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本公开涉及包括通孔的电子器件及其形成方法。提供了形成电子器件的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；沿所述第一表面蚀刻所述衬底以限定沟槽；在所述沟槽内形成通孔；将包括粘合剂的胶带施加在所述第一表...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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