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半导体装置包括：第1绝缘膜(11)；由多晶硅形成的第1半导体层(SC1)；由氧化物半导体形成的第2半导体层(SC2)；第2绝缘膜(12)；第1栅极电极(GE1)；第2栅极电极(GE2)；由硅氮化物形成的第3绝缘膜(13)；及保护层(20)。...
该专利属于株式会社日本显示器所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日本显示器授权不得商用。

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