The invention discloses a wafer cutting process, which comprises the following steps: A, the line for the silicon cutting machine in cutting process, cutting steel wire to mortar jet cutting through the nozzle; B, silicon in citric acid after cutting in degumming temperature, citric acid is 40 to 50 DEG C. The soaking time is 10 ~ 20min; C, the silicon degummed spray cleaning; D, after cleaning in wafer drying machine for drying; F, the silicon wafer is placed in an oven dried in the drying oven, the temperature is 80 to 90 DEG C, the drying time is 3 ~ 5min. The silicon chip cutting technology effectively reduces the fragment rate of silicon chip, greatly improves the rate of silicon chip out, and reduces the production cost.
【技术实现步骤摘要】
一种硅片切割工艺
本专利技术涉及光伏领域，尤其涉及一种硅片切割工艺。
技术介绍
随着光伏行业的发展，分布式光伏已经成为我国光伏并网系统的主力。目前光伏电池的主要原料为硅片。硅片在生产过程中，其切割质量直接影响到硅片的质量，现有厂家采用的硅片切割工艺，其出片率较低，碎片率较高，由此，急需解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述问题，提供一种硅片切割工艺，以解决现有厂家采用的硅片切割工艺出片率低，碎片率高的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：一种硅片切割工艺，包括以下步骤：a、采用线切割机对硅片进行切割，在切割过程中，通过喷嘴向切割钢线喷射切割砂浆，其中，线切割机的钢线直径为0.15～0.2mm，钢线的线速度为500～700m/min；b、将切割后的硅片置于柠檬酸中进行脱胶处理，柠檬酸的温度为40～50℃，浸泡时间为10～20min；c、对脱胶后的硅片进行喷淋清洗；d、将清洗后的硅片置于甩干机中甩干；f、将甩干后的硅片置于烘箱中干燥，烘箱温度为80～90℃，烘干时间为3～5min。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤c中采用去离子水对脱胶后的硅片进行喷淋清洗。作为本专利技术的一种优选方案，所述步骤a中的切割砂浆是碳化硅和聚乙二醇的混合料。本专利技术的有益效果为，所述一种硅片切割工艺有效降低了硅片碎片率，大大提高了硅片出片率，无形中降低了生产成本。具体实施方式下面通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。实施例1于本实施例中，一种硅片切割工艺，包括以下步骤...
【技术保护点】
一种硅片切割工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、采用线切割机对硅片进行切割，在切割过程中，通过喷嘴向切割钢线喷射切割砂浆，其中，线切割机的钢线直径为0.15～0.2mm，钢线的线速度为500～700m/min；b、将切割后的硅片置于柠檬酸中进行脱胶处理，柠檬酸的温度为40～50℃，浸泡时间为10～20min；c、对脱胶后的硅片进行喷淋清洗；d、将清洗后的硅片置于甩干机中甩干；f、将甩干后的硅片置于烘箱中干燥，烘箱温度为80～90℃，烘干时间为3～5min。
【技术特征摘要】
1.一种硅片切割工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、采用线切割机对硅片进行切割，在切割过程中，通过喷嘴向切割钢线喷射切割砂浆，其中，线切割机的钢线直径为0.15～0.2mm，钢线的线速度为500～700m/min；b、将切割后的硅片置于柠檬酸中进行脱胶处理，柠檬酸的温度为40～50℃，浸泡时间为10～20min；c、对脱胶后的硅片进行...
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