制造相变化记忆体的方法技术

一种制造相变化记忆体的方法，包含：形成一结构，包含：底电极；介电层，位于底电极上方；隔离层，位于介电层上方，并具有开口贯穿隔离层；以及多晶硅层，位于开口内；形成第一孔洞及第二孔洞分别贯穿多晶硅层及介电层，第二孔洞位于第一孔洞的下方；形成保护层于第一孔洞及第二孔洞内及多晶硅层上方；进行化学机械研磨制程，或者进行干蚀刻制程及化学机械研磨制程，以移除保护层的一部分、隔离层及多晶硅层，并暴露介电层，以及留下第二孔洞内的保护层；移除第二孔洞内的保护层，以暴露第二孔洞；以及沉积加热材料至第二孔洞内。此方法可避开使用氢氧化四甲基铵溶液造成的危险，又可避免介电层中的孔洞损伤，使孔洞具有良好的尺寸稳定性。

Method of Manufacturing Phase Change Memory

A method for manufacturing phase change memory includes: forming a structure comprising: a bottom electrode; a dielectric layer located above the bottom electrode; an isolation layer located above the dielectric layer and having an opening through the isolation layer; and a polycrystalline silicon layer located within the opening; forming a first hole and a second hole through the polycrystalline silicon layer and a dielectric layer, respectively, and a second hole located below the first hole; A protective layer is formed in the first and second holes and above the polycrystalline silicon layer; chemical mechanical grinding or dry etching and chemical mechanical grinding processes are carried out to remove part of the protective layer, isolation layer and polycrystalline silicon layer, expose dielectric layer and leave protective layer in the second hole; and the protective layer in the second hole is removed to expose the second hole. The heating material is deposited into the second hole. This method can avoid the danger caused by the use of tetramethylammonium hydroxide solution, and avoid the damage of the holes in the dielectric layer, so that the holes have good dimensional stability.

【技术实现步骤摘要】
制造相变化记忆体的方法
本揭示是有关于一种制造相变化记忆体的方法。
技术介绍
电子产品(例如：手机、平板电脑以及数字相机)常具有储存数据的记忆体元件。习知记忆体元件可透过记忆体单元上的储存节点储存信息。其中，相变化记忆体利用记忆体元件的电阻状态(例如高阻值与低阻值)来储存信息。记忆体元件可具有一可在不同相态(例如：晶相与非晶相)之间转换的材料。不同相态使得记忆体单元具有不同电阻值的电阻状态，以用于表示储存数据的不同数值。目前制造相变化记忆体元件的制程包含典型的锁孔转移方法(keyholetransfermethod)。详细而言，此方法透过先形成具有锁孔结构(或可称空隙)的多晶硅层于介电层上方，然后透过蚀刻将锁孔结构向下转移至介电层，于介电层中形成小尺寸的孔洞，之后再移除剩余的多晶硅层。然而在移除剩余的多晶硅层的步骤中，通常使用对多晶硅层及周遭材料具有极高选择比的溶液，如氢氧化四甲基铵(tetramethylammoniumhydroxide(TMAH))溶液，进行湿蚀刻，以避免损伤孔洞，进而导致孔洞尺寸改变，影响相变化记忆体的性能。但氢氧化四甲基铵溶液有剧毒，致死性高，对操作人员造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成一结构，该结构包含：一底电极；一介电层，位于该底电极上方；一隔离层，位于该介电层上方，并具有一开口贯穿该隔离层；以及一多晶硅层，位于该开口内；形成一第一孔洞及一第二孔洞分别贯穿该多晶硅层及该介电层，该第二孔洞位于该第一孔洞的下方；形成一保护层于该第一孔洞及该第二孔洞内及该多晶硅层上方；进行化学机械研磨制程，或者进行干蚀刻制程及化学机械研磨制程，以移除该保护层的一部分、该隔离层及该多晶硅层，并暴露该介电层，以及留下该第二孔洞内的该保护层；移除该第二孔洞内的该保护层，以暴露该第二孔洞；以及沉积一加热材料至该第二孔洞内。

【技术特征摘要】
1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成一结构，该结构包含：一底电极；一介电层，位于该底电极上方；一隔离层，位于该介电层上方，并具有一开口贯穿该隔离层；以及一多晶硅层，位于该开口内；形成一第一孔洞及一第二孔洞分别贯穿该多晶硅层及该介电层，该第二孔洞位于该第一孔洞的下方；形成一保护层于该第一孔洞及该第二孔洞内及该多晶硅层上方；进行化学机械研磨制程，或者进行干蚀刻制程及化学机械研磨制程，以移除该保护层的一部分、该隔离层及该多晶硅层，并暴露该介电层，以及留下该第二孔洞内的该保护层；移除该第二孔洞内的该保护层，以暴露该第二孔洞；以及沉积一加热材料至该第二孔洞内。2.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该结构的该多晶硅层具有一空隙位于该开口内。3.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，进行该干蚀刻制程及该化学机械研磨制程的步骤包含：对该保护层进行该干蚀刻制程，以暴露该隔离层及该多晶硅层；以及进行该化学机械研磨制程，以移除暴露的该隔离层、暴露的该多晶硅层以及位于该第一孔洞内的该保护层，并暴露该介电层，以及留下该第二孔洞内的该保护层。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨子澔，张明丰，
申请(专利权)人：江苏时代全芯存储科技有限公司，江苏时代芯存半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32