热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件制造技术

本发明专利技术属于有机硅技术领域，涉及一种热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件，包括：(A)包括R

Hot-melt organic polysiloxane compositions, phosphor sheets and semiconductor devices

The invention belongs to the field of silicone technology, and relates to a hot-melt organic polysiloxane composition, phosphor sheet and semiconductor devices, including: (A) including R

【技术实现步骤摘要】
热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件
本专利技术属于有机硅
，特别涉及一种热熔型有机聚硅氧烷组合物、荧光体片材及半导体器件。
技术介绍
有机硅聚合物的基本结构单元是由硅氧链节构成，侧链则通过硅原子与其他各种有机基团相连。与其他高分子材料相比，有机硅聚合物具有如下突出性能：1.耐候性，有机硅产品的主链为－Si－O－，具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力，自然环境下具有较长的使用寿命。2.电气绝缘性能，有机硅产品都具有良好的电绝缘性能，其介电损耗、耐电压、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数等均在绝缘材料中名列前茅，而且它们的电气性能受温度和频率的影响很小。因此，基于上述良好的综合性能，作为有机硅产品的一种，有机聚硅氧烷被广泛应用于LED光伏产业上。通常，荧光体片材包括荧光体和树脂，将荧光体分散于用于密封LED芯片的液态树脂中，利用荧光体片材对LED芯片进行封装，可以得到各种性能得到改善的LED灯。近几年来，为了改善LED制造工艺，开发了在室温下为固体或半固体的封装材料，例如，利用有机硅组合物进行半固化而成的有机硅树脂片，该组合物包含乙烯基的有机硅树脂，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，包括：(A)包括R

【技术特征摘要】
1.一种热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，包括：(A)包括R13SiO1/2单元、R22SiO2/2单元和R3SiO3/2单元的支化分子结构有机聚硅氧烷，R1、R2和R3各自独立地选自甲基、乙烯基或苯基，所述有机聚硅氧烷中含有平均至少一个与硅键合的乙烯基和至少一个苯基，所述苯基基团的摩尔分数大于10％；(B1)具有直链分子结构的有机聚硅氧烷，且分子链的两端各含有一个硅氢封端，分子主链上与硅键合的基团为甲基、苯基或乙烯基；(B2)包括R43SiO1/2单元和R5SiO3/2单元的支化分子结构有机聚硅氧烷，其中，R4和R5各自独立地选自甲基、乙烯基或苯基，所述组分(B2)中含有至少一个与硅键合的硅氢基和至少一个苯基；其中，所述组分(B1)和所述组分(B2)的重量含量比例关系为w1:w2＝10:90-50:50；(C)具有乙烯基和环氧基的有机聚硅氧烷，且一个分子中含有平均至少一个与硅键合的乙烯基和至少一个环氧基；(D)硅氢加成反应所需的催化剂。2.根据权利要求1所述的热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述组分(C)具有下述平均单元分子式为，[Me2ViSiO1/2]a1[PhMeSiO2/2]b1[R6MeSiO2/2]c1其中，所述Me为甲基、Ph为苯基、Vi为乙烯基及R6为且0.1<a1<0.5，0.3<b1<0.8，0.1<c1<0.5。3.根据权利要求1所述的热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述组分(C)中的乙烯基的含量为0.1-0.5mol/100g，所述环氧基的含量为0.05-0.50mol/100g。4.根据权利要求1所述的热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述组分(C)的质量占所述组合物的总质量的0.5％-5％。5.根据权利要求1所述的热熔型有机聚硅氧烷组合物，其特征在于，所述组分(A)中的与硅键合的乙烯基的含量为0.1-0.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李来兴，陈旺，郑海庭，黄光燕，
申请(专利权)人：广州慧谷化学有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44