倒装芯片制造技术

本发明专利技术一实施例的倒装芯片，其特征在于，包括：基板；层压在所述基板上的电极焊盘层；层压在所述电极焊盘层的两侧末端的钝化层；层压在所述电极焊盘层及所述钝化层上的UMB层；形成在所述UBM层上的凸点，所述电极焊盘层上未层压所述钝化层的开口的宽度大于所述凸点的宽度。本发明专利技术的倒装芯片能够防止超声波焊接时焊盘上产生裂纹。

Flip chip

Flip chip is an embodiment of the present invention, is characterized by comprising: a substrate; laminated on the substrate electrode pad layer; passivation layer laminated on the electrode pad layer on both sides of the end; laminated on the electrode pad layer and the UMB layer of the passivation layer; forming convex in the UBM layer, the electrode pad layer on the passivation layer of the laminate without opening width greater than the width of the convex point. The flip chip of the invention can prevent the crack on the plate when the ultrasonic welding is welded.

【技术实现步骤摘要】
倒装芯片
本专利技术涉及倒装芯片，更详细地说，涉及超声波焊接时能够防止裂纹产生的倒装芯片。
技术介绍
一般而言，在半导体基板上实施多种工艺以形成多个半导体芯片之后，实施多种封装工艺并将各个半导体芯片贴装到印刷回路基板而形成半导体封装件。如上所述，为了形成半导体封装件，利用将金属导线等的引线(wire)粘贴到半导体芯片以将半导体芯片连接到基板的引线接合工艺、在半导体芯片所具备的电极上形成凸点(Bump)来连接凸点与基板的焊盘(pad)的倒装芯片封装工艺等。此时，将所述倒装芯片封装件配置成半导体芯片与基板相对，从而具有半导体芯片所具备的多个导电性凸点与基板的多个焊盘以一对一方式电气性连接的结构，半导体芯片与基板之间形成底部填充(underfill)层以保护导电性凸点免受外部冲击。尤其，最近随着半导体芯片的工作速度的增加，以往的引线接合方式已无法满足封装的特性，据此，在高功能半导体芯片的封装件中应用直接连接半导体芯片与基板的倒装芯片封装工艺的现象在逐渐增加。图1示出传统技术的倒装芯片封装件的剖面图。参照图1，半导体芯片1的下面形成电极焊盘2，电极焊盘2上形成金(Au)材质的凸点3以与印刷回本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装芯片，包括：基板；层压在所述基板上的电极焊盘层；层压在所述电极焊盘层的两侧末端的钝化层；层压在所述电极焊盘层及所述钝化层上的UMB(Under Bump Metallurgy)层；形成在所述UBM层上的凸点，所述电极焊盘层上未层压所述钝化层的开口的宽度大于所述凸点的宽度。

【技术特征摘要】
2016.06.14 KR 10-2016-00740681.一种倒装芯片，包括：基板；层压在所述基板上的电极焊盘层；层压在所述电极焊盘层的两侧末端的钝化层；层压在所述电极焊盘层及所述钝化层上的UMB(UnderBumpMetallurgy)层；形成在所述UBM层上的凸点，所述电极焊盘层上未层压所述钝化层的开口的宽度大于所述凸点的宽度。2.根据权利要求1所述的倒装芯片，还包括：层压在所述基板与所述电极焊盘层之间的多层图案层。3.根据权利要求2所述的倒装芯片，所述多层图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈映锡，金亨柱，朴柱勋，金昌德，
申请(专利权)人：天津威盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR