A controllable inhibitory type of artificial synapse electronic device and its preparation method and application belong to the field of artificial intelligence technology. The artificial synapse electronic device comprises a substrate, a first electrode, a resistive layer and a second electrode arranged from bottom to top, and the barrier layer is an active layer of graphene oxide. The structure of the electronic device is a diode crossover or vertical structure, and the upper and lower electrodes are the same electrode, which has high symmetry. The existing similar devices are mostly transistors, and the testing and operation process is more complex. The invention belongs to the artificial controlled synaptic inhibition type, these multiple suppression function plays an important role in regulating the neural signal filtering and neural activity, showed high yield, output device repeatability, stable performance and anti saturation ability and other advantages, can be used as information transmission and a new calibrator. Therefore, the artificial synapses of graphene oxide are expected to be an effective solution for the artificial neural network and the calculation of neural morphology.
【技术实现步骤摘要】
一种可控抑制型人工突触电子器件及其制备方法与应用
本专利技术属于人工智能
,具体涉及一种可控抑制型人工突触电子器件及其制备方法与应用。
技术介绍
随着人类社会进入信息时代,电子信息产业得到了飞速的发展,由基本电子元件构建的高效神经元芯片引起了相当的关注。作为一个新兴的并对神经形态有效计算的途径,通过利用多种简单元器件以仿效生物突触这种跨学科领域的新颖想法已经实现,被认为是神经网络中的基本发生器和信号通道。这些新兴的技术原型具有可调和可存储的导电性状态,可以根据外部突触信号输入条件自适应地生成特定的输出。更重要的是,通过探索模拟各种神经功能,最终可以达到有效的神经形态计算。在神经科学研究中,神经系统的高效性关键在于大脑皮质神经元间巨大的连接网络,它为大脑提供了高度并行的处理能力。大脑有这样强大的能力关键在于其拥有神经元和突触组成的神经网络。大脑中大约有1012-1014个突触,它们是神经元之间信息交换的渠道,每个神经元与其他神经元之间有1000多个突触连接。突触最突出的特点是具有突触可塑性,突触可塑性是生物学习和记忆的分子基础,在大脑神经信号的传输中起着至关重要的作用。科学家认为如果计算机可以像大脑一样实时处理复杂的信息,并且像大脑一样消耗很少的能量,那么,信息膨胀的问题将得以解决,人类将进入智能信息时代。研究人员发现,人工突触和神经突触有着十分相似的传输特性,单个二极管人工突触便可能模拟一个神经突触的功能,与传统使用的由多个晶体管和电容器相结合的互补金属氧化物半导体(CMOS)来模拟的单个突触相比减少了很多能耗,也降低了集成电路的复杂性。从目前国内外 ...
【技术保护点】
一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述人工突触电子器件包括自下而上依次设置的衬底(1)、第一电极(2)、阻变层(3)和第二电极(4),所述阻变层(3)为氧化石墨烯活性层。
【技术特征摘要】
1.一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述人工突触电子器件包括自下而上依次设置的衬底(1)、第一电极(2)、阻变层(3)和第二电极(4),所述阻变层(3)为氧化石墨烯活性层。2.根据权利要求1所述的一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述衬底(1)为表面涂有厚度为300nm的二氧化硅层的硅片衬底。3.根据权利要求1所述的一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述第一电极(2)和第二电极(4)均为金电极,并且第一电极(2)和第二电极(4)的厚度为45~55nm。4.根据权利要求1或3所述的一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述第一电极(2)和第二电极(4)的厚度为50nm。5.根据权利要求1所述的一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述氧化石墨烯活性层的厚度为900~1100nm,方阻为90000~110000Ω。6.根据权利要求1所述的一种可控抑制型人工突触电子器件,其特征在于,所述氧化石墨烯活性层的厚度为1000nm,方阻为100000Ω。7.基于权利要求1所述的一种可控抑制型人工突触电子器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一.将氧化石墨烯投入分散...
【专利技术属性】
技术研发人员:仪明东,李腾飞,王来源,黄维,解令海,
申请(专利权)人:南京邮电大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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