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本实用新型公开了一种高压MOSFET晶圆击穿电压多工位并行测量装置，包括被测的增强型晶圆MOSFET多路管芯电路、测量电源和多路测量选择开关，所述测量电源的一端连接晶圆MOSFET电路的Drain信号公共端，所述测量电源的另一端与每一路管芯...
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