包括通孔的电子器件及其形成方法技术
Electronic devices including through holes and their formation methods
The present disclosure relates to an electronic device including a through hole and a method for forming the electronic device. Provides a method for forming an electronic device, wherein the method comprises the following steps: providing a substrate, the substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; along the first surface of the etching of the substrate to define a groove; a through hole is formed in the trench; including adhesive tape applied to the the first surface, wherein the adhesive tape and the first surface spaced a certain distance; and in the substrate of the second surface operation.
【技术实现步骤摘要】
包括通孔的电子器件及其形成方法
本公开涉及电子器件和形成电子器件的方法，并且更具体地讲，涉及包括沟槽的电子器件及其形成方法。
技术介绍
晶圆通孔通常用于形成堆叠构型中不同管芯之间的连接。可通过在晶圆的其中一个主表面处形成电路来形成此类通孔。然后通过背磨或其他机械操作来减薄晶圆，并且然后穿过晶圆的全部或基本上全部的剩余厚度形成通孔。每个通孔的宽度类似于但略小于接合焊盘所占据的面积。通孔由块状硅、多晶硅、元素金属、金属合金、导电性金属氮化物、或者它们的组合组成并且不包括离散的内部特征。换句话讲，通孔是简单的微型线。制作晶圆通孔的传统方法可导致沿管芯的表面变形。管芯上留下的裂纹、残留物和材料可导致线接合附接复杂化以及器件问题，或者故障。行业内一直需要改进的电子器件，这些电子器件不包含因传统的晶圆通孔形成方法所导致的变形。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了形成电子器件的方法，该方法包括：提供衬底，该衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面上方，其中所述胶带的...
【技术保护点】
一种形成电子器件的方法，包括：提供衬底，该衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面之上，其中所述胶带的粘合剂与所述第一表面间隔开一定距离；以及在所述衬底的第二表面上执行操作。
【技术特征摘要】
2016.06.07 US 15/175,1911.一种形成电子器件的方法，包括：提供衬底，该衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表面之上，其中所述胶带的粘合剂与所述第一表面间隔开一定距离；以及在所述衬底的第二表面上执行操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中沿所述距离在所述粘合剂与所述衬底的所述第一表面之间设置有空气腔。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述第二表面上执行操作包括：使用各向同性蚀刻移除所述衬底的一部分；以及形成沿所述第二表面并且电连接到所述通孔的第一导电结构，其中所述第一导电结构包括凸点或焊球。4.一种形成电子器件的方法，包括：提供衬底，该衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；在形成所述沟槽之后在所述第一表面上方形成涂层；在所述涂层之上施加胶带；以及沿所述第二表面移除所述衬底的一部...
【专利技术属性】
技术研发人员：黑濑英司，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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