膜上层叠有钼膜的多层膜。上述铟氧化膜的厚度可为的范围，上述钼膜的厚度可为的范围。以下，对本专利技术的一实施方式的蚀刻组合物的构成成分更详细地说明。硝酸(A)本专利技术的一实施方式中，上述硝酸(A)是对于铟氧化膜及钼膜表现优异的蚀刻性能的主氧化剂，由于对于这些膜的蚀刻速度快，因此能够确保制造像素电极时所要求的大的侧蚀，比如0.3μm以上的侧蚀。相对于组合物总重量，可包含上述硝酸3～30重量％，优选包含5～20重量％。在上述硝酸的含量低于3重量％的情况下，膜的蚀刻速度可能变慢，在超过30重量％的情况下，可能引发对于下部及相邻金属的化学侵蚀(attack)，且会因蚀刻速度过快而难以控制工序。环状胺化合物(B)本专利技术的一实施方式中，上述环状胺化合物(B)发挥使对于与像素电极接触的铜配线的化学侵蚀最小化的作用。作为上述环状胺化合物，可使用选自由三唑(triazole)、苯并三唑(benzotriazole)、四唑(tetrazole)、咪唑(imidazole)、吲哚(indole)、嘌呤(purine)、吡唑(pyrazole)、吡啶(pyridine)、嘧啶(pyrimidine)、吡咯(pyrrole)、吡咯烷(pyrrolidine)和吡咯啉(pyrroline)组成的组中的一种以上，具体可使用苯并三唑。相对于组合物总重量，可包含上述环状胺化合物0.1～10重量％，优选包含0.5～2.0重量％。在上述环状胺化合物的含量低于0.1重量％的情况下可能发生对于铜配线的侵蚀，在超过10重量％的情况下，虽然对于铜配线的侵蚀防止效果优异，但铟氧化膜及钼膜的蚀刻速度可能降低。含氟化合物(C)本专利技术的一实施方式中，上述含氟化合物(C)是在水中解离而产生氟离子的化合物，在蚀刻铟氧化膜及钼膜时发挥去除残渣的作用。上述含氟化合物只要能够在溶液中产生氟离子或多原子氟离子就没有特别限制。具体而言，上述含氟化合物可为选自由氟化铵(ammoniumfluoride：NH4F)、氟化钠(sodiumfluoride：NaF)、氟化钾(potassiumfluoride：KF)、氟化氢铵(ammoniumbifluoride：NH4F·HF)、氟化氢钠(sodiumbifluoride：NaF·HF)和氟化氢钾(potassiumbifluoride：KF·HF)组成的组中的一种以上，其中优选为氟化氢铵(ammoniumbifluoride：NH4F·HF)。相对于组合物总重量，可包含上述含氟化合物0.01～5.0重量％，优选包含0.05～2.0重量％。在上述含氟化合物的含量低于0.01重量％的情况下，在蚀刻铟氧化膜及钼膜时可能产生残渣，在超过5.0重量％的情况下，可能引发蚀刻至存在于下部的玻璃基板及硅层的损伤。有机酸(D)本专利技术的一实施方式中，上述有机酸在蚀刻铟氧化膜和钼膜的多层膜时能够抑制上部尖端(tip)的产生。上述有机酸(D)可为酒石酸。相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物及有机酸，相对于组合物总重量，以0.1～5.0重量％的量包含所述有机酸。

【技术特征摘要】
2016.03.25 KR 10-2016-00358771.一种蚀刻组合物，其作为铟氧化膜、钼膜、或铟氧化膜与钼膜的多层膜用蚀刻组合物，包含硝酸、环状胺化合物、含氟化合物及有机酸，相对于组合物总重量，以0.1～5.0重量％的量包含所述有机酸。2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，所述有机酸为酒石酸。3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，所述铟氧化膜由铟锌氧化物(IZO)、铟锡氧化物(ITO)或他们的混合物形成，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑敬燮，朴镛云，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR