半导体装置及显示装置制造方法及图纸

半导体装置包括：第1绝缘膜(11)；由多晶硅形成的第1半导体层(SC1)；由氧化物半导体形成的第2半导体层(SC2)；第2绝缘膜(12)；第1栅极电极(GE1)；第2栅极电极(GE2)；由硅氮化物形成的第3绝缘膜(13)；及保护层(20)。所述保护层，位于所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，与所述第2半导体层对置，由铝氧化物或氟化硅氮化物形成。

Semiconductor device and display device

A semiconductor device includes a first insulating film (11); a first semiconductor layer formed of polysilicon (SC1); the second semiconductor layer is formed of an oxide semiconductor (SC2); the second insulating film (12); the first gate electrode (GE1); the second gate electrode (GE2); the silicon nitride formed the third insulating film (13); and a protective layer (20). The protective layer is positioned between the second insulating film and the third insulating film, and is opposite to the second semiconductor layer, and is formed by aluminum oxide or fluorinated silicon nitride.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及显示装置关联申请的交叉引用本申请基于并主张2016年6月14日在日本提出申请的2016-118052号的优先权，通过参考引用在先申请的全部内容。
本申请涉及半导体装置及显示装置。
技术介绍
作为半导体装置，已知有显示例如图像的显示装置。在有源矩阵方式的显示装置中，像素的开关元件中使用薄膜晶体管(Thin-filmTransistor：TFT)。另外，有源区域(显示区域)的外侧的框区域(非显示区域)中形成的驱动器的开关元件中也使用薄膜晶体管。作为薄膜晶体管的半导体层中利用的材料，列举出多晶硅、氧化物半导体等。
技术实现思路
本实施方式提供能够抑制制造成本高涨的半导体装置及显示装置。而且，提供可靠性好的半导体装置及显示装置。一般来说，根据一个实施方式，提供一种半导体装置，包括：第1绝缘膜；第1半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由多晶硅形成；第2半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由氧化物半导体形成；第2绝缘膜，形成于所述第1绝缘膜、所述第1半导体层及所述第2半导体层之上；第1栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第1半导体层对置；第2栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：第1绝缘膜；第1半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由多晶硅形成；第2半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由氧化物半导体形成；第2绝缘膜，形成于所述第1绝缘膜、所述第1半导体层及所述第2半导体层之上；第1栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第1半导体层对置；第2栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第2半导体层对置；第3绝缘膜，位于所述第2绝缘膜、所述第1栅极电极及所述第2栅极电极上方，由硅氮化物形成；以及保护层，位于所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，与所述第2半导体层对置，由铝氧化物或氟化硅氮化物形成。

【技术特征摘要】
2016.06.14 JP 2016-1180521.一种半导体装置，具备：第1绝缘膜；第1半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由多晶硅形成；第2半导体层，位于所述第1绝缘膜之上，由氧化物半导体形成；第2绝缘膜，形成于所述第1绝缘膜、所述第1半导体层及所述第2半导体层之上；第1栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第1半导体层对置；第2栅极电极，位于所述第2绝缘膜的上方，与所述第2半导体层对置；第3绝缘膜，位于所述第2绝缘膜、所述第1栅极电极及所述第2栅极电极上方，由硅氮化物形成；以及保护层，位于所述第2绝缘膜与所述第3绝缘膜之间，与所述第2半导体层对置，由铝氧化物或氟化硅氮化物形成。2.如权利要求1所述的半导体装置，所述第2栅极电极位于所述保护层之上。3.如权利要求1所述的半导体装置，所述保护层位于所述第2栅极电极之上。4.如权利要求1所述的半导体装置，在俯视时，所述保护层具有与所述第2半导体层的面积同等或其以上的面积，将所述第2半导体层完全覆盖。5.如权利要求1所述的半导体装置，还具备位于所述第3绝缘膜的上方并形成在同一层的第1电极、第2电极、第3电极及第4电极，所述第1半导体层具有第1区域、第2区域及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第1沟道区域，所述第2半导体层具有第3区域、第4区域及位于所述第3区域与所述第4区域之间的第2沟道区域，所述第1电极，通过在所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜中形成的第1接触孔与所述第1区域连接，所述第2电极，通过在所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜中形成的第2接触孔与所述第2区域连接，所述第3电极，通过在所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜中形成的第3接触孔与所述第3区域连接，所述第4电极，通过在所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜中形成的第4接触孔与所述第4区域连接。6.如权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽生有一郎，渡边裕一，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP