The invention discloses a phase change memory and a manufacturing method thereof. The phase change memory consists of an active element, a lower electrode, a first insulating layer, an upper electrode, a bow heater and a ring phase change layer. The lower electrode is coupled with the active element, and the first insulating layer is positioned above the lower electrode, and the upper electrode is positioned above the first insulating layer. The bow heater is embedded in the first insulating layer, while the annular phase change layer surrounds the first insulating layer and the upper electrode, and the annular phase change layer contacts the side of the bow heater. Because the contact area between the bow heating layer and the annular phase change layer is very small, the reset current of the phase change memory is very low. One
【技术实现步骤摘要】
相变化记忆体及其制造方法本申请是申请日为2015年12月16日、申请号为201510944666.7、专利技术名称为“相变化记忆体及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种相变化记忆体及其制造方法。
技术介绍
电子产品(例如:手机、平板电脑以及数字相机)常具有储存数据的记忆体元件。已知记忆体元件可透过记忆体单元上的储存节点储存信息。其中,相变化记忆体利用记忆体元件的电阻状态(例如高阻值与低阻值)来储存信息。记忆体元件可具有一可在不同相态(例如:晶相与非晶相)之间转换的材料。不同相态使得记忆体单元具有不同电阻值的电阻状态,以用于表示储存数据的不同数值。相变化记忆体单元在操作时,可施加电流使得记忆体元件的温度提升以改变材料的相态。但目前现有的相变化记忆体中的加热器与相变化材料之间的接触面积较大,使得相变化记忆体的重置电流较高。虽然可利用微影与蚀刻制程,形成顶面积较小的柱状加热器,以柱状加热器的顶面与相变化材料相互接触,但微影制程仍有其极限,且蚀刻制程的难度也高,故不易精准控制柱状加热器的特征尺寸。因此,如何能够使加热器与相变化材料之间的接触面积更小成为本
的重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术的一方面在于提供一种制造相变化记忆体的方法,包含下列步骤。形成一下电极;形成一弓形加热器于下电极上方;形成一第一绝缘层覆盖弓形加热器;形成一上电极于第一绝缘层上;以及形成一环状相变化层围绕第一绝缘层与上电极,其中环状相变化层接触弓形加热器的一弧面。在本专利技术的一或多个实施方式中,在形成下电极之前,还包含下列步骤。提供一基板,并形成一主动元件于基板 ...
【技术保护点】
1.一种制造相变化记忆体的方法,其特征在于,包含:
【技术特征摘要】
1.一种制造相变化记忆体的方法,其特征在于,包含:形成一下电极;形成一弓形加热器于该下电极上方;形成一第一绝缘层覆盖该弓形加热器;形成一上电极于该第一绝缘层上;以及形成一环状相变化层围绕该第一绝缘层与该上电极,其中该环状相变化层接触该弓形加热器的一弧面。2.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法,其特征在于,在形成该下电极之前,还包含:提供一基板;以及形成一主动元件于该基板上,其中该下电极耦接该主动元件。3.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法,其特征在于,在沉积该加热材料层于该下电极上的步骤前,还包含:沉积一阻障层于该下电极上方。4.根据权利要求3所述的制造相变化记忆体的方法,其特征在于,还包含:图案化该阻障层以形成一图案化阻障层,且该图案化阻障层暴露部分该下电极;以及移除部分该图案化阻障层以形成一弓形阻障件于该下电极与该弓形加热器之间。5.根据权利要求3所述的制造相变化记忆体的方法,其特征在于,该阻障层包含氮化钽,而该加热材料层包含氮化钛。6.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法,其特征在于,形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:苏水金,
申请(专利权)人:江苏时代全芯存储科技有限公司,江苏时代芯存半导体有限公司,英属维京群岛商时代全芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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