一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测方法及装置，装置包括：屏蔽箱，用于屏蔽外界噪声干扰；偏置电路，用于获得实验所需的时域波形；前置放大器，用于放大噪声信号；数字示波器，用于显示输入信号的时域波形；PC机，用于处理所输入的信号。本发明专利技术的装置具有较低的本底噪声、较高的屏蔽外界噪声干扰能力，装置中的线绕电位器自身几乎不存在1/f噪声，测得的数据更加精确。本发明专利技术的方法除了采用二进制小波变换外，还可以采用其他进制的小波变换，如采用连续小波变换，可以有效提高上下限频率检测的准确性；避免使用通过频谱分析仪，分析所得到的频谱特性曲线，拟合寻找上下限频率这一传统方法。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测方法及装置
本专利技术属于噪声频率检测领域，尤其是涉及一种基于1/f噪声小波变换去相关特性的在低频噪声中检测1/f噪声上下限频率的方法。
技术介绍
1/f噪声普遍存在于二极管、MOSFET、半导体激光器等各类电子器件的低频电噪声中，尽可能降低1/f噪声是器件设计与研究的努力方向之一。然而1/f噪声的强度、频率范围及相关参数同时可作为一种十分有效的手段用来检测器件的潜在缺陷，通过分析器件工作时的1/f噪声信号可以判断噪声的来源，从而获知潜在缺陷的位置和类型；另一方面，对1/f噪声的水平进行检测能够有效评估器件的可靠性，却不会对器件本身产生较大的损耗。在这样的背景下，从电子器件所产生的低频噪声信号中准确地检测出1/f噪声并确定其上下限频率的方法是必不可少的。现如今对半导体器件1/f噪声的研究，在噪声提取和噪声分析两个方面取得很大突破，但是依然存在存在许多不足之处，一方面对于不同器件的测试系统不同，同时测试系统的价格比较昂贵，因此对器件本身存在一定的限制；另一方面是对1/f噪声的具体产生机理依然不太明确。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，包括屏蔽箱(101)、偏置电路(103)、前置放大器(104)、数字示波器(105)及PC机(106)；偏置电路(103)位于屏蔽箱(101)内部，偏置电路(103)通过BNC与屏蔽箱(101)外部的前置放大器(104)传输数据，数字示波器(105)与前置放大器(104)相连，PC机(106)与数字示波器(105)相连。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，包括屏蔽箱(101)、偏置电路(103)、前置放大器(104)、数字示波器(105)及PC机(106)；偏置电路(103)位于屏蔽箱(101)内部，偏置电路(103)通过BNC与屏蔽箱(101)外部的前置放大器(104)传输数据，数字示波器(105)与前置放大器(104)相连，PC机(106)与数字示波器(105)相连。2.如权利要求1所述的一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，所述偏置电路(103)，包括直流电源、可插拔线绕电阻(201)、可插拔半导体器件(202)、线绕电位器(203)、外接电流表(205)及采样输出点(206)；其中，直流电源包括直流电源A与直流电源B，直流电源A与直流电源B通过双刀双掷开关分别连接于可插拔半导体器件(202)源漏支路的漏极、线绕电位器(203)支路的可插拔线绕电阻(201)前端，可插拔线绕电阻(201)后端连接三级线绕电位器(203)，可插拔半导体器件(202)的栅极连接第一级线绕电位器(203)，可插拔半导体器件(202)的源极连接采样电阻(204)，采样电阻(204)两端引出采样输出点(206)，采样电阻(204)通过开关(207)接地，开关(207)两端可接电流表(205)。3.如权利要求1所述的一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，所述屏蔽箱(101)，外部采用双层金属屏蔽，内部采用电磁波吸收材料(102)，用于屏蔽外界干扰噪声。4.如权利要求1所述的一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，所述可插拔线绕电阻(201)，采用线绕电阻，用于限制偏置电路的电流大小，起到保护电路的作用。5.如权利要求1所述的一种用于半导体器件1/f噪声上下限频率的检测装置，其特征在于，所述可插拔半导体器件(202)，可选用MOSFET、三极管或二极管；所述线绕电位器(203)，用于调节可插拔半导体器件源极输出电流的大小；所述外接电流表(205)，用于监测源漏支路中电流的大小，通过观测电流表的数值，从而调节线绕电位器(203)，改变可插拔半导体器件源极输出电流的大小，进而改变源漏支路中取样电阻两端的电压；所述采样输出点(206)，用于输出源漏支路中取样电阻两端的电压，输出到屏蔽箱，通过BNC输入到前置放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：郜峰利，周荣轩，郭树旭，牛忠国，齐文斌，王向超，
申请(专利权)人：吉林大学，白城福佳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林,22