用于LED应用的红光荧光体制造技术

发光器件包括背光源，该背光源具有光源以及包括用Ｍｎ↑［４＋］激活的复合氟化物荧光体的荧光体材料，该复合氟化物荧光体可以包括以下中的至少一种：（Ａ）Ａ↓［２］［ＭＦ↓［５］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］及它们的组合；以及其中，Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；（Ｂ）Ａ↓［３］［ＭＦ↓［６］］：Ｍｎ↑［４＋］：其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］及它们的组合，以及其中，Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；（Ｃ）Ｚｎ↓［２］［ＭＦ↓［７］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；以及（Ｄ）Ａ［Ｉｎ↓［２］Ｆ↓［７］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］或它们的组合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本示例性实施例涉及荧光体组合物，尤其涉及用于发光应用的 荧光体。更具体地，本实施例涉及发红光荧光体和采用这些荧光体 的发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)是通常用作诸如白炽灯的其他光源的替代 品的半导体发光体。它们尤其被用作显示灯、报警灯和指示灯或者 用在期望4寻到有色光的其〗也应用中。由LED产生的光的颜色取决 于在LED的制造过程中所使用的半导体材料的类型。包括发光二极管和激光器(两者在本文中被统称为LED)的有 色半导体发光器件已由诸如氮化镓的第III-V族合金制成。对于基 于GaN的LED,所发射的光通常在电磁光谱的UV至绿色范围内。 直到最近，由于由LED所产生的光的固有颜色，LED已不适合需 要明亮白光的发光用应。近来，已开发了用于将从LED发射的光转换为用于照明的有 用光的技术。在一种技术中，LED涂覆或覆盖有荧光体层。荧光体 是吸收电》兹光i普的一部分中的辐射能量并发射电^兹光谱的另 一部 分中的能量的发光材料。 一种重要的荧光体是具有非常高化学纯度 和可控组成的结晶无枳j化合物，其中，该化合物中添加有少量其他 成分(被称为"活化剂，，)以将其转换为有效的荧光材料。利用活 化剂和无机化合物的适当组合，能够控制发光的颜色。最有用和公 知焚光体响应于在可见范围外的电磁辐射的激发而发出在电^兹光 i普的可见部分内的辐射。 '通过4参入由LED产生的辐射所激发的荧光体，可以产生例如 在光:^普的可见范围内的具有不同波长的光。有色LED通常^皮用在 玩具、指示灯和其他装置中。持续的性能改善使其已能够用于在交 通灯、出口标志、商店标识等的々包和色的LED的新应用。除了有色LED之外，LED产生的光和荧光体产生的光的合成 可以用于产生白光。最常见的白色LED由发蓝色光的GalnN芯片 组成。该发蓝光的芯片涂覆有将一些蓝色辐射转换为互补色(例如， 发黄色光)的荧光体。蓝色和黄色辐射一起产生白光。还存在白色 LED,其利用近UV发射芯片和包括4皮设计用于将UV辐射转换为 可见光的红色荧光体(红色荧光粉)、绿色荧光体和蓝色荧光体的 焚光体混合物。已知的白光发光器件包括与黄色发光荧光体(诸如，铈(III) 掺杂的钇铝石榴石("YAG:Ce，，)、铈(III)掺杂的铽铝石榴石 ("TAG:Ce")或者铕(II)掺杂的原石圭酸钡("BOS"))结合的蓝色发 光LED,该蓝色发光LED在近蓝色范围内具有最大发光波长(从 约440 nm至约480 nm )。荧光体吸收,人LED发出的辐射的一部分， 并将所吸收的辐射转换为黄光。由LED发射的蓝光的其余部分透 过荧光体，并与由荧光体发射的黄光混合。观看者将蓝光和黄光混9合感知为白光。来自荧光材料和LED芯片的光的总和提供了具有 相应的色彩坐标系(x和y)和相关色温(CCT)的色点，并且其 光谱分布提供了由显色指数(CRI)衡量的显色能力。这才羊的系统可以用于制造具有> 4500 K的CCT且CRI范围为 约72至82的白色光源，其中辐射的发光效能("LER",也称为发 光度)为约330 1m/W。pt。当此范围适合于许多应用时， 一般的照明 光源通常需要更低的CCT和更高的CRI，优选地，具有类似的或更 好的LER。由蓝色发射芯片和黄色发射荧光体制成的白色LED器件的一 种特别优选的应用是用于例如蜂窝式电话、个人数字助理等中的背 光源。这些应用需要高CCT值(大于5000 K),这容易由上述具有 280 lm/W。pt或更大的LER值的LED^是供。然而，由于黄色荧光体 (例如，具有在550nm与610nm之间的最大发射)的使用，所以 这些LED的光谱包含在光i普的黄色区域内的过度发射，这大大地 降4氐了背光的色i或(color gamut )。色域是在色度图(例如，CIE 1931 x，y图)中显示的对黄S争红色、 绿色和蓝色像素的色点之间的区域。用于显示的历史上的"黄金标 准，，是NTSC色域，其由三组色点坐标(在CIE 1931 x,y色度图中， 纟工色的x=0.674 iLy=0.326，纟录色的x=0.218 JLy=0.712，以及蓝色 的x=0.140JLy=0.080)卩艮定。通常i人为，3于于i午多背光应用而言， 大于70%的NTSC的色域可接受的，而对于大多数的任何这样的应 用而言，大于90%的NTSC的色域是可接受的。为了改善4吏用黄色荧光体的LED背光源的色域， -使黄光纟皮过 滤，从而减小了 LED背光源的有效LER。因此，开发在CCT〉 5000 K处能够4是供280 lm/W。pt以上的LER而在封装件中不具有黄色荧 光体的LED背光源是有益的。红光荧光体特别适用于当与蓝色或近UV LED芯片 一起使用时同时获得这样的LER值，如果需要的 话，结合至少一种绿色荧光体或蓝色荧光体。其他白光LED发光系统-使用UV或可见光LED芯片与红色、 纟录色和/或蓝色荧光体的掺和物，该4参和物可以一皮近UV辐射有效激 发以产生白光。尽管国际上^L定了 14个标准色样并且能够计算更广的CRI (Rw4)作为它们的平均值，CRI通常被义定为8个标准色样(RM) 的平均值，通常称为通用显色指数并简称为Ra。具体地，衡量深红 色(strong red)的显色的R9值对于应用范围是非常重要的，尤其 是医学属性。随着CCT减小以及/或者CRI增大，LED值通常减小，导致"暖 白色"LED的值(CCT<4500K)显著l氐于那些"冷白色"LED的 值(CCT 〉4500 K)。可以通过使用具有线形发射光谱的红色荧光 体来提高LER值，这与具有宽带发射的红色荧光体相反。后一种荧 光体的发射能量的大部分易于落入人眼的4文感度非常低的光语的 深红色部分，从而减小了LER值。因此，在许多白光应用中，优选具有线形发射光语的荧光体(例 如，Y203:Eu3+)作为红色成分，因为在感兴趣的CCR范围(例如， 3000-6500 K )内，它4吏在可4妾受的CRI 4直(例如，80-86 )处的LER 最大化。目前的4参杂有Ei^+的红色荧光灯荧光体不能成功地用在 UV LED灯中，因为它们实际上不吸收近UV (370-420 nm )光， 这导致由于由荧光体带来的散射而引起的不可接受的光损耗。发深 红色光的氟氧化物荧光体(例如，3.5MgO*0.5MgF2*GeO2:Mn4+ (MFG))可以用在LED灯中，^f旦是由于其发射大多出现在光语的 红色区域内的太远处(超过650nm),所以要考虑对LER的影响。 基于掺杂有Mn"氧化物和鹵氧化物主晶格的其他类似荧光体还具有在大于650 nm的波长处的主发射峰值。优选地，使用在较低波长(例如，在610至650 nm范围内)处具有线形发射最大值的红色荧光体，其在UV至蓝色范围内具有对LED芯片发射的良好吸收性。这在改善LER的同时将通常的CRI维持在80或更高。因此，对于新的红光荧光体、以及它们与显示高量子岁丈率的UV和可见LED芯片结合使用的纟参和物存在持续的需求，乂人而制造在任何给定CCR处具有高CRI和改善的LER的白光LED以及具有最小黄色发射和高LER的背光源LED。
技术实现思路
在第一方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于发射白光的发光装置，包括　半导体光源；以及　辐射性连接至所述光源的荧光体材料，其中，所述荧光体材料包括选自由以下各项组成的组中的至少一种荧光体：　（Ａ）Ａ↓［２］［ＭＦ↓［５］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒ ｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］及它们的组合；而Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；（Ｂ）Ａ↓［３］［ＭＦ↓［６］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］及它们的组合；而Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；　（Ｃ）Ｚ ｎ↓［２］［ＭＦ↓［７］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ｍ选自Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ或它们的组合；以及　（Ｄ）Ａ［Ｉｎ↓［２］Ｆ↓［７］］：Ｍｎ↑［４＋］，其中，Ａ选自Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、ＮＨ↓［４］或它们的组合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔韦尔吉洛夫拉德科夫，阿南特阿奇尤特塞特勒尔，阿洛克马尼斯里瓦斯塔瓦，柳德米尔斯拉夫切夫格里戈罗夫，
申请(专利权)人：照明有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[]