用于LED应用的红光荧光体制造技术

本发明专利技术涉及用于LED应用的红光荧光体。本发明专利技术还涉及一种发光装置，包括半导体光源以及辐射性连接至所述光源的荧光体材料，荧光体材料包括用Mn4+激活的复合氟化物荧光体。发光器件包括背光源，该背光源具有光源和包括用Mn4+激活的复合氟化物荧光体的荧光体材料，该复合氟化物荧光体可以包括以下中的至少一种：(A)A2[MF5]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它们的组合；以及其中M选自Al、Ga、In或它们的组合；(B)A3[MF6]:Mn4+:其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及它们的组合，以及其中M选自Al、Ga、In或它们的组合；(C)Zn2[MF7]:Mn4+，其中M选自Al、Ga、In或它们的组合；以及(D)A[In2F7]:Mn4+，其中A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或它们的组合。

【技术实现步骤摘要】
用于LED应用的红光荧光体本申请是申请日为2008年2月13日，申请号为200880010725.1，专利技术名称为“用于LED应用的红光荧光体”的专利技术专利申请的分案申请。本申请是于2006年2月28日提交的美国专利申请第11/364,611号的部分继续申请并要求其优先权，其又是分别于2005年2月2日和2005年11月11日提交的美国专利申请第11/049,598号和第11/285,442号的部分继续申请。
本示例性实施例涉及荧光体组合物，尤其涉及用于发光应用的荧光体。更具体地，本实施例涉及发红光荧光体和采用这些荧光体的发光装置。
技术介绍
发光二极管（LED）是通常用作诸如白炽灯的其他光源的替代品的半导体发光体。它们尤其被用作显示灯、报警灯和指示灯或者用在期望得到有色光的其他应用中。由LED产生的光的颜色取决于在LED的制造过程中所使用的半导体材料的类型。包括发光二极管和激光器（两者在本文中被统称为LED）的有色半导体发光器件已由诸如氮化镓的第III-V族合金制成。对于基于GaN的LED，所发射的光通常在电磁光谱的UV至绿色范围内。直到最近，由于由LED所产生的光的固有颜色，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：半导体光源；以及辐射性连接至所述光源的荧光体材料，所述荧光体材料包括用Mn4+激活的复合氟化物荧光体。

【技术特征摘要】
2007.02.13 US 11/705,8601.一种背光装置，包括：半导体光源，所述半导体光源包括至少一个具有在440nm至480nm之间的峰值发射波长的蓝色LED芯片；以及辐射性连接至所述半导体光源以接收峰值发射波长在440nm至480nm之间的蓝色光的荧光体材料，所述荧光体材料包括通过转换所述蓝色光以用于发射具有在610nm至650nm之间的峰值发射波长的红色光的、用Mn4+激活的红光复合氟化物荧光体和通过转换所述蓝色光以用于发射具有在535nm至547nm的范围内的峰值发射波长且具有45nm至55nm的范围内的半最大值全宽度的绿色光的绿光荧光体；其中，所述用Mn4+激活的红光复合氟化物荧光体包括A2[MF6]:Mn4+，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH4以及它们的组合；而其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr以及它们的组合。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述用Mn4+激活的红光复合氟化物荧光体包括K2SiF6:Mn4+。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述半导体光源包括另外的发射峰值波长范围为从370nm至500nm的辐射的半导体发光二极管(LED)芯片。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述半导体光源包括由化学式IniGajAlkN表示的化合物，其中，0≤i，0≤j，0≤k，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔·韦尔吉洛夫·拉德科夫，阿南特·阿奇尤特·塞特勒尔，阿洛克·马尼·斯里瓦斯塔瓦，柳德米尔·斯拉夫切夫·格里戈罗夫，
申请(专利权)人：照明有限责任公司，
类型：发明
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