温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一第一罩幕层于一介电层上，再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。之后图案化第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分的第一罩幕层，以形成一柱状突出物。接着移除...该专利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司授权不得商用。