相变化记忆体的制备方法技术

一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一第一罩幕层于一介电层上，再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。之后图案化第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分的第一罩幕层，以形成一柱状突出物。接着移除第二罩幕层，并形成一加热材料层共形地覆盖柱状突出物的侧壁与上表面。最后移除柱状突出物的上表面的加热材料层，以自加热材料层形成一环状加热器环绕柱状突出物。

The preparation method of phase changing memory

A method for preparing a phase - changing memory containing the following steps. First, a first screen layer is formed on a dielectric layer, and a second curtain layer is formed on the first screen layer. After that, the first mask layer and the second screen layer are patterned to expose the side surface of the first mask layer, and remove the first curtain layer of the part from the side surface of the first cover layer, so as to form a columnar projection. Then the second curtain layer is removed, and a heating material layer is formed to cover the side wall and the upper surface of the cylindrical projecting conformally. At last, the heating material layer on the upper surface of the columnar protrusion is removed, and a circular heater is formed by the self heating material layer to surround the columnar protrusion.

【技术实现步骤摘要】
相变化记忆体的制备方法本申请是申请日为2015年07月07日、申请号为201510401165.4、专利技术名称为“相变化记忆体的制备方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术是有关一种相变化记忆体的制备方法。
技术介绍
电子产品(例如：手机、平板电脑以及数字相机)常具有储存数据的记忆体元件。已知记忆体元件可透过记忆体单元上的储存节点储存信息。其中，相变化记忆体利用记忆体元件的电阻状态(例如高阻值与低阻值)来储存信息。记忆体元件可具有一可在不同相态(例如：晶相与非晶相)之间转换的材料。不同相态使得记忆体单元具有不同电阻值的电阻状态，以用于表示储存数据的不同数值。相变化记忆体单元在操作时，可施加电流使得记忆体元件的温度提升以改变材料的相态。已知相变化记忆体元件的加热器与其耦接的记忆体元件具有较大的接触面积，此将增加表面孔洞的缺陷，且升温及降温的速度也较慢(高阻值与低阻值之间的转换不够迅速)，相对所需的电流量也较大。然而，传统的技术在制造小接触面积的加热器的制程需具精确的对准机制，此将使制程繁复与难以控制，相对提升相变化记忆体的成本。因此，业界亟需一种新颖且有效率的制程以制备相变化记忆体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变化记忆体的制备方法，其特征在于，包含：形成一下电极于一介电层中，其中该下电极的顶表面与该介电层的顶表面齐平；形成一罩幕层于该下电极上与该介电层上；图案化该罩幕层；等向性移除部分该罩幕层以形成一柱状突出物于该下电极上，其中该柱状突出物的一截面宽度小于该下电极的一截面宽度；形成一阻障层共形地覆盖該柱状突出物的侧壁与上表面；形成一加热材料层共形地覆盖该阻障层；以及蚀刻该柱状突出物的上表面的该阻障层与该加热材料层以及与该介电层平行的该阻障层与该加热材料层，以自该加热材料层形成一环状加热器环绕该柱状突出物，其中该环状加热器与该柱状突出物之间，以及该环状加热器与该下电极之间被该阻障层隔开。

【技术特征摘要】
1.一种相变化记忆体的制备方法，其特征在于，包含：形成一下电极于一介电层中，其中该下电极的顶表面与该介电层的顶表面齐平；形成一罩幕层于该下电极上与该介电层上；图案化该罩幕层；等向性移除部分该罩幕层以形成一柱状突出物于该下电极上，其中该柱状突出物的一截面宽度小于该下电极的一截面宽度；形成一阻障层共形地覆盖該柱状突出物的侧壁与上表面；形成一加热材料层共形地覆盖该阻障层；以及蚀刻该柱状突出物的上表面的该阻障层与该加热材料层以及与该介电层平行的...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏水金，
申请(专利权)人：江苏时代全芯存储科技有限公司，江苏时代芯存半导体有限公司，英属维京群岛商时代全芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32