半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。

Manufacturing methods of semiconductor devices and semiconductor devices

A semiconductor device includes an insulating substrate; a first semiconductor layer is located above the insulating substrate; the second semiconductor layer is located above the insulating substrate, and a semiconductor layer first is formed by different material; an insulating layer is located above the insulating substrate, covering the first semiconductor layer and a second semiconductor layer, and forming a contact hole second first to first contact hole of semiconductor layer and through to the second semiconductor layer; a barrier layer covering the second semiconductor layer first semiconductor layer first in the contact holes and the second contact hole in one side, which is conductive; and a first conductive layer, the barrier layer and the contact.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及半导体装置的制造方法相关申请的交叉引用本申请基于并主张2016年6月10日提交的日本在先专利申请No.2016-116131号的优先权的利益，这里通过参照将其全部内容引用于此。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管根据半导体层中使用的材料的不同而显示出各种特性。例如，在将低温多晶硅半导体使用于半导体层的情况下，能够得到可靠性良好的薄膜晶体管。另外，在将氧化物半导体使用于半导体层的情况下，能够得到截止电流小的薄膜晶体管。在将具备多晶硅(polysilicon)半导体层的薄膜晶体管、以及具备氧化物半导体层的薄膜晶体管制作在同一基板上而得到的显示装置中，已知氧化物半导体层位于比多晶硅半导体层靠上层的技术。在这样的显示装置中，在形成贯通至多晶硅半导体层的接触孔之后，为了去除形成于多晶硅半导体层的表面的自然氧化膜而实施清洗。此时，担心清洗所使用的氢氟酸(HF)等清洗液导致氧化物半导体层被蚀刻。
技术实现思路
根据本实施方式，提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于上述绝缘基板的上方；第2半导体层，位于上述绝缘基板的上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于上述绝缘基板的上方；第2半导体层，位于上述绝缘基板的上方，由与上述第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于上述绝缘基板的上方，覆盖上述第1半导体层和上述第2半导体层，并形成有贯通至上述第1半导体层的第1接触孔和贯通至上述第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，将上述第1接触孔内的上述第1半导体层和上述第2接触孔内的上述第2半导体层中的某一方覆盖，并具有导电性；以及第1导电层，与上述阻挡层接触。

【技术特征摘要】
2016.06.10 JP 2016-1161311.一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于上述绝缘基板的上方；第2半导体层，位于上述绝缘基板的上方，由与上述第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于上述绝缘基板的上方，覆盖上述第1半导体层和上述第2半导体层，并形成有贯通至上述第1半导体层的第1接触孔和贯通至上述第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，将上述第1接触孔内的上述第1半导体层和上述第2接触孔内的上述第2半导体层中的某一方覆盖，并具有导电性；以及第1导电层，与上述阻挡层接触。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具备：第1栅电极，与上述第1半导体层对置；以及第2栅电极，与上述第2半导体层对置。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具备在上述第1半导体层以及上述第2半导体层内的至少一方的下方对置的金属层。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第1半导体层以及上述第2半导体层内的某一方由多晶硅形成，另一方由氧化物半导体形成。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述绝缘层在上述第1半导体层与上述第2半导体层之间具备层间绝缘层。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述绝缘层具备第1绝缘层和位于上述第1绝缘层的上方的第2绝缘层，上述第1半导体层由多晶硅形成，位于上述绝缘基板与上述第1绝缘层之间，上述第2半导体层由氧化物半导体形成，位于上述第1绝缘层与上述第2绝缘层之间。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述阻挡层的一部分位于上述绝缘层的上表面，上述第1导电层的一部分在上述绝缘层的上方位于上述阻挡层之上。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述阻挡层与上述第1导电层的端面重叠。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，上述阻挡层与上述第1导电层的端面位于上述绝缘层的上表面。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上述阻挡层由对氢氟酸具有耐性的导电性的金属材料形成。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具备：第2导电层，位于形成有上述第2接触孔的部分的上述绝缘层的上表面；以及第3导电层，由与上述阻挡层相同的材料形成，位于上述第2导电层之上，并在上述第2接触孔内覆盖上述第2半导体层，上述阻挡层在上述第1接触孔内覆盖上述第1半导体层。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，上述第2导电层与上述第3导电层的端面重叠。13....

【专利技术属性】
技术研发人员：花田明纮，渊正芳，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP