电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存技术

本发明专利技术提供一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。此写入方法提供重置信号组至电阻式记忆胞以进行写入操作。检测电阻式记忆胞的电流以判断此电阻式记忆胞是否完成写入操作。当此电阻式记忆胞并未完成写入操作时，判断此电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度是否窄化。当此电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度已窄化时，降低此重置信号组中电阻式记忆胞的字符线电压。本发明专利技术提供的写入方法是藉由逐次降低电阻式记忆胞的字符线电压的方式来延展重置操作的电压窗口，减少电阻式记忆胞因输入电压过高而发生互补切换现象的机率。

Writing method of resistive memory cell and resistive memory

The invention provides a writing method for resistive memory cells and a resistive memory. This write method provides reset signal groups to resistive memory cells for write operations. The current of resistive memory cell was detected to determine whether the resistive memory cell completed the write operation. When the resistive memory cell did not complete the write operation, it was judged whether the width of the filamentary conducting path in the resistive memory cell was narrow. When the width of the filamentary conducting path in the resistive memory cell is narrowed, the character line voltage of the resistive memory cell in the reset signal group is reduced. Write the method provided by the invention is to reduce the voltage window by successive character line voltage resistive memory cell of the way to extend the reset operation, reduce the resistive memory cell as the input voltage is too high and the probability of the occurrence of the phenomenon of complementary switch.

【技术实现步骤摘要】
电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存
本专利技术涉及一种电阻式内存技术，尤其涉及一种电阻式记忆胞的写入方法及电阻式内存。
技术介绍
在电阻式内存(Resistiverandom-accessmemory；RRAM)技术中，形成(forming)、设定(set)以及重置(reset)三个操作为确保电阻式记忆胞电气特性以及数据保存力(dataretention)的三个重要步骤。在进行设定/重置操作时，可能需要逐步地且多次地提升输入电压才能完成。对于电阻式内存来说，成功的重置操作可增加RRAM的耐久性。一般来说，电阻式内存可根据所施加的脉冲电压大小及极性来改变丝状导电路径(filamentpath)的宽度。举例来说，在写入数据逻辑1时，可藉由施加重置脉冲(RESETpulse)来窄化丝状导电路径的宽度以形成高电阻状态。在写入数据逻辑0时，可藉由施加极性相反的设定脉冲(SETpulse)来增加丝状导电路径的宽度以形成低电阻状态。然而，当藉由连续性地或以斜坡式提升输入电压来进行电阻式记忆胞的设定操作或重置操作的话，可能会使原本应为高电流状态的电阻式记忆胞减少其电流，或是使应为低电流状态的电阻式记本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻式记忆胞的写入方法，其特征在于，包括：提供重置信号组至电阻式记忆胞以进行写入操作；检测所述电阻式记忆胞的电流以判断所述电阻式记忆胞是否完成所述写入操作；当所述电阻式记忆胞并未完成所述写入操作时，判断所述电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度是否窄化；以及当所述电阻式记忆胞中所述丝状导电路径的宽度已窄化时，降低所述重置信号组中所述电阻式记忆胞的字符线电压。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式记忆胞的写入方法，其特征在于，包括：提供重置信号组至电阻式记忆胞以进行写入操作；检测所述电阻式记忆胞的电流以判断所述电阻式记忆胞是否完成所述写入操作；当所述电阻式记忆胞并未完成所述写入操作时，判断所述电阻式记忆胞中丝状导电路径的宽度是否窄化；以及当所述电阻式记忆胞中所述丝状导电路径的宽度已窄化时，降低所述重置信号组中所述电阻式记忆胞的字符线电压。2.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，还包括：当所述电阻式记忆胞中所述丝状导电路径的宽度并未窄化时，持续提供所述重置信号组至所述电阻式记忆胞。3.根据权利要求2所述的写入方法，其特征在于，持续提供所述重置信号组至所述电阻式记忆胞的步骤包括：逐次调降在所述重置信号组中所述电阻式记忆胞的源极线电压。4.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，还包括：在降低所述重置信号组中所述电阻式记忆胞的字符线电压之后，判断所述电阻式记忆胞是否完成所述写入操作。5.根据权利要求1所述的写入方法，其特征在于，判断所述电阻式记忆胞是否完成所述写入操作的步骤包括：检测所述电阻式记忆胞中的所述电流是否小于第一电流阀值，当所述电阻式记忆胞中的所述电流小于第一电流阀值时，表示所述电阻式记忆胞完成所述写入操作。6.根据权利要求5所述的写入方法，其特征在于，判断所述电阻式记忆胞中所述丝状导电路径的宽度是否窄化的步骤包括：检测所述电阻式记忆胞中的所述电流是否大于第二电流阀值，其中所述第二电流阀值大于所述第一电流阀值，当所述电阻式记忆胞中的所述电流不大于所述第二电流阀值时，表示所述电阻式记忆胞中的所述丝状导电路径的宽度已窄化。7.一种电阻式内存，其特征在于，包括：电阻式记忆胞数组，包括至少一个电阻式记忆胞；以及控制电路，耦接至所述至少一个电阻式记忆胞，其中所述控制电路提供重置信号组至所述至少一个电阻式记忆胞以进行写入操作，检测所述电阻式记忆胞的电流以判断所述至少一个电阻式记忆胞是否完成所述写入操作，当所述电阻式记忆胞并未完...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈达，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71