室温下制备AZO透明导电薄膜的方法技术

一种室温下制备AZO透明导电薄膜的方法，将衬底放置在磁控溅射设备的真空腔室内，对该腔室内抽真空。当背底真空到达2×10

【技术实现步骤摘要】
室温下制备AZO透明导电薄膜的方法
本专利技术涉及一种制备AZO多晶薄膜的方法。
技术介绍
透明半导体材料具有良好的光学透过性和良好的电学导电性，通常通过在宽带隙半导体(通常是金属氧化物)中进行重掺获得。在透明半导体材料中最常用的是透明导电氧化物(TCO)。TCO是一种重要的半导体材料，在热反射涂层平板显示器(FPD)、高分辨电视、触摸屏、表面声波器件、发光二极管、激光器、有机发光二极管、有机发光二极管显示器、透明高迁移率薄膜晶体管、纳米结构器件和自旋电子器件以及某些类型的太阳电池等领域有广阔的应用前景。常用的透明导电薄膜主要有掺氟的二氧化锡(SnO2:F：FTO)、掺Al的ZnO(AZO)、掺锡的氧化铟(ITO)。在这几种TCO薄膜中，FTO需要高温制备工艺、ITO中含有In元素，In是稀有金属、资源稀缺、且有毒。而AZO由于所含元素资源丰富、生产工艺简单、成本低、无毒性绿色环保等优势，成为目前最常用的TCO材料。ZnO是一种具有六方纤锌矿晶体结构的II-VI族半导体材料，具有高质量的单晶块体材料和大的室温激子束缚能(610meV)，在室温下直接光学带隙为3.37eV，大于可见光的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温下制备AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法如下：将衬底放在磁控溅射设备的真空腔室内，对该腔室内抽真空；当背底真空到达2×10

【技术特征摘要】
1.一种室温下制备AZO透明导电薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法如下：将衬底放在磁控溅射设备的真空腔室内，对该腔室内抽真空；当背底真空到达2×10-3Pa以下，通入Ar，开始生长AZO多晶薄膜；溅射AZO多晶薄膜的工艺条件如下：采用AZO陶瓷靶材，以Ar为溅射气体，采用的电源为射频电源，射频电源功...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，屈飞，古宏伟，王文静，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11