阻变存储器件及其感测方法技术

公开一种感测阻变存储器件的方法。该方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；通过将第一读取电压施加到存储单元来测量第一单元电流，在存储单元的电流‑电压特性曲线的阈值感测范围内选择第一读取电压；通过将第二读取电压施加到存储单元来测量第二单元电流，在电流‑电压特性曲线的电阻感测范围内选择第二读取电压；以及当第一单元电流和第二单元电流中的至少一个比对应的参考电流大时，输出具有第一逻辑值的数据信号作为储存在存储单元中的数据。

【技术实现步骤摘要】
阻变存储器件及其感测方法
本公开的各种实施例一般而言涉及半导体存储器件，更具体地涉及阻变存储器件及其感测方法。
技术介绍
通常，阻变存储器件是指根据由每个单位单元中设置的非易失性存储材料层的电阻变化引起的不同电阻状态来储存不同数据的器件。阻变存储器件可以统称为电阻式随机存取存储器件(RRAM)、相变随机存取存储器件(PRAM)、磁性随机存取存储器件(MRAM)等。近来，已经提出了三维单元结构(诸如交叉点存储阵列结构)，以高度集成上述阻变存储器件。例如，交叉点存储阵列结构可以包括设置在彼此相交的不同平面上的电极之间的柱状单位单元。
技术实现思路
各种实施例涉及一种可以更可靠地读出存储单元中的数据的感测阻变存储器件的方法以及执行该感测方法的阻变存储器件。根据实施例，提供一种感测阻变存储器件的方法。该方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；通过将第一读取电压施加到存储单元来测量第一单元电流，在存储单元的电流-电压特性曲线的阈值感测范围内选择第一读取电压；通过将第二读取电压施加到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种感测阻变存储器件的方法，所述方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；通过将第一读取电压施加到存储单元来测量第一单元电流，在存储单元的电流‑电压特性曲线的阈值感测范围内选择第一读取电压；通过将第二读取电压施加到存储单元来测量第二单元电流，在电流‑电压特性曲线的电阻感测范围内选择第二读取电压；以及当第一单元电流和第二单元电流中的至少一个比对应的参考电流大时，输出具有第一逻辑值的数据信号作为储存在存储单元中的数据。

【技术特征摘要】
2016.06.27 KR 10-2016-00804441.一种感测阻变存储器件的方法，所述方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；通过将第一读取电压施加到存储单元来测量第一单元电流，在存储单元的电流-电压特性曲线的阈值感测范围内选择第一读取电压；通过将第二读取电压施加到存储单元来测量第二单元电流，在电流-电压特性曲线的电阻感测范围内选择第二读取电压；以及当第一单元电流和第二单元电流中的至少一个比对应的参考电流大时，输出具有第一逻辑值的数据信号作为储存在存储单元中的数据。2.如权利要求1所述的方法，其中，存储单元位于第一导线和第二导线相交的区域处，第一导线在第一方向上延伸，第二导线在不平行于第一方向的第二方向上延伸，第一导线和第二导线位于不同的平面上。3.如权利要求1所述的方法，其中，当可变电阻元件具有高电阻状态时，存储单元具有第一电流-电压行为特性，而当可变电阻元件具有低电阻状态时，存储单元具有第二电流-电压行为特性。4.如权利要求1所述的方法，还包括：当第一单元电流比第一参考电流小且第二单元电流比第二参考电流小时，输出具有第二逻辑值的数据信号作为储存在存储单元中的数据。5.如权利要求1所述的方法，其中，在第一阈值电压和第二阈值电压之间选择第一读取电压，切换元件被配置为当可变电阻元件处于低电阻状态时在第一阈值电压处导通，以及被配置为当可变电阻元件处于高电阻状态时在第二阈值电压处导通，以及其中，在第二阈值电压和设定电压之间选择第二读取电压，可变电阻元件被配置为在设定电压处经历设定操作。6.一种感测阻变存储器件的方法，所述方法包括：准备包括可变电阻元件和切换元件的存储单元，可变电阻元件被配置为基于可变电阻来储存不同的数据，切换元件连接到可变电阻元件并且被配置为执行阈值切换操作；获得存储单元的电流-电压特性曲线；在电流-电压特性曲线的第一阈值感测范围内确定第一读取电压以及在电流-电压特性曲线的电阻感测范围内确定第二读取电压；执行第一读取操作和第二读取操作中的至少一个，第一读取操作包括将第一读取电压施加到存储单元，第二读取操作包括将第二读取电压施加到存储单元；以及基于第一读取操作和第二读取操作中的至少一个的结果来确定储存在存储单元中的数据值。7.如权利要求6所述的方法，其中，第一读取操作还包括，在施加第一读取电压之后：从存储单元测量第一单元电流；以及将第一单元电流与第一参考电流进行比较，以及其中，第二读取操作还包括，在施加第二读取电压之后：从存储单元测量第二单元电流；以及将第二单元电流与第二参考电流进行比较。8.如权利要求7所述的方法，其中，当在第一读取...

【专利技术属性】
技术研发人员：河泰政，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR