一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置，包括被测的增强型晶圆MOSFET多路管芯电路、测量电源和多路测量选择开关，所述测量电源的一端连接晶圆MOSFET电路的Drain信号公共端，所述测量电源的另一端与每一路管芯电路的源极之间分别设置有串联的低压电流源和双向限流电路；本实用新型专利技术结构简单，由于采用的是双向限流开关电路，因此，该电路可以不局限于PNP型增强型MOSFET与NPN型增强型MOSFET被测器件；同时对于二极管；三极管；耗尽型MOSFET均适用。

【技术实现步骤摘要】
一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置
本技术属于集成电路测试领域，特别涉及一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置。
技术介绍
高压晶圆MOSFET（晶圆MOSFET是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆）的测试，需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和放置晶圆的专用设备探针台。现有技术中有两种方式可以实现高压参数多工位测量，方式一是通过一块大于100V的高压电压源，通过继电器开关控制，进行多工位器件串行测试。通过探针扎在器件的源极、栅极上，按照串行的方式进行测试，晶圆MOSFET的Drain信号为公共端，晶圆MOSFET装载在吸盘上，从吸盘的同一点引出两根导线，连接在电压源其中一端。MOSFET晶圆的顶面是各个管芯的源极、栅极，通过探针将这些电极分别引出，然后通过开关控制连接在电压源另外一端进行测试，当测试完一颗器件后，把当前工位继电器开关断开，再控制相邻器件继电器开关闭合，逐一工位进行测试；被测器件的数量由探针台设计探针数量决定，然后由测试机完成测试，该串行方法测试效率低。方式二在多工位晶圆MOSFET测试中使用多块大于10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置，包括被测的晶圆MOSFET多路管芯电路、测量电源和多路测量选择开关，所述测量电源的一端连接晶圆MOSFET电路的Drain信号公共端，每一路测量选择开关为每一路管芯电路的栅极和源极短路选择开关，其特征在于，所述测量电源的另一端与每一路管芯电路的源极之间分别设置有串联的电流源和双向限流电路。

【技术特征摘要】
1.一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置，包括被测的晶圆MOSFET多路管芯电路、测量电源和多路测量选择开关，所述测量电源的一端连接晶圆MOSFET电路的Drain信号公共端，每一路测量选择开关为每一路管芯电路的栅极和源极短路选择开关，其特征在于，所述测量电源的另一端与每一路管芯电路的源极之间分别设置有串联的电流源和双向限流电路。2.根据权利要求1所述的多工位并行测量装置，其特征在于，所述每一路管芯电路栅极还通过一个栅极控制选择开关连接一个辅助电压源。3.根据权利要求1所述的多工位并行测量装置，其特征在于，所述双向限流电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鹏，宋立鹏，
申请(专利权)人：北京华峰测控技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11