一种DFN1610高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN1610高密度框架，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与DFN1610封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在芯片安置区和引脚焊接区之间还设有芯片支撑板，所述芯片支撑板和引脚焊接区之间还留有极性分隔间隙，将芯片安置区和引脚焊接区的极性分隔开；在芯片安装部的周围设有多个支撑连筋，包括与芯片安置区外围连接的芯片区连筋、及与引脚焊接区外围连接的引脚焊接区连筋。该框架的芯片安装部周围设置支撑连筋，便于增大芯片安置区和芯片支撑板的面积，使芯片安装部适应更多尺寸的芯片安置，降低框架开模费用、降低生产成本，提高框架材料利用率。

A DFN1610 high density frame

The utility model relates to a semiconductor manufacturing technology, in particular to a high density DFN1610 framework, including the framework of rectangular sheet structure, the frame is provided with a plurality of DFN1610 package structure and adapt to the chip mounting portion, wherein the chip mounting portion includes a chip placement area and pin welding area between the chip and the resettlement area the pin welding area is also provided with a chip support plate, the support plate and pin chip welding area between have polar separation gap, the chip and pin welding zone resettlement area polarity separated; a plurality of support bars are arranged around the chip even the installation department, including chip placement area peripheral connection chip area the connecting rib and peripheral connection pin pin welding welding zone connecting rib. The supporting part of the chip is installed around the chip installation part to facilitate the enlargement of the area of the chip placement area and the chip support plate, so that the chip installation part can adapt to more chip placement, reduce the cost of the frame opening, reduce the production cost and improve the utilization ratio of the frame material.

【技术实现步骤摘要】
一种DFN1610高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN1610高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是现有电子产品常用的一种器件，由于单个半导体产品的尺寸特性和其使用时的特点，常采用引线框架来辅助半导体芯片的生产。引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。由于引线框架的材料为铜质材料，因此怎样提高框架基体的利用率成为该行业的普遍追求，芯片封装形式为DFN1610的芯片安装部，其封装后的单个芯片安装部的尺寸为：1.6*1.0mm，由于其单个芯片安装部封装后的尺寸较大，占用的框架空间大，若不对芯片安装部的结构进行合理设计，将造成框架基体材料的浪费，进而变相提高了生产成本。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对现有芯片封装形式为DFN1610的芯片安装部，由于其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN1610高密度框架，包括矩形片状结构的框架，其特征在于，在框架上设有多个与DFN1610封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在芯片安置区和引脚焊接区之间还设有芯片支撑板，所述芯片支撑板和引脚焊接区之间还留有极性分隔间隙，将芯片安置区和引脚焊接区的极性分隔开；在芯片安装部的周围设有多个支撑连筋，包括与芯片安置区外围连接的芯片区连筋、及与引脚焊接区外围连接的引脚焊接区连筋。

【技术特征摘要】
1.一种DFN1610高密度框架，包括矩形片状结构的框架，其特征在于，在框架上设有多个与DFN1610封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在芯片安置区和引脚焊接区之间还设有芯片支撑板，所述芯片支撑板和引脚焊接区之间还留有极性分隔间隙，将芯片安置区和引脚焊接区的极性分隔开；在芯片安装部的周围设有多个支撑连筋，包括与芯片安置区外围连接的芯片区连筋、及与引脚焊接区外围连接的引脚焊接区连筋。2.根据权利要求1所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形结构，设置在芯片安装部两长边侧的支撑连筋对称布置，设置在芯片安装部长边侧的芯片区连筋与芯片支撑板侧边相连，且芯片区连筋宽度大于引脚焊接区连筋的宽度。3.根据权利要求2所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述极性分隔间隙延伸至芯片安装部的两长边边缘，且极性分隔间隙两端的宽度大于其中部的宽度。4.根据权利要求1所述的DFN1610高密度框架，其特征在于，所述芯片安置区和引脚焊接区所占面积相等，或所述芯片安置区和芯片支撑板的面积之和为引脚焊接区所占面积的2倍以上。5.根据权利要求1-4之一所述的DFN1610高密度框架，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，崔金忠，李东，张明聪，许兵，李宁，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51