存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术提供一种存储器系统包括非易失性存储器阵列以及存储器控制器。非易失性存储器阵列用以存储数据。存储器控制器耦接非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加前，存储器控制器用以提供预设写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。在电路板装设操作施加后，存储器控制器用以提供正常写入操作以写入数据至非易失性存储器阵列。由预设写入操作提供的读取边限大于由正常写入操作提供的读取边限。另外，一种存储器系统的操作方法也被提出。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法
本专利技术涉及一种存储器系统，尤其涉及一种适用于检测存储器系统是否经历电路板装设操作的存储器系统及其操作方法。
技术介绍
非易失性存储器拥有即使断电后存储数据也不会消失的优点，因此对许多电子产品来说，为了维持正常运作，非易失性存储器成为一种不可或缺的存储元件。目前，非易失性存储器被分为许多类型。电阻式随机存取存储器(RRAM)是产业界正积极研制的一种非易失性存储器，具有低写入操作电压、写入与抹除时间短暂、长期存储时间、非破坏性读取、多状态存储、结构简单与小占用面积等优势，未来在个人电脑与电子设备发展上具有很大的应用潜力。然而，关于非易失性存储器的可靠度仍存在许多问题。其中一个问题就是因为高温环境下的电阻漂移所产生的数据保存错误，这会造成在高温过程后从非易失性存储器读取的数据会跟原本存储在非易失性存储器中的数据不同。此外，当非易失性存储器通过表面贴焊技术(surfacemounttechnology,SMT)而被直接装设或置放在印刷电路板表面上，也必需用到高温条件下(例如，1到3次以260℃处理30秒)的回焊步骤，这可能严重地造成数据毁损问题。在目前技术下很难确本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器系统，其特征在于，包括：非易失性存储器阵列，包括多个存储单元，用以存储数据；以及存储器控制器，耦接所述非易失性存储器阵列，被配置为：提供预设写入操作，在电路板装设操作施加前写入数据至所述非易失性存储器阵列；以及提供正常写入操作，在所述电路板装设操作施加后写入数据至所述非易失性存储器阵列，其中由所述预设写入操作提供的读取边限大于由所述正常写入操作提供的读取边限。

【技术特征摘要】
2016.06.15 US 15/182,6121.一种存储器系统，其特征在于，包括：非易失性存储器阵列，包括多个存储单元，用以存储数据；以及存储器控制器，耦接所述非易失性存储器阵列，被配置为：提供预设写入操作，在电路板装设操作施加前写入数据至所述非易失性存储器阵列；以及提供正常写入操作，在所述电路板装设操作施加后写入数据至所述非易失性存储器阵列，其中由所述预设写入操作提供的读取边限大于由所述正常写入操作提供的读取边限。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述存储器控制器还被配置为：在提供所述预设写入操作后且提供所述正常写入操作前，检测所述多个存储单元中被选定的部份是否从第一阻抗状态切换至第二阻抗状态，当所述多个存储单元中被选定的所述部份转换到所述第二阻抗状态的数量大于临界数量时，禁能所述预设写入操作并切换至所述正常写入操作。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述非易失性存储器阵列包括相变化随机存取存储器、电阻式随机存取存储器或导电桥接随机存取存储器。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述预设写入操作的温度范围和/或供应电压范围窄于所述正常写入操作的温度范围和/或供应电压范围。5.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，通过在预定周期中检测指示信号来自动选择所述预设写入操作或所述正常写入操作，所述指示信号用以指示已经历电路板装设热循环。6.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，还包括外部接垫，其中所述存储器控制器还被配置为检测所述外部接垫的状态以决定所述预设写入操作。7.根据权利要求1所述的存储器系统，其特征在于，所述预设写入操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢明辉，连存德，林纪舜，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71