显示装置及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示装置及显示装置的制造方法，包括：基板；设于基板上的第一晶体管、第二晶体管与导电连接部，第一晶体管通过导电连接部电连接第二晶体管的栅极电极，导电连接部上设有绝缘层，及设于绝缘层上且与第二晶体管电连接的像素电极，像素电极与导电连接部至少部分重叠，并有发光元件设于像素电极上，而导电连接部与像素电极形成一电容，此电容具有一等效介电常数及一厚度，其等效介电常数与厚度的比值介于0.4×(1E+5)F/m^2至296.48×(1E+5)F/m^2间。

The manufacturing method of display device and display device

The invention discloses a display device and display method, manufacturing device includes: a substrate; a first transistor, the second transistor is arranged on the base plate and the conductive connection portion, a gate electrode of the first transistor connected to the second transistor electrical conductive connection through an insulating layer, a conductive connection portion, and an insulating layer and a pixel electrode the second transistor is electrically connected with the pixel electrode and the conductive connection portion at least partially overlapped, and the luminous element is arranged on the pixel electrode, and the conductive connection portion and a pixel electrode forming a capacitor, the capacitor has an equivalent dielectric constant and thickness, the equivalent dielectric constant and the thickness ratio between 0.4 x (1E+5) F/m^2 to 296.48 x (1E+5) F/m^2.

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制造方法
本专利技术涉及显示装置，且特别是涉及一种具有发光元件的显示装置。
技术介绍
随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智能型手机等现代化信息设备，且此显示装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示装置包括发光二极管显示装置。发光二极管(LEDs)是利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(directbandgapmaterial)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。在现今发光二极管显示装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何发光二极管显示装置的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示装置并非各方面皆令人满意。因此，业界仍须一种可更进一步提升显示品质或降低制造成本的显示装置。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例提供一种显示装置，包括：基板；设于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括：基板；第一晶体管，设于该基板上；第二晶体管，设于该基板上，该第二晶体管包括一栅极电极；导电连接部，设于该基板上，该第一晶体管通过该导电连接部电连接该第二晶体管的该栅极电极；绝缘层，设于该导电连接部上；像素电极，设于该绝缘层上且与该第二晶体管电连接，其中该像素电极与该导电连接部至少部分重叠；以及发光元件，设于该像素电极上；其中，该导电连接部与该像素电极形成一电容，该电容具有一等效介电常数及一厚度，该等效介电常数与该厚度的比值介于0.4×(1E+5)F/m^2至296.48×(1E+5)F/m^2间。

【技术特征摘要】
2016.06.14 US 62/350,169;2016.06.28 US 62/355,392;1.一种显示装置，其特征在于，包括：基板；第一晶体管，设于该基板上；第二晶体管，设于该基板上，该第二晶体管包括一栅极电极；导电连接部，设于该基板上，该第一晶体管通过该导电连接部电连接该第二晶体管的该栅极电极；绝缘层，设于该导电连接部上；像素电极，设于该绝缘层上且与该第二晶体管电连接，其中该像素电极与该导电连接部至少部分重叠；以及发光元件，设于该像素电极上；其中，该导电连接部与该像素电极形成一电容，该电容具有一等效介电常数及一厚度，该等效介电常数与该厚度的比值介于0.4×(1E+5)F/m^2至296.48×(1E+5)F/m^2间。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中该导电连接部与该第二晶体管的该栅极电极同层。3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，其中该比值介于0.4×(1E+5)F/m^2至88.5×(1E+5)F/m^2之间。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该第二晶体管还包括一源极电极，其中该导电连接部与该第二晶体管的该源极电极同层。5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该比值介于0.45×(1E+5)F/m^2至296.48×(1E+5)F/m^2之间。6.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包括一辅助电极设于该基板与该导电连接部之间，且该辅助电极与该导电连接部至少部分重叠。7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包括一辅助电极设于该基板与该导电连接部之间，且该辅助电极与该导电连接部至少部分重叠。8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该发光元件与该第二晶体管的该栅极电极不重叠。9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包括：控制电路单元，且该基板位于该控制电路单元与该第一晶体管之间；及信号连接部，该控制电路单元通过该信号连接部与该第一晶体管电连接。10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，该信号连接部贯穿该基板。11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：第三图案化导电层，设于该绝缘层上，其中该第三图案化导电层包括一第三电极以及一第四电极，其中该发光元件包括一第五电极以及一第六电极，其中该第三图案化导电层的该第三电极电连接该第五电极，而该第四电极电连接该第六电极，其中该第三电极以及该第四电极至少其中之一具有一第一部分以及一第二部分，且该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度。12.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，具有一第一表面；形成一晶体管层于该基板的该第一表面上；及形成一图案化各向异性导电层(AnisotropicConductiveFilm，ACF)于该晶体管层上，其中该图案化各向异性导电层包括多个各向异性导电区块。13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中形成该图案化各向异性导电层的步骤包括：提供一压印模具，该压印模具的主表面具有多个凸出部形成一压印图案；将该压印模具的该主表面浸入一各向异性导电溶液，以于该压印模具的主表面的该些凸出部上形成一各向异性导电涂层；以该压印模具对该晶体管层进行一压印制作工艺，以将该些凸出部上的该各向异性导电涂层转印至该晶体管层上，并于该晶体管层上形成该图案化各向异性导电层。14.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，其中该晶体管层上具有一或多个图案化各向异性导电层预定涂布区，对应该图案化各向异性导电层的图案，且形成该图案化各向异性导电层的步骤包括：提供一喷涂装置，具有多个喷嘴朝向该晶体管层；将一或多个该喷嘴对准该一或多个图案化各向异性...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘同凯，谢朝桦，朱伟正，林俊贤，刘敏钻，洪挺凯，李冠锋，林明昌，颜子旻，王惠洁，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71